北京市教委科技计划面上项目(KM201010011007)
- 作品数：1 被引量：0H指数：0
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- SiC(0001)(3~1/2×3~1/2)R30°结构的XPS分析
- 2010年
- 不断加热富硅SiC(0001)样品,分别用低能电子衍射(LEED)仪,扫描隧道显微镜(STM)观察,当加热到950℃时,出现SiC(0001)(3×3)R30°重构面的LEED和STM图样.利用X射线光电子能谱仪,记录发自SiC(0001)(3×3)R30°结构的角分辨X射线光电子能谱(XPS).采用最小二乘法,对内层能级的能量进行解旋,使其与实验数据拟合.分析实验结果,得出SiC(0001)(3×3)R30°结构中Si2p和C1s的能态结构,并与体内的Si2p和C1s的能态进行比较,得出表面Si2p态的能量漂移,进而发现SiC(0001)(3×3)R30°重构面仅由硅原子形成.
- 王秀娥章小丽洪正平徐昌贵
- 关键词：能态光电子能谱
