国家自然科学基金(60577022)
- 作品数：7 被引量：14H指数：3
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- SiO/SiO2超晶格结构界面发光的研究
- 2009年
- 利用热蒸发技术在硅衬底上制备了层厚不同的SiO/SiO2超晶格样品。对其光致发光谱进行研究发现,随着SiO/SiO2超晶格中SiO层厚度的增加,发光峰在400～600nm之间移动。研究表明,样品的发光中心来自于SiO/SiO2界面处的缺陷发光(界面态发光)。即在样品沉积的过程中,在SiO/SiO2的界面处由于晶格的不连续性,会形成大量的Si—O悬挂键,这些悬挂键本身相互结合可以形成一定数量的缺陷,同时由于O原子容易脱离Si原子的束缚而产生扩散,因此,这些悬挂键可以与扩散的O原子结合,随着SiO层厚度的增加,在SiO/SiO2的界面处先后出现WOB(O3≡Si—O—O.),NOV(O3≡Si—Si≡O3),E′中心(O≡Si.),NBOHC(O3≡Si—O.)等缺陷,这些缺陷在SiO层厚度增大的过程中对发光先后起到主导作用,从而使得发光峰产生红移。
- 王申伟衣立新何桢胡峰王永生
- 关键词：超晶格界面态光致发光
- 氢钝化对硅纳米晶发光强度的影响被引量：5
- 2008年
- 通过热蒸发方法在单晶硅衬底上沉积了SiO/SiO2超晶格样品,在氮气保护下对样品进行高温退火,得到硅纳米晶/SiO2超晶格结构。随后将该结构样品分别注入3.0×1014和3.0×1015cm-2两种剂量的H+。通过对样品的光致发光光谱的分析发现,H+注入后未经过二次退火的样品发光强度急剧下降;二次退火后的样品,随着退火温度的升高,发光强度逐渐增强;注入足够剂量的H+,其发光强度可以远远超过未注入时的发光强度。研究表明,样品发光强度的变化取决于样品内部缺陷面密度的改变,而缺陷面密度是由氢离子的注入剂量和注入后再退火的温度等因素决定的。
- 陈恩光衣立新王申伟刘尧平苏梦蟾唐莹王永生
- 关键词：超晶格硅纳米晶
- 溅射气氛和退火方式对硅纳米晶的形成及发光特性的影响被引量：5
- 2009年
- 利用磁控溅射技术溅射硅靶,通过调节溅射气氛在硅衬底上生长了S iO/S iO2超晶格,热退火处理后超晶格中的S iO发生相分离得到硅纳米晶。通过比较不同退火方式对于硅纳米晶的形成的影响发现,管式炉退火处理的样品给出非常强的室温光致发光,其发光峰的峰位随着硅纳米晶尺寸的增大而红移,且管式炉退火比快速热退火更有利于硅纳米晶的形成。
- 胡峰衣立新王申伟高华何桢
- 关键词：硅纳米晶超晶格磁控溅射热退火
- 氟磷共掺杂二氧化硅光纤预制棒的表面晶化
- 2009年
- 对F、P共掺杂光纤预制棒退火后的表面晶化行为进行了研究.由改进的化学汽相沉淀法制备的氟和磷共掺杂二氧化硅光纤预制棒玻璃样品在6h的1150℃控温加热处理后,其表面发生晶化.用X-射线衍射仪观测其晶相,主要为α-方石英,可使玻璃具有二阶光学非线性;用光学显微镜观察了其表面形貌并对结晶微粒的大小进行测量,知晶粒大小在十几到几十μm之间,会造成散射损耗的增加.实验结果,还显示氟对结晶过程有很大的影响.
- 戎根苗唐莹衣立新吕燕伍安宏林
- 磁控溅射法沉积SiNx非晶薄膜的生长机制及结构分析被引量：4
- 2009年
- 利用磁控溅射技术在单晶Si衬底上沉积了SiNx非晶薄膜。样品的傅里叶变换红外吸收光谱(FTIR)显示,SiNx非晶薄膜在812～892cm-1范围内存在一个较强的吸收谱带。该吸收谱带对应于Si—N—Si键的伸缩振动吸收(Stretching vibration mode),其吸收峰峰位随着溅射功率的增大明显红移;但退火后,该吸收峰又逐渐蓝移。结合中心力模型和自由结合模型,分析了磁控溅射过程中SiNx非晶薄膜的生长机制和内部结构。研究认为,随着溅射功率的提高,薄膜中先后形成Si-N4四面体,Si—N—Si3,Si-N2-Si2及Si-N3-Si等结构,这几种结构分别对应着Si—N—Si键的不同模式的振动吸收。随着退火温度的升高,分子热运动逐渐加剧,非晶SiNx薄膜发生相分离,生成Si3N4和Si纳米晶颗粒,因此,Si—N—Si键的吸收峰逐渐向Si3N4的特征振动吸收峰位870cm-1靠近。
- 邬洋衣立新王申伟杜玙璠黄圣冀国蕊王永生
- 关键词：磁控溅射傅里叶变换红外光谱
- Ce^3＋注入对不同尺寸的nc-Si/SiO2超晶格发光特性的影响被引量：3
- 2009年
- 通过电子束蒸发方法以及高温退火处理,得到nc-Si/SiO2超晶格。将样品分别注入剂量为2.0×1014cm-2和2.0×1015cm-2的Ce3+,再对其进行二次退火处理,获得多组样品。通过对样品光致发光光谱的分析发现,样品发光强度的变化不仅受到Ce3+注入剂量的影响,而且也受到nc-Si颗粒大小的影响。在相同注入计量和相同的二次退火处理温度下,nc-Si颗粒较大的样品经Ce3+注入后其发光强度增强较为明显。
- 杜玙璠衣立新王申伟邬洋
- 关键词：超晶格硅纳米晶光致发光
- Ce^(3+)注入对超晶格中硅纳米晶光致发光强度的影响被引量：1
- 2009年
- 研究了铈离子注入和二次退火等因素对硅纳米晶(nc-Si)发光强度的影响。利用电子束蒸发以及高温退火得到nc-Si/Si O2超晶格结构。随后将该结构样品分别注入2.0×1014cm-2和2.0×1015cm-2剂量的铈离子(Ce3+),再分别以不同温度对其进行二次退火,获得多种样品。通过对样品光致发光光谱的分析发现,Ce3+注入后未经过二次退火的样品发光强度急剧下降。二次退火后的样品,随着退火温度的升高,样品的光致发光强度逐渐增强,但当温度超过600℃时,发光强度反而下降,600℃为二次退火的最佳退火温度。注入适当剂量的Ce3+,其发光强度可以超过未注入时的发光强度,Ce3+的注入存在饱和剂量。研究表明,样品发光强度的变化受到铈离子注入剂量和注入后二次退火温度等因素的影响,并且存在着Ce3+到nc-Si的能量传递。
- 杜玙璠衣立新王申伟邬洋
- 关键词：超晶格硅纳米晶铈离子注入光致发光
