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河南省高校科技创新团队支持计划(2012IRTSTHN014)

作品数:5 被引量:22H指数:4
相关作者:蒋志强魏永强文振华田修波刘建伟更多>>
相关机构:郑州航空工业管理学院哈尔滨工业大学郑州信息科技职业学院更多>>
发文基金:河南省高校科技创新团队支持计划中国航空科学基金河南省基础与前沿技术研究计划项目更多>>
相关领域:金属学及工艺一般工业技术自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 3篇金属学及工艺
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 4篇电弧离子镀
  • 4篇离子镀
  • 3篇大颗粒
  • 3篇TIN
  • 2篇占空比
  • 2篇脉冲偏压
  • 1篇点云
  • 1篇数据仿真
  • 1篇微观结构
  • 1篇系统开发
  • 1篇计算机
  • 1篇计算机应用
  • 1篇仿真
  • 1篇TI
  • 1篇TIALN
  • 1篇UG

机构

  • 5篇郑州航空工业...
  • 3篇哈尔滨工业大...
  • 1篇郑州信息科技...

作者

  • 4篇文振华
  • 4篇魏永强
  • 4篇蒋志强
  • 3篇田修波
  • 2篇刘建伟
  • 1篇尹欣
  • 1篇冯宪章
  • 1篇魏永辉
  • 1篇刘元朋
  • 1篇张艳霞

传媒

  • 2篇表面技术
  • 1篇机床与液压
  • 1篇热加工工艺
  • 1篇真空

年份

  • 2篇2015
  • 2篇2014
  • 1篇2013
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
脉冲偏压占空比对TiN/TiAlN多层薄膜微观结构和硬度的影响被引量:11
2014年
目的研究脉冲偏压占空比对TiN/TiAlN多层薄膜微观结构和硬度的影响规律。方法利用脉冲偏压电弧离子镀的方法,改变脉冲偏压占空比,在M2高速钢表面制备5种TiN/TiAlN多层薄膜,对比研究了薄膜的微观结构、元素成分、相结构和硬度的变化规律。结果 TiN/TiAlN多层薄膜表面出现了电弧离子镀制备薄膜的典型生长形貌,随着脉冲偏压占空比的增加,薄膜表面的大颗粒数目明显减少。此外,脉冲偏压占空比的增加还引起多层薄膜中Al/Ti原子比的降低。结论 TiN/TiAlN多层薄膜主要以(111)晶面择优取向生长,此外还含有(311),(222)和(200)晶相结构。5种多层薄膜的纳米硬度均在33GPa以上,当脉冲偏压占空比为20%时,可实现超硬薄膜的制备。
魏永强张艳霞文振华蒋志强冯宪章
关键词:TINTIALN电弧离子镀微观结构
基于UG的点云测量数据仿真系统开发
2015年
分析了现代测量技术中点云测量数据获取的局限性问题,运用UG软件的曲线曲面造型、分析、计算、查询等功能,通过UG软件的开发工具,直接调用UG软件内部函数,编写了"曲面点云仿真"、"曲线点云仿真"、"点云属性提取"等程序,仿真各种类型点云测量数据。经实践证明,所开发的仿真程序具有灵活、有效等特性,为测量精度分析、反求建模等相关技术研究提供一种新的思路和方法。
刘元朋刘建伟尹欣文振华
关键词:计算机应用点云仿真
大颗粒缺陷在电弧离子镀所制备薄膜中的分布状态研究被引量:7
2013年
针对电弧离子镀制备薄膜产生的大颗粒问题,本文主要研究了大颗粒在薄膜中的分布状态。根据大颗粒尺寸和薄膜厚度之间的比例关系,将其划分为三种类型:表面缺位型、镶嵌型和完全贯穿型,其中镶嵌型又划分为表面镶嵌型、中间镶嵌型、镶嵌生长型和重叠镶嵌型等四种类型,并对其形成原因分别进行了分析。
魏永强文振华蒋志强田修波
关键词:电弧离子镀大颗粒
放置方向和沉积时间对Ti大颗粒分布状态的影响被引量:4
2014年
目的研究基体表面和靶表面不同放置方向以及沉积时间对Ti大颗粒形貌和分布规律的影响。方法利用电弧离子镀方法在基体上制备TiN薄膜,采用扫描电子显微镜观察TiN薄膜的表面形貌,利用ImageJ图像软件对TiN薄膜表面中Ti大颗粒的数目和尺寸进行分析。结果靶基间距保持25cm,当基体表面与靶表面垂直放置时。薄膜表面的大颗粒数目和所占面积比比平行放置时要少,同时出现了典型的长条状大颗粒:随着沉积时间从5min增加到50min,大颗粒数目和所占面积比出现先减小后增加的趋势。结论选择基体表面与靶表面垂直放置,沉积时间为30~40min时,薄膜的沉积厚度和减少大颗粒缺陷可以兼顾。
魏永强魏永辉蒋志强田修波
关键词:电弧离子镀TIN大颗粒
脉冲偏压占空比和放置状态对大颗粒分布规律的影响被引量:6
2015年
利用电弧离子镀方法在201不锈钢基体上制备了Ti N薄膜,研究了脉冲偏压占空比和基体放置状态对大颗粒形貌和分布规律的影响。采用扫描电镜观察了Ti N薄膜的表面形貌,利用Image J图像软件对Ti大颗粒的数目和尺寸进行了分析。结果表明:在工艺参数相同情况下,转动时Ti N薄膜表面的大颗粒数目较多;随脉冲偏压占空比的增大,薄膜表面的大颗粒数目迅速降低,当占空比为40%时,大颗粒所占的面积比达到最小值,分别为静止时的1.9%和转动时的6.8%,为最佳的占空比值。
魏永强刘建伟文振华蒋志强田修波
关键词:电弧离子镀TIN脉冲偏压大颗粒占空比
共1页<1>
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