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江苏省科技成果转化专项资金(BA2007018)

作品数:2 被引量:7H指数:1
相关作者:高海翔徐申孙伟锋何晓莹郭敏年更多>>
相关机构:东南大学更多>>
发文基金:江苏省科技成果转化专项资金更多>>
相关领域:电气工程更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电气工程

主题

  • 1篇电路
  • 1篇电路研究
  • 1篇驱动控制
  • 1篇零电压
  • 1篇零电压开关
  • 1篇寄生参数
  • 1篇变换器
  • 1篇ZVS

机构

  • 2篇东南大学

作者

  • 2篇孙伟锋
  • 2篇徐申
  • 2篇高海翔
  • 1篇何晓莹
  • 1篇郭敏年

传媒

  • 1篇东南大学学报...
  • 1篇电力电子技术

年份

  • 2篇2010
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
非对称ZVS Zeta变换器及其驱动控制电路研究
2010年
针对一种非对称零电压开关(ZVS)Zeta变换器,通过分析它在连续导电模式(CCM)模式下的各工作状态,论述了其获得ZVS特性的原理,并进行了稳态公式的推导。在此基础上,提出了一种适用于该变换器特点的新型驱动控制电路,包括互补PWM信号产生电路、功率MOS管栅浮置驱动电路、适用于高压输出的采样反馈电路。将该变换器及其控制驱动电路应用于200 V/1.5 A输出的实际电源中,测试结果很好地验证了所述内容的正确性和可行性。
徐申高海翔郭敏年孙伟锋
关键词:变换器零电压开关
基于CdV/dt现象分析的功率MOS管建模被引量:7
2010年
为了改善功率MOS管及其驱动电路在高频开关状态下,功耗与可靠性等性能上的恶化问题,分析了此类电路中由于CdV/dt现象所导致的寄生效应.首先考虑功率MOS管及驱动电路的主要寄生参数,详细分析了CdV/dt现象产生的机理.在此基础上,采用状态方程的建模方法,提取关键电压与电流参数作为状态变量,建立并有效验证了一种功率MOS管的数学分析模型.通过对此模型的仿真,发现CdV/dt现象会带来栅极耦合电压、穿通电流、漏极振荡等不良寄生效应.同时对各种寄生参数与效应间的关系进行了分析.最后,根据仿真分析结果,给出了电路的优化设计方法.实际电路的测试结果证明,该功率MOS管模型与驱动电路的优化方法在CdV/dt现象分析与改善上具有明显作用.
徐申高海翔何晓莹孙伟锋
关键词:寄生参数
共1页<1>
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