吉林省自然科学基金(20040520-1)
- 作品数：1 被引量：4H指数：1
- 相关作者：王伟张宏梅马东阁姜文海石家纬更多>>
- 相关机构：中国科学院吉林大学更多>>
- 发文基金：吉林省自然科学基金国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- OTFTs结构与器件性能被引量：4
- 2007年
- 在重掺杂的Si衬底上分别制备了底电极(Bottom-contact organic thin-film transistors,BC-OTFTs)和顶电极(Top-contact organic thin-film transistors,TC-OTFTs)有机薄膜场效应晶体管,探讨了源、漏电极位置对器件性能的影响。结果表明,顶电极可以形成良好的欧姆接触,其器件的迁移率和开关电流比均高出BC-OTFTs器件三个数量级。研究了栅绝缘层的薄膜厚度对器件的电性能的影响。结果表明,在相同电压下,薄的绝缘层增大了沟道区域的电场,可积累更多的电荷,以填充更多的陷阱,使器件的场效应迁移率和工作电流得到了明显的提高。
- 王伟石家纬姜文海郭树旭张宏梅马东阁全宝富
- 关键词：有机薄膜场效应晶体管底电极迁移率
