北京市教委科技发展计划(KM200510028004)
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- 界面插入Cr层对NiFe／PtMn交换偏置的影响
- 用磁控溅射法制备了NiFe／PtMn双层膜, 研究了在界面加入少量的Cr对交换偏置场的影响。结果发现:在Pt成分较高时,界面加Cr对反铁磁层为临界厚度时的交换偏置场影响最大,增大了1．5倍,达到了最大值。XRD结果表明加...
- 梁珂姜宏伟
- 关键词：交换偏置巨磁电阻
- 文献传递
- 缓冲层对NiCo薄膜各向异性磁致电阻的影响
- 2008年
- 用磁控溅射法制备了以NiFeCr和Ta分别为缓冲层的两种NiCo薄膜样品,在不同温度下对两种样品退火.结果表明:在NiCo厚度相同的情况下,以NiFeCr作为缓冲层的样品的各向异性磁致电阻(AMR)值明显高于Ta作为缓冲层的样品.X射线衍射(XRD)的结果表明,NiFeCr/NiCo薄膜的晶粒平均尺寸大于Ta/NiCo薄膜,且两种样品的磁膜/缓冲层界面存在较大差异,这可能是造成两者AMR差异的原因.此外,对样品进行温度适当的热处理可以明显改善薄膜的物理性质.
- 姜宏伟季红周丽萍王艾玲郑鹉
- 关键词：磁性薄膜缓冲层织构晶粒尺寸
- 界面插Mn对CoFe／CrPt双层膜交换耦合的影响
- 用共溅射的方法制备CoFe／CrPt(x)、 CoFe／Mn／CrPt(x)薄膜。通过改变反铁磁层的厚度,研究影响交换偏置的因素。结果表明:界面结构、反铁磁层厚度都对交换偏置产生重要作用。在CoFe／CrPt双层膜中,反...
- 陈红燕陈庆永李岩姜宏伟
- 关键词：交换偏置
- 文献传递
