国家自然科学基金(69771024)
- 作品数：12 被引量：50H指数：4
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- 铁电存储场效应晶体管I-V特性的物理机制模拟被引量：2
- 2002年
- 文章讨论的模型主要描述了铁电存储场效应晶体管 ( FEMFET)的 I- V特性。从理论结果可反映出几何尺寸效应和材料参数对晶体管电特性的影响。传统的阈值电压的概念己不再适用 ,由于铁电层反偏偶极子的开关作用 ,自发极化的增加对存储器的工作状态产生很小的影响。该模型可用于设计和工艺参数的优化 。
- 周志刚王耘波于军谢基凡徐静平刘刚王华朱丽丽
- 关键词：场效应晶体管I-V特性极化
- Au/PZT/BIT/p-Si异质结的制备与性能研究被引量：6
- 2001年
- 采用脉冲激光沉积 (PLD)工艺 ,制备了以Bi4Ti3O1 2 (BIT)为过渡阻挡层的Au PZT BIT p Si异质结 .研究了BIT铁电层对Pb(Zr0 .5 2 Ti0 .48)O3(PZT)薄膜晶相结构、铁电及介电性能的影响 ,对Au PZT BIT p Si异质结的导电机制进行了讨论 .氧气氛 5 30℃淀积的PZT为多晶铁电薄膜 ,与直接淀积在Si基片上相比 ,加入BIT铁电层后PZT铁电薄膜的 (110 )取向更加明显 ;在铁电层总厚度均为 40 0nm的情况下 ,PZT BIT双层铁电薄膜比PZT单层铁电薄膜具有更大的剩余极化和更低的矫顽场 ;观察到顺时针回滞的C V特性曲线 ,表明铁电极化控制了硅的表面势 ,薄膜呈现极化开关的特性 ;I V特性曲线表明异质结具有明显的单向导电性 ,并证实异质结在弱场下导电遵循欧姆定律 ,强场下以空间电荷限制电流 (SCLC)为主 ;异质结具有较好的疲劳特性 ,10 9次极化反转后其剩余极化仍达到初始值的90 % .
- 王华于军董小敏王耘波周文利赵建洪周东祥
- 关键词：铁电薄膜脉冲激光沉积导电机制
- 铁电电容的物理模型研究被引量：2
- 2001年
- 用一种物理方法解释了非理想铁电电容器的电路行为。在该方法中把分立的铁电电容假设为堆积状的介电层结构 ,包括铁电层和非开关介电层。通过这种方法改进了 Sawyer- Tower电路并测量了其电特性。用该模型较准确地测量了由于输入信号频率变化而引起的电滞回线的畸变 ,并且输入信号幅度的影响与实验结果比较吻合。
- 朱丽丽于军周文利王耘波王华徐静平谢基凡
- 关键词：物理模型极化强度铁电电容器
- 铁电存储器研究进展被引量：21
- 2002年
- 铁电薄膜与半导体集成技术相结合而发展起来的铁电存储器,以其高密度、高速度、非易失性以及抗辐射性而大大优于目前任何一种半导体存储器。介绍了铁电存储器的存储原理、特点、基本存储单元、研究进展、应用及存在的问题等。
- 周志刚王耘波王华于军谢基凡郭冬云
- 关键词：铁电存储器铁电薄膜FRAMFFET
- 铁电场效应晶体管被引量：7
- 2000年
- 介绍了铁电场效应晶体管 (FFET)的基本结构、存储机制、制作方法 ,综述其结构设计的改进、铁电薄膜在 FFET中应用的进展情况 ,探讨围绕铁电薄膜材料、过渡层、结构设计、不同成膜方法及工艺对 FFET存储特性的影响 ,对
- 王华于军周文利王耘波谢基凡周东祥朱丽丽
- 关键词：铁电薄膜晶体管
- Sol-Gel工艺Si基Bi_4Ti_3O_(12)铁电薄膜制备与晶相结构研究被引量：1
- 2002年
- 采用Sol Gel工艺制备了Si基Bi4 Ti3O1 2 铁电薄膜。研究了退火温度、退火时间、薄膜厚度等对薄膜晶相结构的影响。研究表明 ,退火温度对Si基Bi4 Ti3O1 2 铁电薄膜晶相结构的影响最为显著 ,而且随退火温度升高 ,Bi4 Ti3O1 2 薄膜更趋向于沿c 轴取向的生长 ;退火时间在 30分钟内对薄膜晶相结构的影响比较明显 ;薄膜厚度及
- 王华于军王耘波秦冬成
- 关键词：SOL-GEL法晶相结构钛酸铋铁电材料
- 低温制备Pb(Zr_(0.52)Ti_(0.48))O_3铁电薄膜及其性能研究被引量：3
- 2001年
- 采用脉冲激光沉积技术（ＰＬＤ）在（１００）ｐ－Ｓｉ衬底上，低温淀积、快速退火成功地制备了具有完全钙钛矿结构的多晶ＰＺＴ铁电薄膜。所制备的ＰＺＴ铁电薄膜致密、均匀，表现出良好的介电和铁电性能．其介电常数和介电损耗１００ｋＨＺ下分别为３２０和０．０８，剩余极化Ｐｔ和矫顽场Ｅｃ分别为１４μＣ／ｃｍ２和５８ｋＶ／ｃｍ．＋５Ｖ电压下漏电流密度低于 １０－７Ａ／ｃｍ２。１０７次极化反转后剩余极化仅下降１０％，具有较好的疲劳特性。
- 王华于军王耘波周文利谢基凡朱丽丽
- 关键词：PZT铁电薄膜PLD
- Au/PZT/p-Si结构铁电存储二极管的制备及其性能被引量：1
- 2001年
- 采用准分子脉冲激光沉积 (PL D)工艺 ,制备了 Au/ PZT/ p- Si结构铁电存储二极管 .在氧气氛 35 0℃低温沉积、原位 5 30℃快速退火工艺条件下 ,获得了多晶纯钙钛矿结构的 Pb (Zr0 .5 2 Ti0 .48) O3(PZT)铁电薄膜 . PZT薄膜的铁电性能测试显示较饱和的、不对称的电滞回线 ,其剩余极化和矫顽场分别为 13μC/ cm2和 48k V/ cm.从C- V和 I- V特性曲线观察到源于铁电极化的回滞现象 ,记忆窗口约 1.1V,+4 V偏压下电流密度为 3.9× 10 - 6 A/cm2 .
- 王华于军董晓敏周文利王耘波谢基凡
- 关键词：脉冲激光沉积铁电薄膜锆钛酸铅
- 退火温度对Si基Bi_4Ti_3O_(12)铁电薄膜微观结构影响研究被引量：4
- 2002年
- 采用 Sol- Gel工艺制备了 Si基 Bi4 Ti3O1 2 铁电薄膜。研究了退火温度对 Si基 Bi4 Ti3O1 2 薄膜晶相结构、晶粒尺寸及薄膜表面形貌的影响。研究表明 ,退火温度低于 4 5 0℃时 Bi4 Ti3O1 2 薄膜为非晶状态 ,退火温度在 5 5 0～ 85 0℃范围时均为多晶薄膜 ,而且随退火温度升高 ,Bi4 Ti3O1 2 薄膜更趋向于沿 c轴取向的生长 ;而晶粒尺寸及薄膜粗糙度随退火温度升高而增大 。
- 王华于军王耘波倪尔瑚
- 关键词：铁电薄膜BI4TI3O12微观结构退火温度钛酸铋
- Au/PZT/BIT/p-Si结构铁电存储二极管存储特性被引量：2
- 2001年
- 采用脉冲激光沉积方法 (PLD)制备了Au/PZT/BIT/p Si结构铁电存储二极管 .对其铁电性能和存储特性进行了实验研究 .铁电性能测试显示较饱和的、不对称的电滞回线 ,其剩余极化和矫顽场分别约为 1 5 μC/cm2 和 48kV/cm ;1 0 9次开关极化后剩余极化和矫顽场分别仅下降 1 0 %和增加 1 2 % ;观察到源于铁电极化的C V和I V特性回线 ;电流密度 + 4V电压下为 6 .7× 1 0 -8A/cm2 ;在 + 2V的读电压下 ,读“1”和读“0”电流有 0 .0 5 μA的明显差别 ;保持时间达 30min以上 .
- 于军王华董晓敏周文利王耘波郑远开赵建洪谢基凡
- 关键词：铁电薄膜脉冲激光沉积PZTBIT电滞回线
