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国家自然科学基金(69771011)

作品数：2 被引量：1H指数：1
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文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 1篇跃迁
  • 1篇跃迁几率
  • 1篇深球
  • 1篇势阱
  • 1篇隧穿
  • 1篇主方程
  • 1篇自组装
  • 1篇自组装体系
  • 1篇组装体
  • 1篇纳米
  • 1篇共振隧穿
  • 1篇共振隧穿二极...
  • 1篇二极管
  • 1篇方势阱
  • 1篇RTD
  • 1篇SCHROD...
  • 1篇AU纳米粒子
  • 1篇I-V特性
  • 1篇INGAAS...
  • 1篇波包

机构

  • 2篇长沙铁道学院

作者

  • 2篇周继承
  • 2篇何红波
  • 2篇李义兵

传媒

  • 1篇量子电子学报
  • 1篇半导体杂志

年份

  • 2篇2000
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
有限深球方势阱研究Au纳米粒子自组装体系的I-V特性
2000年
本文在量子点的球方阱模型基础上，利用转移哈密顿法计算了纳米粒子自组装体系电子的跃迁几率．在此基础上，通过求解电子跃迁的主方程即可得到该体系的隧穿电流与偏压的关系．
何红波周继承胡慧芳李义兵
关键词：跃迁几率主方程
InGaAs/InAlAs RTD I-V特性的量子力学隧穿模拟被引量：1
2000年
本文通过数值求解含时Schrodinger方程得到了InGaAs/InAlAs共振隧穿二极管 (RTD)的电流 偏压曲线 ,我们发现数值模拟的结果与实验符合得很好。
何红波周继承胡慧芳李义兵
关键词：共振隧穿二极管波包
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共1页<1>
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