中央高校基本科研业务费专项资金(CDJZR11220003)
- 作品数：4 被引量：18H指数：3
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- 相关机构：重庆大学沈阳师范大学更多>>
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- 闪锌矿MTe(M=Zn/Mg)的几何结构、弹性性质、电子结构和光学性质(英文)被引量：4
- 2013年
- 采用基于密度泛函理论(DFT)框架下广义梯度近似(GGA)平面波超软赝势(PP-PW)方法,计算了闪锌矿型MTe(M=Zn/Mg)的几何结构、弹性性质、电子结构和光学性质.同时采用杂化密度泛函调准了带隙.结果表明,立方相ZnTe和MgTe均为直接带隙半导体材料.所得晶格参数、弹性常数及体模量与实验数据基本吻合.由弹性常数推导出ZnTe、MgTe的德拜温度分别为758、585K.研究了MTe的复介电函数、折射率、反射率和能量损失系数等光学性质,并基于电子能带结构和态密度对光学性质进行了解释.
- 郭雷胡舸封文江张胜涛
- 关键词：碲化锌第一性原理计算光学性质
- Zn空位及Cu掺杂对ZnTe电子结构及光学性质的影响被引量：4
- 2013年
- 利用基于密度泛函理论框架下的平面波赝势法和广义梯度近似,计算分析了ZnTe结构本体、掺入杂质Cu(Zn0.875Cu0.125Te)及Zn空位(Zn0.875Te)体系的晶格常数及缺陷形成能,得到了不同体系的态密度、能带结构、集居数、介电函数、损失函数、吸收光谱、光电导率、复折射率及反射率。结果表明,掺杂Cu和Zn空位对ZnTe的晶胞参数、能带结构以及光学性质都产生了一定程度的影响。由于空位及杂质能级的引入,缺陷体系体积减小,晶胞参数也产生了一定的改变,同时缺陷体系禁带宽度减小并给受主能级价带顶提供n型电导性;此外,缺陷体系吸收光谱产生红移,电子在可见光区的跃迁明显增强并出现介电峰,改善了ZnTe的光学性质。
- 李清芳胡舸姚靖张双魏胜封文江
- 关键词：ZNTE第一性原理电子结构光学性质
- ZnSe掺Cu与Zn空位缺陷的稳定性、电子结构与光学性质(英文)被引量：8
- 2012年
- 采用基于密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势方法,对ZnSe闪锌矿结构本体、掺入p型杂质Cu(Zn0.875Cu0.125Se)及Zn空位(Zn0.875Se)超晶胞进行结构优化处理.计算并详细分析了缺陷体系的形成能和三种体系下ZnSe材料的态密度、能带结构、集居数、介电和吸收光谱.结果表明:在Zn空位与Cu掺杂ZnSe体系中,由于空位及杂质能级的引入,禁带宽度有所减小,吸收光谱产生红移;单空位缺陷结构不易形成,Zn0.875Se结构不稳定,Cu掺杂ZnSe结构相对更稳定.
- 郭雷胡舸张胜涛
- 关键词：硒化锌空位缺陷CU掺杂电子结构光学性质
- 欠电位沉积研究进展被引量：3
- 2013年
- 欠电位沉积(underpotential deposition,UPD)是指一种金属可在比其热力学可逆电位正的电位下沉积在另一基体上的现象,是一个与电极/溶液结构密切相关的重要的电化学现象。从广义上讲,定义中的沉积元素与基体不仅仅局限于金属元素,还包括非金属元素、纳米粒子等其它物质。由于单原子厚度的异种金属能显著改变界面附近的电势分布和影响溶剂分子的取向,并改变基底金属表面的吸附行为和反应能力,使得UPD在电催化和金属与合金电沉积研究中颇受重视。迄今为止,已报道了大量UPD实验现象。本文在现有文献基础上,总结了UPD的若干理论模型及其行为特征,着重探讨了衬底、离子吸附、温度等因素对UPD过程的影响作用,介绍了UPD应用的主要成功实例,并对其研究前景提出了展望。
- 郭雷谭建红李文坡胡舸张胜涛
- 关键词：金属欠电位沉积
