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国家教育部博士点基金(20050558030)

作品数:8 被引量:10H指数:2
相关作者:赖天树林位株文锦辉刘晓东滕利华更多>>
相关机构:中山大学复旦大学中国科学院更多>>
发文基金:国家教育部博士点基金国家自然科学基金广东省自然科学基金更多>>
相关领域:理学电子电信更多>>

文献类型

  • 8篇中文期刊文章

领域

  • 7篇理学
  • 1篇电子电信

主题

  • 5篇自旋
  • 4篇电子自旋
  • 3篇自旋极化
  • 3篇本征
  • 3篇GAAS
  • 2篇电子自旋极化
  • 2篇动力学
  • 2篇飞秒
  • 1篇导体
  • 1篇动力学研究
  • 1篇载流子
  • 1篇色散
  • 1篇铁磁
  • 1篇铁磁耦合
  • 1篇温度
  • 1篇稀磁半导体
  • 1篇量子
  • 1篇脉冲
  • 1篇激光
  • 1篇光谱

机构

  • 8篇中山大学
  • 1篇复旦大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 8篇赖天树
  • 7篇文锦辉
  • 7篇林位株
  • 4篇刘晓东
  • 4篇滕利华
  • 3篇余华梁
  • 2篇雷亮
  • 2篇高瑞鑫
  • 2篇黄志凌
  • 2篇焦中兴
  • 1篇陈达鑫
  • 1篇王玮竹
  • 1篇徐振
  • 1篇王惠
  • 1篇陈志峰
  • 1篇张秀敏
  • 1篇徐初东
  • 1篇周仕明
  • 1篇左方圆
  • 1篇赵建华

传媒

  • 7篇物理学报
  • 1篇科学通报

年份

  • 2篇2009
  • 5篇2008
  • 1篇2006
8 条 记 录,以下是 1-8
排序方式:
本征GaAs量子阱中电子自旋扩散输运的时-空分辨吸收光谱研究被引量:1
2009年
发展了一种时-空分辨圆偏振光抽运-探测光谱及其理论,并用于本征GaAs量子阱中电子自旋扩散输运的实验研究.获得室温下本征GaAs量子阱中的"自旋双极扩散系数"为Das=37.5±15cm2/s.此结果比用自旋光栅法测量到的掺杂GaAs量子阱中电子自旋扩散系数小.解释为是由于"空穴库仑拖曳"效应减慢了电子自旋波包的扩散输运.
余华梁张秀敏滕利华文锦辉林位株赖天树
关键词:GAAS量子阱
腔色散不共轴效应与超宽带频谱飞秒脉冲
2008年
在理论和实验上研究了KLM钛宝石激光器中腔色散不共轴效应对腔内频谱展宽的影响,发现当激光器亚腔工作在谐振腔下稳区共轴点附近时,腔色散不共轴效应对腔内频谱展宽的限制被减弱,有利于产生宽带频谱.基于此理论,在自建的钛宝石自锁模激光器上产生了从650~1000nm超宽带频谱,是目前采用钛宝石晶体长度为3mm的类似腔结构的钛宝石激光器所产生的最宽频谱.
焦中兴雷亮黄志凌文锦辉赖天树林位株
GaAs中电子g因子的温度和能量依赖性的飞秒激光吸收量子拍研究被引量:7
2006年
采用时间分辨椭圆偏振光抽运-探测光谱研究磁场作用下本征GaAs中电子自旋弛豫动力学,观察到吸收量子拍现象.这种吸收量子拍起源于电子自旋的拉莫尔进动,因而其拍频成为高精度测量电子g因子的一种新方法.利用这种新方法研究了本征GaAs中电子g因子的温度和能量依赖特性,发现g因子随电子的温度和能量增加而增加,但与k·p理论预测相差甚大.基于实验结果拟合,我们给出了一个g因子的温度和能量依赖的经验公式.
徐海红焦中兴刘晓东雷亮文锦辉王惠林位株赖天树
关键词:G因子GAAS
InGaN薄膜中电子自旋偏振弛豫的时间分辨吸收光谱研究
2008年
采用飞秒时间分辨圆偏振光抽运-探测光谱对In0·1Ga0·9N薄膜的电子自旋注入和弛豫进行了研究.获得初始自旋偏振度约为0·2,此结果支持在圆偏振光激发下,重、轻空穴带的跃迁强度比为3∶1,而不支持1∶1或1∶0·94的观点·同时获得自旋偏振弛豫时间为490±70ps,定性分析了自旋弛豫机理,认为BAP机理是电子自旋弛豫的主要机理.
陈小雪滕利华刘晓东黄绮雯文锦辉林位株赖天树
关键词:电子自旋INGAN自旋极化
室温下(Ga,Mn)As中载流子的自旋弛豫特性
2008年
运用飞秒时间分辨抽运-探测克尔光谱技术,研究了室温下退火及未退火(Ga,Mn)As的载流子自旋弛豫的激发能量密度依赖性,发现电子自旋弛豫时间随激发能量密度增加而增大,而在同一激发能量密度下,退火样品比未退火样品具有更短的载流子复合时间、电子自旋弛豫时间和更大的克尔转角,显示DP机理是室温下(Ga,Mn)As的电子自旋弛豫的主导机理.退火(Ga,Mn)As的超快克尔增强效应显示其在超高速全光自旋开关方面的潜在应用价值,也为(Ga,Mn)As铁磁性起源的p-d交换机理提供了证据.
刘晓东王玮竹高瑞鑫赵建华文锦辉林位株赖天树
本征GaAs中电子自旋极化对电子复合动力学的影响研究
2008年
采用时间分辨圆偏振光和线偏振光抽运-探测光谱,研究了9.6 K温度下本征GaAs中自旋极化电子与非极化电子的复合动力学及其随光子能量演化.发现自旋极化对电子复合动力学具有显著影响.仅在导带底附近测量时,两种方法测试到的复合寿命一致,而在高过超能量电子态测量时,两种方法测试到的复合寿命不一致.指出时间分辨法拉第光谱中,用于反演求解电子自旋相干寿命的电子复合寿命应该使用圆偏振光抽运-探测获得的复合寿命,而不是线偏振光抽运-探测获得的寿命.理论计算与实验结果吻合较好.
滕利华余华梁黄志凌文锦辉林位株赖天树
关键词:自旋极化GAAS
本征GaAs中电子自旋极化的能量演化研究被引量:1
2008年
采用时间分辨圆偏振光抽运-探测光谱,研究9.6 K温度下本征GaAs中电子自旋相干弛豫动力学,发现反映电子自旋相干的吸收量子拍的振幅随光子能量的增加呈非单调性变化.考虑自旋极化依赖的带填充效应和带隙重整化效应,发展了圆偏振光抽运-探测光谱的理论模型.该模型表明量子拍的振幅依赖于所探测能级的电子初始自旋极化度,自旋探测灵敏度以及带填充因子,三者的乘积导致了量子拍振幅的非单调变化,与实验结果一致.给出了能级分裂的二能级系统中电子自旋极化度定义.发现在高能级上可以获得100%的初始电子自旋极化度.
滕利华余华梁左方圆文锦辉林位株赖天树
关键词:GAAS
GdFeCo磁光薄膜中RE-TM反铁磁耦合与激光感应超快磁化翻转动力学研究被引量:2
2009年
使用飞秒时间分辨抽运-探测磁光克尔光谱技术,研究了激光加热GdFeCo磁光薄膜跨越铁磁补偿温度时稀土-过渡金属(RE-TM)反铁磁交换耦合行为和超快磁化翻转动力学.实验观察到由于跨越铁磁补偿温度、净磁矩携带者交换而引起的磁化翻转反常克尔磁滞回线以及在同向外磁场下,反常回线上大于和小于矫顽力部分的饱和磁化强度不同,显示出GdFeCo中RE与TM之间的非完全刚性反铁磁耦合.在含有Al导热底层的GdFeCo薄膜上观测到饱和磁场下激光感应磁化态翻转及再恢复的完整超快动力学过程.与剩磁态的激光感应超快退磁化过程比较,发现外磁场似乎并不影响磁畴结核和扩张速率,只影响磁化方向.
高瑞鑫徐振陈达鑫徐初东陈志峰刘晓东周仕明赖天树
关键词:反铁磁耦合
共1页<1>
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