四川省教育厅科学研究项目(09ZC048)
- 作品数：5 被引量：37H指数：4
- 相关作者：黄多辉王藩侯万明杰蒋刚程晓洪更多>>
- 相关机构：宜宾学院四川大学中国工程物理研究院更多>>
- 发文基金：四川省教育厅科学研究项目国防科技重点实验室基金更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- SnSe分子外场下的基态性质和激发态性质被引量：9
- 2013年
- 对Sn原子使用SDB-cc-pVTZ基组,Se原子采用6-311++G基组,利用密度泛函中的B3LYP方法研究了电场强度为0.04—0.04a.u.的外电场对SnSe基态分子的几何结构、电荷布居分布、HOMO能级、LUMO能级、能隙、费米能级、谐振频率和红外光谱强度的影响.继而使用含时密度泛函(TD-B3LYP)方法研究了SnSe分子在外场下的激发特性.结果表明,外电场的大小和方向对SnSe分子基态的这些性质有明显影响.在所加的电场范围内(0.04a.u.—0.04a.u.),随着正向电场的增大,核间距先减小后增大,在F=0.03a.u.时取得最小值0.2317nm;分子电偶极矩μ近似线性地增大;EL,EH、费米能级EF和能隙Eg均减小.随着正向电场逐渐增大,分子总能量和谐振频率均先增大后减小;红外谱强度则先减小后增大,在F=0.03a.u.时,取得最小值0.1138km·mol-1.由基态到第1—10个单重激发态的波长均随着正向电场的增大而增大.激发能均随着正向电场的增大而减小.电场的引入可改变SnSe分子激发态出现的顺序并使得一些禁止的跃迁变得可能.
- 王藩侯黄多辉杨俊升
- 关键词：外电场能隙
- Be，O共掺杂实现p型AlN的第一性原理研究被引量：7
- 2012年
- 基于密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势方法,研究了掺杂利非掺杂AIN体系的晶格参数、能带结构、总体态密度、分波态密度、差分电荷分布及电荷集居数.计算结果表明:Be掺杂A1N晶体能够在能隙中形成深受主能级,空穴载流子局域于价带顶,而引入了激活施主O原子的Be,O共掺杂方法,能使受主能带变宽、非局域化特征明显.同时,受主能级向低能方向移动,形成了浅受主能级,从而提高了Be原子的掺杂浓度和系统的稳定性.Be,O共掺杂更有利于获得P型A1N.
- 袁娣黄多辉罗华锋
- HeH^+分子X^1∑^+、A^1∑^+和a^3∑^+态的势能函数与光谱常数研究被引量：1
- 2012年
- 以Aug-cc-pVDZ、Aug-cc-pVTZ、Aug-cc-pVQZ和Aug-cc-pV5Z为基函数,分别采用组态相互作用(CI)和完全活性空间自洽场(CASSCF)方法对HeH^+的X^1∑^+、A^1∑^+和a^3∑^+态的平衡结构、离解能、绝热跃迁能、谐振频率和势能曲线进行了计算.并选用Murrell-S0rbie势能函数对势能曲线进行拟合,利用拟合的参数值计算出了力常数和光谱数据.结果表明以Aug-cc-pV5Z为基函数,采用CI方法的计算值与实验值和其它理论结果吻合较好.
- 黄多辉程晓洪鲁伟员万明杰王藩侯
- 关键词：CI势能函数光谱数据
- 外场下SnS分子结构及其特性被引量：17
- 2013年
- 对S原子采用6-311++G**基组,Sn原子采用SDB-cc-pVTZ基组,利用密度泛函(B3P86)方法对SnS分子进行了基态结构优化,并研究了外场作用下SnS基态分子键长、能量、能级分布、电荷布居分布、谐振频率和红外谱强度的影响规律.然后利用含时密度泛函(TD-B3P86)方法研究了SnS分子在外场下的激发特性.结果表明,在所加的电场范围内(0.04a.u.—0.04a.u.),随着正向电场的增大,分子键长和红外谱强度均是先减小后增大;总能E,SnS基态分子的最高已占据轨道能量EH和谐振频率均是先增大后减小;分子的最低未占空轨道能量EL和能隙Eg均随正向电场的增大而减小.随着正向电场的增大,SnS分子由基态至前9个单重激发态跃迁的波长增大,激发能则减小.
- 黄多辉王藩侯万明杰蒋刚
- 关键词：SNS外电场
- GeTe和GeSe分子在外电场下的特性研究被引量：5
- 2011年
- 对Ge原子采用6-311++G**基函数,Te和Se原子采用SDB-cc-pVTZ基函数,利用密度泛函理论的局域自旋密度近似方法优化得到了GeTe和GeSe分子的稳定构型,并计算了外电场作用下GeTe和GeSe基态分子的平衡核间距、总能量、最高已占据分子轨道能量EH、最低未占分子轨道能量EL、能隙、谐振频率和红外谱强度.在上述计算的基础上利用单激发组态相互作用-局域自旋密度近似方法研究了GeTe和GeSe分子在外电场下的激发特性.结果表明:随着正向电场强度的增大,分子核间距逐渐增大,分子总能量逐渐降低,谐振频率逐渐减小,红外谱强度则逐渐增大.在0—2.0569×1010V·m-1的电场范围内,GeTe分子的EH均高于GeSe分子的EH;随着正向电场的增大,GeTe与GeSe的EH差逐渐变大,GeTe的EL低于GeSe的EL,它们的EL均随正向电场的增大而增大.无外场时,GeTe分子的能隙比GeSe分子的能隙要小;在外电场反向增大的过程中,GeTe和GeSe的分子能隙始终减小.外电场的大小和方向对GeTe和GeSe分子的激发能、振子强度及跃迁的波长均有较大影响.
- 黄多辉王藩侯程晓洪万明杰蒋刚
- 关键词：GETE外电场激发态
