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磁控溅射低温沉积ITO薄膜及其光电特性研究被引量：2: 2009年; 采用直流反应磁控溅射法低温沉积ITO薄膜，用XRD、SEM和UV—Vis分别表征ITO薄膜的晶体结构、表面形貌及其紫外-可见光吸收谱，研究了氧分压、溅射功率及薄膜厚度等工艺参数对薄膜光电性能的影响，结果表明，氧分压过大时，ITO薄膜中有大量的位错和缺陷，使薄膜的电阻率变大，导电性变差；氧分压过小时，薄膜中将有大量氧空位产生，导致晶格变形，使电阻率增加。随着溅射功率增大，在相同时间内薄膜厚度增加，方块电阻减小，薄膜电阻率降低。随着薄膜厚度增加，制备的薄膜晶体结构相对完整，载流子浓度和迁移率逐渐增大，薄膜电阻率变小，进而对样品的光电性能产生明显影响。; 江伟武光明王怡邢光建韩彬; 关键词：直流磁控溅射 ITO薄膜光响应

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北京市教委科技发展计划(KM200610017009)