国防科技技术预先研究基金(51408010601DZ1032)
- 作品数：5 被引量：6H指数：2
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- 掺氮4H-SiC电子输运特性的多粒子蒙特卡罗研究
- 2005年
- 在最新能带结构计算的基础之上,采用非抛物性能带模型对掺氮4H-SiC电子输运特性进行了多粒子蒙特卡罗(EnsembleMonteCarlo)研究.研究表明,低场下,掺杂浓度较低时,氮杂质不完全电离导致的中性杂质散射对4H-SiC横向电子迁移率影响较小.随着掺杂浓度的增加,中性杂质散射作用增强.掺杂浓度较高时,随着温度的增加,中性杂质散射的影响逐步减弱.4H-SiC电子迁移率较高且各向异性较小,温度为296K时得到的横向电子饱和漂移速度为2.18×107cm/s;阶跃电场强度为1000KV/cm时,横向瞬态速度峰值接近3.3×107cm/s,反应时间仅为百分之几皮秒量级.模拟结果同已有的测试结果较为一致.
- 王平杨燕杨银堂屈汉章崔占东付俊兴
- 关键词：4H-SIC蒙特卡罗研究
- 2H-SiC体材料电子输运特性的EMC研究
- 2004年
- 目的 对2H SiC体材料的电子输运特性进行研究。方法 在最新能带结构计算的基础之上,采用非抛物性能带模型和多粒子蒙特卡罗(EnsembleMonteCarlo,EMC)方法。结果 计算表明:低场下,温度一定时,2H SiC纵向电子迁移率比4H SiC和6H SiC都高,横向迁移率则较为接近。296K时,由EMC方法得到的纵向电子饱和漂移速度为2.2×107cm/s,横向电子饱和漂移速度为2.0×107cm/s。当电场条件相同时,2H SiC同4H SiC以及6H SiC中的纵向电子平均能量相差较大。在阶跃电场强度为1000kV/cm时,其横向瞬态速度峰值可达到3.2×107cm/s,反应时间仅为百分之几皮秒量级。结论 可以被用来设计SiC器件和电路。
- 王平杨银堂崔占东杨燕付俊兴
- 关键词：迁移率漂移速度
- 6H-SiC高场输运特性的多粒子蒙特卡罗研究被引量：3
- 2004年
- 采用非抛物性能带模型 ,对 6H SiC高场电子输运特性进行了多粒子蒙特卡罗 (EnsembleMonteCarlo)研究 研究表明 :温度为 2 96K时 ,电子横向漂移速度在电场为 2 .0×1 0 4V/cm处偏离线性区 ,5.0×1 0 5V/cm处达到饱和 由EMC方法得到的电子横向饱和漂移速度为 1 .95×1 0 7cm/s,纵向为6.0×1 0 6cm/s,各向异性较为显著 当电场小于 1 .0×1 0 6V/cm时 ,碰撞电离效应对高场电子漂移速度影响较小 另一方面 ,高场下电子平均能量的各向异性非常明显 电场大于 2 .0× 1 0 5V/cm时 ,极化光学声子散射对电子横向能量驰豫时间影响较大 当电场一定时 ,c轴方向的电子碰撞电离率随着温度的上升而增大 对非稳态高场输运特性的分析表明 :阶跃电场强度为 1 .0×1 0 6V/cm时 ,电子横向瞬态速度峰值接近 3.0×1 0 7cm/s。
- 王平周津慧杨银堂屈汉章杨燕付俊兴
- 关键词：6H-SIC各向异性漂移速度
- SiC电子输运特性的Monte Carlo数值模拟被引量：1
- 2005年
- 利用系综MonteCarlo法研究了2H ,4H 和6HSiC的电子输运特性.在模拟中考虑了对其输运过程有着重要影响的声学声子形变势散射、极化光学声子散射、谷间声子散射、电离杂质散射以及中性杂质散射.通过计算,获得了低场下这几种不同SiC多型电子迁移率同温度的关系,并以4H SiC为例,重点分析了中性杂质散射的影响.最后对高场下电子漂移速度的稳态和瞬态变化规律进行了研究.将模拟结果同已有的实验数据进行了比较,发现当阶跃电场强度为1 0×106V·cm-1时,4H Sic电子横向瞬态速度峰值接近3 3×107cm·s-1,6H Sic接近3 0×107cm·s-1.
- 王平杨银堂屈汉章杨燕李跃进贾护军
- 关键词：电子输运特性数值模拟杂质散射声学声子漂移速度形变势
- SiC电子霍耳迁移率的计算被引量：2
- 2006年
- 基于对自身能带结构的分析以及各向同性弛豫时间近似法,采用三椭球等能面、抛物线性简化,建立了适于模拟n型6H-SiC电子霍耳迁移率和霍耳散射因子的解析模型,精确描述了不同散射机制对于6H-SiC低场电子输运特性的影响.计算结果与实测值有很好的一致性.
- 王平杨银堂杨燕
- 关键词：解析模型
