广东省科技计划工业攻关项目(2010B010800013)
- 作品数：7 被引量：8H指数：2
- 相关作者：王新中李世国张卫丰于广辉谢华更多>>
- 相关机构：深圳信息职业技术学院中国科学院更多>>
- 发文基金：广东省科技计划工业攻关项目广东省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学电气工程自动化与计算机技术更多>>
- 全息干涉法制备的光子晶体带隙特性研究
- 2013年
- 提出了一种利用两次曝光的全息干涉技术提高光子晶体全带隙的方法,通过两次曝光可以适当调整晶格中介质柱的大小和形状,并可以改变光子晶体的对称性,有效地提高光子能带性质。以两种混合三角光子晶体结构为例进行计算,研究表明经过适当优化的结构在很宽的系统参数范围内有全光子带隙存在,并通过引入线缺陷模拟验证了全带隙的存在。
- 沈晓霞王新中周志文
- 关键词：全息干涉光子晶体光子带隙
- 基于IR2136智能功率模块电路的设计被引量：4
- 2011年
- 设计了一种基于IR2136的智能功率模块电路,介绍了驱动芯片IR2136的性能特点,给出了主电路的设计,并用PSpice软件对设计电路进行了仿真验证,结果证明了电路设计的可行性。
- 张卫丰王瑞春王新中谢华
- 关键词：自举PSPICE
- GaN衬底上纳米点阵列的制备及其应用研究被引量：2
- 2011年
- 研究了纳米掩膜在材料外延生长及器件制备中的应用。通过电化学腐蚀和电子束蒸发方法在GaN表面生成Ni和SiO2纳米点阵列,经过等离子体刻蚀在Ni/GaN模板上形成GaN纳米锥形结构;利用氢化物气相外延(HVPE)方法,在SiO2/GaN模板上制备厚膜GaN材料。X射线衍射(XRD)和光致发光(PL)谱测试表明,SiO2纳米点阵能有效阻挡衬底中位错往上延伸,大大降低外延层中位错密度,并有利于厚膜GaN中应力释放。
- 王新中于广辉李世国
- 关键词：GAN
- 智能家电远程控制的研究被引量：2
- 2011年
- 研制了智能家电的手机控制系统,能通过手机短消息控制家庭内的各种家电的开关。在控制系统中植入手机SIM卡,并在PC机中设置可接收手机号码以及短消息的形式。在SIM卡收到消息后,将消息串行送入单片机中,单片机内根据收到消息通过红外传输将电开关控制指令传送至另一单片机,该单片机控制着家电继电器开关,通过继电器的控制实现家电的断开与闭合。
- 余柏林曾欣王新中
- 关键词：智能家电手机单片机
- GaN基板上超薄阳极氧化铝的制备
- 2011年
- 在草酸溶液中对GaN基板上超薄Al膜进行阳极氧化,结合扫描电镜对阳极氧化铝形貌进行表征,系统研究了超薄Al膜的腐蚀条件和氧化过程,以及Al膜的厚度,反应变化时间和实验难度系数之间的关系。多孔状阳极氧化铝的孔径、分布及有序度等对氧化电压、氧化时间、电解液温度和溶液浓度等参数较为敏感。通过深层次的机理分析,给出了相应的合理解释。在此基础上,优化了超薄阳极氧化铝的制备参数,提升了实验的稳定性及重复性,促进了阳极氧化铝在GaN材料和器件中的应用。
- 王新中于广辉李世国
- 关键词：氮化镓阳极氧化铝铝电化学超薄
- 氮化镓晶体刻蚀损伤及其回复方法研究
- 2011年
- 干法刻蚀中高能量等离子体轰击将不可避免地在氮化镓材料表面引起损伤,这些表面损伤可能会严重影响氮化镓(GaN)材料质量和器件的性能。本文研究了干法刻蚀对GaN晶体表面粗糙度、光学特性和电学性能影响,同时分析了刻蚀损伤的回复方法,并给出了相应机理解释。
- 王新中李世国
- 关键词：氮化镓干法刻蚀
- 共享型校企合作模拟电子技术课程开发
- 2012年
- 阐述了共享型校企合作模拟电子技术课程开发的目的与意义,提出了共享型校企合作课程开发的依据,给出了共享型校企合作模拟电子技术课程教学项目,并提出了共享型校企合作课程开发的原则,实践证明,共享型校企合作课程开发效果良好,为高职教育的课程改革提供了有益借鉴。
- 张卫丰
- 关键词：模拟电子技术项目教学
