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高功率半导体激光国家重点实验室基金(9140C310101120C031115)

作品数：20 被引量：68H指数：3
相关作者：魏志鹏方芳方铉李金华楚学影更多>>
相关机构：长春理工大学中国科学院长春光学精密机械与物理研究所南昌大学更多>>
发文基金：高功率半导体激光国家重点实验室基金国家自然科学基金吉林省科技发展计划基金更多>>
相关领域：理学一般工业技术电子电信机械工程更多>>

文献类型

  • 20篇中文期刊文章

领域

  • 15篇理学
  • 4篇电子电信
  • 4篇一般工业技术
  • 1篇机械工程

主题

  • 7篇纳米
  • 7篇发光
  • 3篇光催化
  • 3篇发光性
  • 3篇ZNO
  • 3篇ALD
  • 3篇催化
  • 2篇氧化锌纳米
  • 2篇原子层沉积
  • 2篇柔性衬底
  • 2篇退火
  • 2篇退火温度
  • 2篇量子
  • 2篇量子点
  • 2篇纳米棒
  • 2篇纳米线
  • 2篇激光
  • 2篇激光器
  • 2篇光性质
  • 2篇光学

机构

  • 20篇长春理工大学
  • 5篇中国科学院长...
  • 3篇南昌大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 18篇魏志鹏
  • 17篇方铉
  • 17篇方芳
  • 16篇楚学影
  • 16篇李金华
  • 15篇王晓华
  • 6篇房丹
  • 6篇唐吉龙
  • 4篇刘国军
  • 4篇赵海峰
  • 4篇马晓辉
  • 3篇刘超
  • 3篇王双鹏
  • 3篇王菲
  • 3篇安宁
  • 3篇刘鹏程
  • 3篇徐莉
  • 3篇陈新影
  • 2篇吕珊珊
  • 2篇高娴

传媒

  • 5篇发光学报
  • 3篇光谱学与光谱...
  • 3篇长春理工大学...
  • 2篇红外与激光工...
  • 2篇材料导报
  • 2篇中国光学
  • 1篇物理学报
  • 1篇功能材料
  • 1篇激光与红外

年份

  • 1篇2016
  • 3篇2015
  • 10篇2014
  • 5篇2013
  • 1篇2012
共 20 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
InGaAsSb四元合金材料禁带宽度的计算方法被引量：2
2014年
讨论了计算In Ga As Sb四元合金材料禁带宽度常用的Glisson方法和Moon方法,比较了它们的计算结果.将两者化成相同形式下的等价公式后发现,二者都只考虑了Γ点带隙弯曲因子对禁带宽度的影响.通过考虑自旋轨道分裂带对价带的影响,提出一种将自旋轨道分裂带弯曲因子引入计算In Ga As Sb禁带宽度的新方法.研究结果表明,该方法计算结果的准确性要优于两种常见的方法.
刘超魏志鹏安宁何斌太刘鹏程刘国军
关键词：INGAASSB禁带宽度
掺杂型ZnS纳米晶的发光性质及其在生物检测方面的研究进展被引量：2
2013年
主要围绕ZnS纳米晶的制备、掺杂和表面修饰剂所引起的光学性质以及生物分子检测等问题展开了一系列的讨论。由于纳米晶体表面晶面的定向生长,控制着纳米晶形貌的变化,因此综述了多种制备纳米晶的方法。系统总结了对纳米晶进行掺杂而引起了本征发射波长的变化,并对其进行表面修饰从而达到改变其荧光性质的目的。国内外研究表明,对纳米晶进行表面修饰,可以利用表面修饰制备出量子产率高,易于生物分子偶联的水溶性的掺杂型ZnS纳米晶,因此可在生物标记、示踪、检测等多个领域发挥重要的作用,为在生物医学领域中的应用奠定基础,最后展望了ZnS纳米晶未来的发展前景。
杜鸿延魏志鹏楚学影方铉方芳李金华王菲王晓华
关键词：ZNS掺杂荧光生物检测
1.3μm GaAsSb/GaAs单量子阱垂直腔面发射激光器的仿真研究
2014年
设计了用于提高1.3μm GaAsSb/GaAs单量子阱激光器光反馈的分布布拉格反射镜。基于PICS3D软件建立了单量子阱垂直腔面发射激光器仿真模型,并对有源区量子阱的材料组分和阱宽进行了优化分析。结果表明,量子阱组分为GaAs0.64Sb0.36/GaAs、阱宽为7nm时,器件的阈值电流为0.8m A,斜率效率为0.017W/A。当输入电流为8m A时,输出功率达到0.12m W。
何斌太刘国军魏志鹏安宁刘鹏程刘超王旭
关键词：垂直腔面发射激光器阈值电流斜率效率
形貌依赖的ZnO阴极射线发光性质研究被引量：2
2014年
采用溶剂热法,通过调节水和乙醇混合液的比例制备了多种形貌的ZnO微米结构。利用扫描电子显微镜(SEM)对ZnO微米结构的形貌及尺寸进行了观察。采用可以实现纳米级微观区域光谱采集的阴极射线发光(CL)技术,对不同形貌的单个粒子的光谱进行精细表征,获得了位置依赖的ZnO阴极射线发光数据。实验结果表明:ZnO材料的发光性质与形貌有关,由于形貌差异导致其局部结晶质量、界面缺陷、表面电荷分布、表面晶面等方面的差异,几种因素共同作用决定其最终的发光性质。
吕珊珊楚学影王记萍方芳李金华方铉魏志鹏王晓华
关键词：ZNO阴极射线发光形貌
退火温度对原子层沉积法制备ZnMgO薄膜结构和光学性能的影响被引量：3
2014年
针对目前关于退火温度对原子层沉积法(ALD)制备ZnMgO薄膜晶体结构和光学性质影响鲜有报道的现象,进行了相应的实验研究分析。采用ALD在石英衬底上制备ZnMgO合金薄膜,对制得的样品在空气中进行不同温度的退火处理。利用X射线多晶衍射仪(XRD)、光致发光谱(PL)和紫外可见(UV-Vis)吸收光谱测试,系统的分析了不同退火温度对ALD法制备ZnMgO薄膜晶体结构和光学性能的影响。XRD测试结果表明:退火温度为600℃时,薄膜的晶体质量得到改善,且(100)衍射峰的强度明显增强。结合PL和UV-Vis吸收光谱的测试分析得出:退火温度为600℃时,能明显促进薄膜中Mg组分的增加使薄膜的禁带宽度进一步增大。从而说明适当温度的退火处理可有效的改善ZnMgO薄膜的晶体质量及光学特性。
孙冬晓李金华方铉陈新影方芳楚学影魏志鹏王晓华
关键词：原子层沉积ZNMGO薄膜退火温度
氯离子对氧化锌纳米棒表面形貌的影响研究
2013年
通过在反应溶液及后续处理中分别添加氯离子的方式,即采用水热法在生长氧化锌纳米材料的反应溶液中添加氯离子、在水热法制得氧化锌纳米棒后进行氯离子腐蚀。通过对样品的表征测试与分析,得到氯离子在氧化锌生长过程中会直接影响到纳米结构的形貌,结构和光学性质的结论。
王兴李金华方芳方铉楚学影
关键词：氧化锌纳米棒水热法氯离子
PEALD沉积温度对AlN的结构和表面特性的影响（英文）被引量：2
2016年
研究通过等离子增强原子层沉积（PEALD）在不同沉积温度下生长的A1N温度对其特性的影响。前驱体是NH3和TMA，在300oC、350oC和370oC沉积温度下分别沉积了200、500、800、1000、1500周期的A1N层，并讨论了A1N薄膜的生长速率、结晶化和表面粗糙度。结果表明，在300—370℃范围内，随着温度的上升薄膜的沉积速率和结晶化增加，而薄膜表面粗糙度减小。
陈芳方铉王双鹏牛守柱方芳房丹唐吉龙王晓华刘国军魏志鹏
关键词：氮化铝生长速率结晶化沉积温度
柔性衬底上AZO薄膜的生长及表征被引量：1
2013年
用原子层沉积方法在柔性PET衬底上制备了AZO(掺铝氧化锌)薄膜,研究了Al的掺杂对ZnO薄膜的形貌,光学性能和电学性能的影响,结果表明:当掺杂量约为3%的AZO薄膜表面比较平整,晶粒分布比较均匀,薄膜仍具有纤锌矿晶体结构,由于掺杂所引入的应力使得薄膜的C轴取向性有所退化;PL光谱表明,与带边相关的激子发射谱没有明显变化,但与缺陷相关的发光明显增强。同时HALL测试得到AZO薄膜载流子浓度相比ZnO薄膜提高了大约一个数量级(3%Al掺杂时,为3.62X1020),但迁移率有所降低(3%Al掺杂时为9.66cm2V-1S-1)。
李晓妮方铉陈新颖方芳魏志鹏李金华楚学影
关键词：ALDZNO薄膜柔性衬底
碳量子点的合成、性质及其应用被引量：24
2015年
碳量子点(CQDs,C-dots or CDs)是一种新型的碳纳米材料,尺寸在10nm以下,具有良好的水溶性、化学惰性、低毒性、易于功能化和抗光漂白性、光稳定性等优异性能,是碳纳米家族中的一颗闪亮的明星。自从2006年[1]报道了碳量子点(CQDs)明亮多彩的发光现象后,世界各地的研究小组开始对CQDs进行了深入的研究。最近几年的研究报道了各种方法制备的CQDs在生物医学、光催化、光电子、传感等领域中都有重要的应用价值。这篇综述主要总结了关于CQDs的最近的发展,介绍了CQDs的合成方法、表面修饰、掺杂、发光机理、光电性质以及在生物医学、光催化、光电子、传感等领域的应用。
李婷唐吉龙方芳房丹方铉楚学影李金华王菲王晓华魏志鹏
关键词：光致发光生物成像光催化
1.3μm InGaAsSb/GaAsSb量子阱激光器有源区结构设计被引量：3
2015年
为了研制满足光纤通讯需求的高性能半导体激光器,对压应变In Ga As Sb/Ga As Sb量子阱激光器有源区进行了研究。根据应变量子阱能带理论、固体模型理论和克龙尼克-潘纳模型,确定了激射波长与量子阱材料组分及阱宽的关系。基于Lastip软件建立了条宽为50μm、腔长为800μm的半导体激光器仿真模型,模拟器件的输出特性,讨论了量子阱个数对器件光电特性的影响。结果表明:当量子阱组分为In0.44Ga0.56As0.92Sb0.08/Ga As0.92Sb0.08、阱宽为9 nm、量子阱个数为2时,器件的性能达到最佳,阈值电流为48 m A,斜率效率为0.76 W/A。
何斌太刘国军魏志鹏刘超安宁刘鹏程王旭
关键词：半导体激光器
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