山东省自然科学基金(ZR2009GQ011)
- 作品数：12 被引量：38H指数：3
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- 相关机构：山东理工大学西南技术物理研究所更多>>
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- 相关领域：理学电子电信化学工程更多>>
- 靶与衬底之间的距离对ZnO∶Zr透明导电薄膜性能的影响被引量：1
- 2010年
- 利用直流磁控溅射法在室温玻璃衬底上制备出了可见光透过率高、电阻率低的掺锆氧化锌(ZnO∶Zr)透明导电薄膜。并系统地研究了靶与衬底之间的距离对ZnO∶Zr薄膜结构、形貌、光学及电学性能的影响。实验结果表明,靶与衬底之间的距离对ZnO∶Zr薄膜的生长速率、结晶质量及电学性能有很大影响,而对其光学性能影响不大。实验制备的ZnO∶Zr为六方纤锌矿结构的多晶薄膜,且具有垂直于衬底方向的c轴择优取向。当靶与衬底之间的距离从60 mm减小到50 mm时,薄膜的晶化程度提高、晶粒尺寸增大,薄膜的电阻率减小;然而,当距离继续减小时,薄膜的晶化程度降低、晶粒尺寸减小,薄膜的电阻率增大。当靶与衬底之间的距离为50 mm时,薄膜的电阻率达到最小值4.2×10-4Ω.cm,其可见光透过率超过95%。实验制备的ZnO∶Zr薄膜可以用作薄膜太阳能电池和液晶显示器的透明电极。
- 张化福陈钦生刘汉法
- 关键词：透明导电薄膜磁控溅射
- 衬底偏压对ZnO:Zr薄膜结构及光电性能的影响
- 2012年
- 以Zn:Zr(Zr片贴在金属Zn靶上面)为溅射靶材,利用直流反应磁控溅射法在Ar/O2混合气氛中制备Zr掺杂ZnO(ZnO:Zr)薄膜.在制备ZnO:Zr薄膜时,衬底偏压在0～60V之间变化.研究结果表明,衬底偏压对薄膜的结构、光学及电学性能有很大影响.当衬底偏压从0增大到60V时,薄膜的平均光学透过率和平均折射率都单调增大,而薄膜的晶粒尺寸先增大后减小.ZnO:Zr薄膜电阻率的变化规律与晶粒尺寸相反.
- 张化福
- 关键词：反应磁控溅射
- NZO透明导电薄膜的制备及其性能研究
- 2012年
- 室温下,采用直流磁控溅射法,在玻璃衬底上制备出Nb掺杂ZnO(NZO,ZnO:Nb)透明导电薄膜。研究了靶与衬底之间的距离对NZO薄膜结构、形貌、光学及电学性能的影响。实验结果表明,不同靶基距下制备的NZO薄膜均为c轴择优取向生长,(002)衍射峰的强度随着靶基距的减小而增大。靶基距增大时,薄膜表面逐步趋向平整光滑、均匀致密,薄膜的厚度逐渐减小。在靶基距为60mm时,制备的薄膜厚为355.4nm,电阻率具有最小值(6.04×10-4Ω.cm),在可见光区的平均透过率达到92.5%,其光学带隙为3.39eV。
- 周爱萍刘汉法高金霞张化福
- 关键词：透明导电薄膜磁控溅射
- 溅射功率对铝铬共掺杂氧化锌透明导电薄膜特性的影响(英文)被引量：2
- 2011年
- 室温下,利用直流磁控溅射法在玻璃衬底上制备了铝铬共掺杂氧化锌薄膜,研究了溅射功率(55-130 W)对薄膜结构、残余应力、表面形貌及其光电性能的影响。结果表明,ZnO(002)衍射峰的强度随着溅射功率的增大而增强,晶体结构得以改善。晶格常数、压应力和电阻率均随着溅射功率的增大而减小。当溅射功率为130 W时,制备的ZnO∶Al,Cr薄膜的最低电阻率可达1.09×10-3Ω.cm。功率由55 W增大到130 W时,光学带隙由3.39 eV增大到3.45 eV。紫外-可见透射光谱表明,所有薄膜在可见光范围内平均透过率均超过89%。
- 周爱萍张化福刘汉法
- 关键词：溅射功率磁控溅射
- ZnAl_2O_4:Mn纳米晶的红-绿发光被引量：2
- 2012年
- 利用溶胶-凝胶法制备了掺杂1.5%锰离子的ZnAl2O4晶体,通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)以及荧光光谱仪对样品的结构和光致发光(PL)性能进行测试分析。结果表明,随着烧结温度的升高,晶体的X射线衍射峰逐渐增强,晶体结构得以改善。当受到427nm的激光源激发时,晶体会发射出峰值为512nm的绿光和680nm的红光。绿光是由Mn2+的4 T1→6 A1跃迁引起的,而红光是源于4价锰离子。在还原气氛下,烧结温度由600℃上升到900℃时,红光发射峰强度降低并继而消失,而绿光发射峰的强度逐渐增强。
- 周爱萍张化福臧永丽
- 关键词：溶胶-凝胶法光致发光
- 直流磁控溅射法制备铝铬共掺杂氧化锌薄膜及其结构和光电性能的研究被引量：1
- 2010年
- 利用直流磁控溅射法在玻璃衬底上制备了铝铬共掺杂氧化锌（ZACO）透明导电薄膜。通过X射线衍射（XRD）和扫描电镜（SEM）等表征方法对薄膜特性进行测试分析,研究了溅射压强和溅射功率对薄膜生长速率以及光电特性的影响。结果表明,随着溅射气压（1.5-4.5 Pa）的增大,薄膜沿c轴方向的结晶质量提高,薄膜表面更加致密,晶粒大小更加均匀。薄膜生长率随压强的增大而减小,但电阻率先减小后增大。当溅射功率由80 W增大到100 W时,薄膜的生长速率增大,电阻率减小。溅射压强为3.5 Pa,溅射功率为100 W时,薄膜的电阻率达到最小值2.574×10-3Ω.cm。紫外-可见透射光谱表明,所有薄膜在可见光区的透过率均超过89.9%。
- 周爱萍刘汉法张化福
- 关键词：溅射压强溅射功率透明导电薄膜
- ZnO∶Nb透明导电薄膜的制备及光电特性研究被引量：12
- 2013年
- 采用直流磁控溅射法在玻璃衬底上沉积铌掺杂氧化锌(NZO)透明导电薄膜。通过X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)以及透射光谱等测试研究了溅射功率对薄膜结构、形貌以及光电性能的影响。实验结果表明NZO薄膜是多晶膜,具有ZnO的六角纤锌矿结构,最佳取向为(002)方向。溅射功率从40W增加到80W时,薄膜的电阻率迅速下降;功率超过80W时,电阻率趋于平稳。在溅射功率为100W时,电阻率具有最小值5.89×10-4Ω.cm,光学带隙具有最大值3.395eV。实验制备的NZO薄膜附着性能良好,在可见光范围内的平均透过率均超过86.6%。
- 周爱萍刘汉法臧永丽
- 关键词：溅射功率透明导电薄膜磁控溅射
- 薄膜厚度对Mn-W共掺杂ZnO透明导电薄膜性能的影响被引量：2
- 2011年
- 利用直流磁控溅射法在低温玻璃衬底上制备了高导电透明的Mn-W共掺杂ZnO(ZMWO)薄膜,并研究了厚度对薄膜结构、光学及电学性能的影响。X射线衍射结果表明ZMWO均为六方纤锌矿结构的多晶薄膜,具有垂直于衬底方向的c轴择优取向。薄膜厚度对ZMWO薄膜的晶化程度、电阻率和方块电阻有很大影响。当薄膜厚度从97 nm增大到456 nm时,ZMWO薄膜的晶化程度提高,而电阻率和方块电阻减小。当厚度为456 nm时,所制备ZMWO薄膜的电阻率达到最小,其值仅为8.8×10-5Ω.cm,方块电阻为1.9Ω/□。所有薄膜样品在可见光区的平均透过率都较高,其值约为89%。当薄膜厚度从97 nm增大到456 nm时,光学带隙从3.41 eV增大到3.52 eV。
- 张化福刘瑞金刘汉法
- 关键词：薄膜厚度透明导电薄膜磁控溅射
- 衬底温度对直流磁控溅射法制备掺锆氧化锌透明导电薄膜性能的影响(英文)被引量：11
- 2010年
- 利用直流磁控溅射法在石英衬底上制备出了高透明导电的掺锆氧化锌(ZnO:Zr)薄膜。研究了衬底温度对ZnO:Zr薄膜结构、形貌及光电性能的影响。XRD表明实验中制备的ZnO:Zr为六方纤锌矿结构的多晶薄膜,具有垂直于衬底方向的c轴择优取向。实验所制备ZnO:Zr薄膜的晶化程度和导电性能对衬底温度有很强的依赖性。当衬底温度为300℃时,ZnO:Zr薄膜具有最小电阻率7.58×10-4Ω.cm,其可见光平均透过率超过了91%。
- 张化福刘瑞金刘汉法陈钦生王新峰梅玉雪
- 关键词：衬底温度直流磁控溅射
- 透明导电薄膜ZnO∶Mn的低温制备及性能研究被引量：1
- 2011年
- 利用直流磁控溅射法在室温玻璃衬底上制备出了可见光透过率高、电阻率低的掺锰氧化锌(ZnO∶Mn)透明导电薄膜。实验制备的ZnO∶Mn为六方纤锌矿结构的多晶薄膜,且具有垂直于衬底方向的c轴择优取向。实验结果表明,靶与衬底之间的距离对ZnO∶Mn薄膜的生长速率、残余应力及电学性能有很大影响,而对薄膜的晶粒尺寸和光学性能影响不大。考虑薄膜的电学、光学及力学性能,认为靶与衬底之间的最佳距离为7.0 cm。在此条件下制备的ZnO∶Mn薄膜的电阻率达到4.2×10-4Ω.cm,可见光透过率为86.6%,而残余应力仅为-0.025 GPa。
- 张化福杨书刚王永在郭红刘汉法
- 关键词：透明导电薄膜应力
