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国家科技重大专项(2009ZX01031-002-003-02)

作品数:2 被引量:1H指数:1
相关作者:唐长文张艺武王俊宇黄兆磊卢磊更多>>
相关机构:复旦大学更多>>
发文基金:国家科技重大专项国家科技部科技人员服务企业行动项目国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇低噪
  • 1篇低噪声
  • 1篇小数分频
  • 1篇小数分频器
  • 1篇分频
  • 1篇分频器
  • 1篇TV
  • 1篇LDO
  • 1篇LDO设计
  • 1篇TUNER

机构

  • 2篇复旦大学

作者

  • 2篇唐长文
  • 1篇王俊宇
  • 1篇卢磊
  • 1篇黄兆磊
  • 1篇张艺武

传媒

  • 1篇复旦学报(自...
  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 1篇2013
  • 1篇2011
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
具有量化噪声抑制的小数分频器
2011年
介绍了一款用于分数分频频率综合器的具有量化噪声抑制功能的小数分频器。使用4/4.5双模预分频器,将分频步长降为0.5,使带外相位噪声性能提高6 dB。ΣΔ调制器和分频器的配合使用一种非常简单的编程方式。采用同步电路消除异步分频器的抖动。采用该分频器的频率综合器在SMIC 0.18μm RF工艺下实现,芯片面积为1.47 mm×1 mm。测试结果表明,该频率综合器可以输出1.2~2.1 GHz范围的信号。测试的带内相位噪声小于-97 dBc/Hz,在1 MHz频偏处的带外相位噪声小于-124 dBc/Hz。在1.8 V的电源电压下,消耗的电流为16 mA。
黄兆磊卢磊唐长文
关键词:分频器
应用于TV Tuner的片上LDO设计被引量:1
2013年
给出了一种应用于电视调谐器(TV Tuner)中的片上低压差线性稳压器(LDO)的设计方案.分别设计了一个瞬态增强型的LDO和一个低噪声高电源抑制比(PSR)的LDO,芯片在0.18μm CMOS工艺下流片,面积分别为0.014mm2与0.045mm2.瞬态增强LDO在负载从0变化到30mA时,输出动态电压变化为100mV;低噪声高PSR LDO 100Hz到100kHz的积分噪声为9.2μV,PSR在1kHz处为-80dB,在1MHz下为-46dB.
张艺武王俊宇唐长文
关键词:TVTUNER低噪声
共1页<1>
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