国家自然科学基金(10876032)
- 作品数：10 被引量：15H指数：2
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- 相关机构：西南科技大学中国工程物理研究院更多>>
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- 相关领域：理学化学工程更多>>
- 氧化铝基体表面预处理对金刚石薄膜生长的影响被引量：1
- 2009年
- 采用微波等离子体化学气相沉积方法,在经不同预处理的氧化铝衬底上沉积金刚石薄膜。用X射线衍射仪、激光拉曼光谱仪、扫描电镜(SEM)对所得薄膜的成分、物相纯度和表面形貌进行表征,比较不同的预处理方式对金刚石薄膜生长的影响。结果表明,基体表面经过熔融碱腐蚀后形成薄膜的膜基结合良好且膜材质量最佳,但表面平整度较低;而基体只经金刚石微粉乙醇悬浊液超声处理则在沉积时金刚石容易成膜,且结构要更为致密;在经过酸腐蚀的基体上沉积金刚石薄膜时,容易在薄膜与基体之间先形成过渡层,而后才进行金刚石薄膜的沉积。所得结果表明熔融碱腐蚀处理是获得电学应用氧化铝基金刚石薄膜复合材料的最适宜的基体表面预处理。
- 孟祥钦王兵王玉乾甘孔银李凯王延平何婷
- 关键词：氧化铝金刚石薄膜MPCVD
- 掺氮N型纳米金刚石薄膜的电化学表面氢化及表征
- 2012年
- 针对掺氮N型纳米金刚石薄膜独特的结构特征,采用温和的电化学阴极表面极化处理成功实现了掺氮N型纳米金刚石薄膜的表面氢化。通过X射线光电子能谱(XPS)、表面接触角、电化学电容-电压分析、Raman光谱、扫描电子显微镜(SEM)表征,详细分析了阴极极化处理前后掺氮N型纳米金刚石薄膜的表面结构以及微观结构。结果表明,该阴极极化处理工艺不仅能够成功获得表面氢终止状态,而且对薄膜的微观结构尤其是晶界处sp2杂化态碳相无明显影响,说明该工艺是一种高效无损的掺氮N型纳米金刚石薄膜表面氢化工艺。
- 王东熊鹰王兵周亮叶勤燕陶波
- 关键词：氢化阴极极化微观结构
- 微波功率对掺氮纳米金刚石薄膜组成、结构及性能的影响被引量：1
- 2012年
- 以CH4和CO2作生长金刚石薄膜的反应气体,以Ar作载气将三聚氰胺甲醇饱和溶液带入沉积室内作氮掺杂源,用微波等离子体化学气相沉积法在单晶硅衬底上制备出掺氮纳米金刚石薄膜。通过拉曼光谱、原子力显微镜、霍尔效应研究了掺氮纳米金刚石薄膜的组成、结构和导电性能,重点研究了微波输入功率对薄膜特性的影响。结果表明,制备的掺氮纳米金刚石薄膜具有良好的电子导电性,且随着激发等离子体微波功率的增大,其晶粒尺寸、晶界宽度、表面粗糙度和电导率增大,在最佳微波功率条件下制备出电子电导率高、材料质量好的纳米金刚石薄膜。
- 王兵王延平熊鹰周亮叶勤燕
- 关键词：微波等离子体纳米金刚石薄膜电导率
- 氟塑料表面化学镀镍及镀层性能的研究
- 2011年
- 采用化学镀工艺在氟塑料表面成功获得了Ni-P镀层。通过扫描电镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、能谱分析仪(EDS)和电化学工作站对镍镀层的形貌、生长方式、组成、结构、耐腐蚀性和电化学阻抗进行分析表征。实验结果表明,镀层均匀、致密、性能良好。镀层明显改善了氟塑料膜的导电性。在200～250℃下进行热处理有利于提高镀层晶化程度,改善镀层导电性。通过静态腐蚀试验和电化学测试表明镀层耐腐蚀性良好。
- 张敏廖辉伟周远潘雅妹贾金等姜珊
- 关键词：化学镀氟塑料电化学阻抗耐腐蚀性
- 掺硼金刚石薄膜二次电子发射特性的研究被引量：1
- 2009年
- 掺硼金刚石薄膜具有负电子亲和势和良好的电子运输性能且容易制备,作为冷阴极材料在图像显示技术和真空技术等方面都有着巨大的应用价值,引起人们的注意。从二次电子发射的机理以及影响二次电子发射系数的因素等方面,对如何利用MPCVD法制备出高二次电子发射系数的掺硼金刚石薄膜进行了综述。论述表明通过合适的工艺条件,对薄膜表面进行适当的处理,是可以制备出高二次电子发射系数的阴极用金刚石薄膜的。
- 王玉乾王兵甘孔银李凯潘清黎明王延平
- 关键词：二次电子发射化学气相沉积
- 金刚石薄膜/氧化铝陶瓷复合材料的应用研究被引量：1
- 2010年
- 氧化铝陶瓷基片的广泛应用以及金刚石薄膜自身优异的物理化学性能,使得氧化铝基金刚石薄膜复合材料成为研究热点。阐述了这种复合材料不同的制备方法,综述了氧化铝基金刚石薄膜复合材料的性能,介绍了超纳米金刚石薄膜在氧化铝陶瓷基片上的应用研究,指出通过适当的基体表面预处理以及合适的工艺条件可以制备出不同用途的氧化铝基金刚石薄膜复合材料。
- 孟祥钦王兵甘孔银王延平何婷
- 关键词：氧化铝陶瓷金刚石薄膜化学气相沉积纳米材料
- 掺硼浓度对金刚石薄膜二次电子发射特性的影响被引量：1
- 2012年
- 掺硼金刚石薄膜具有负电子亲和势和良好的电子运输性能且容易制备,作为冷阴极材料在图像显示技术和真空技术等领域都存在巨大的应用价值,引起人们的广泛关注。采用MPCVD法利用氢气、甲烷和硼烷的混合气体,制备出不同浓度的掺硼金刚石薄膜。结果表明,掺硼浓度影响金刚石薄膜的物相结构、组织形貌,进而影响其二次电子发射性能,当硼烷的流量为4mL/min时,制备的金刚石薄膜质量最好,二次电子发射系数约为90。
- 叶勤燕王兵甘孔银李凯周亮王东
- 化学气相沉积法制备超纳米金刚石薄膜被引量：3
- 2009年
- 采用微波等离子体化学气相沉积法,利用CH4、SiO2和Ar的混合气体在单晶硅片基底上制备出高质量的超纳米金刚石薄膜。表征结果显示,制备的薄膜致密而均匀,晶粒平均尺寸约7.47nm,表面粗糙度约15.72nm,并且其金刚石相的物相纯度相对较高,是质量优异的超纳米金刚石薄膜材料。
- 王玉乾王兵孟祥钦甘孔银
- 关键词：微波等离子体纳米金刚石薄膜
- 不同反应气源对制备纳米金刚石膜的影响被引量：6
- 2010年
- 为确定两种典型的反应气源对制备纳米金刚石膜的影响,分别以CH4/Ar/H2及CH4/N2混合气体作为反应源,用微波等离子体化学气相沉积(MWPCVD)法制备纳米金刚石薄膜.XRD和Raman分析表明两种气源条件下得到的膜材均为金刚石多晶膜,但用CH4/N2气为反应源沉积的膜材中非金刚石相成分明显更多;AFM和SEM对照分析证实所有膜层的平均晶粒尺寸及表面粗糙度均在几十纳米量级,但CH4/N2气源沉积的膜中容易形成异常长大的晶粒,不利于表面质量的提高.研究结果表明,以CH4/Ar/H2混合气体作为反应气源可制备物相组成纯度更高、表面形态更为优越的纳米金刚石膜.
- 王兵熊鹰黎明李凯
- 关键词：化学气相沉积金刚石纳米膜气源
- 金刚石薄膜的强流脉冲发射特性被引量：1
- 2009年
- 采用微波等离子体化学气相沉积(MWPCVD)技术以不同气源在优化的工艺条件下制备不同类型的金刚石薄膜作为强流脉冲电子发射阴极材料,用SEM、AFM、FTIR和Ram an光谱分析不同金刚石薄膜的组成结构,用2 M eV直线感应型强流电子注入器平台检测强流脉冲发射特性。结果表明,不同类型的金刚石薄膜均具有较强的脉冲电子发射能力,发射电流密度均可达70 A/cm2以上;各膜材的发射电流密度和稳定性相差很大,相对而言,以Ar+CO2+CH4+B2H6制备的掺B微米金刚石薄膜能获得的初始电流最大,达到115 A/cm2,其多次脉冲发射稳定性也较好,波动范围在33%以内,且能保证发射电流密度均在84 A/cm2以上,是有希望的强流多脉冲电子发射阴极候选材料。
- 王兵夏连胜张篁张开志何婷叶勤艳
