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Dynamic Ni gettered by PSG from S-MIC poly-Si and its TFTs: 2008年; A dynamic phosphor-silicate glass (PSG) gettering method is proposed in which the processes of the gettering of Ni by PSG and the crystallizing of α-Si into poly-Si by Ni take place simultaneously.The effects of PSG gettering process on the performances of solution-based metal induced crystallized (S-MIC) poly-Si materials and their thin film transistors (TFTs) are discussed.The crystallization rate is much reduced due to the fact that the Ni as a medium source of crystallization is extracted by the PSG during crystallization at the same time.The boundary between two neighbouring grains in S-MIC poly-Si with PSG looks blurrier than without PSG.Compared with the TFTs made from S-MIC poly-Si without PSG gettering,the TFTs made with PSG gettering has a reduced gate induced leakage current.; 孟志国李阳吴春亚赵淑芸李娟王文郭海诚熊绍珍; 关键词：结晶化

一个新颖的用于CT0标准的数字收发器(英文)被引量：1: 2007年; 介绍了一种新颖的用于CT0无绳电话标准的数字收发器.该收发器采用数字调制和解调技术来进行数据传输,取代了传统的模拟调制解调方式.在发射机中,使用小数分频锁相环实现了CPFSK调制;为了减小占用带宽,使用了2RC整形技术.在接收机中,使用了一种新颖的数字解调方法实现2RCCPFSK信号的解调.该芯片采用SMIC0.35μm混合信号工艺实现,芯片尺寸为2mm×2mm.使用片外的低噪声放大器,该芯片的接收灵敏度可达-103dBm.; 陈殿玉许长喜陈浩琼李振郭秀丽惠志强施鹏王跃吴岳熊绍珍; 关键词：射频收发器小数分频锁相环连续相位频移键控调制器解调器

金属单向诱导横向晶化激光修饰多晶硅薄膜晶体管: 2006年; 对采用金属诱导单一方向横向晶化(metalinducedunilaterallycrystallization,MIUC)并结合激光后退火技术,以提高多晶硅薄膜晶体管的性能,进行了深入研究.MIUC薄膜晶体管已具有良好的器件性能和均匀性,再加以三倍频YAG激光退火后的MIUC薄膜晶体管,其场效应迁移率则可提高近一倍.器件的多种性能和参数的均匀性与所用修饰性的激光处理条件密切相关,具有规律性,故而是可控的,这为工业化技术的掌控提供了基础.; 孟志国王文吴春亚李娟郭海成熊绍珍张芳; 关键词：多晶硅薄膜晶体管

新型投影融合拼接控制器的设计与实现被引量：1: 2008年; 设计了一个全数字硬件架构的投影图像边缘融合处理器。该处理器有别于目前业界已有基于计算机体系构架的传统控制器,以FPGA为中心、配以相关IC芯片,精选融和函数的设计,再结合硬件描述语言将图像的边缘作淡入淡出处理。在处理中将每幅投影单元图像融合区的亮度变化抽象成相应的融合曲线,通过引入适当的融合函数和根据显示终端的电光特性予以伽马校正,并提出根据实际投影效果实时调整的融合方案。文章最后给出了实现高质量无缝拼接的实例结果。; 孙鹏飞柴海峰李娟孟志国张丽珠熊绍珍; 关键词：伽马校正

表面修饰改善溶液法金属诱导晶化薄膜稳定性与均匀性研究被引量：1: 2008年; 提出了一种表面修饰的金属诱导晶化方法,以稳定地获得晶粒尺寸均匀的多晶硅薄膜.为在非晶硅表面获得均匀稳定的Ni源,在晶化前驱物表面浸沾Ni盐溶液之前,先旋涂一层表面亲合剂.通过控制Ni盐溶液的浓度,可以获得均匀性较好、晶粒尺寸分布在20—70μm的多晶硅薄膜.该方法的特点是改善了Ni盐溶液在表面的黏附状态,从而可在比常规Ni盐溶液浓度低1—2个数量级的情况下仍能获得大晶粒的多晶薄膜.; 李鹤李学东李娟吴春亚孟志国熊绍珍张丽珠; 关键词：表面修饰多晶硅均匀性

大尺寸化学Ni源金属诱导晶化多晶硅的研究被引量：8: 2006年; 用无电电镀的化学方法,在VHF-PECVD沉积获得的非晶硅薄膜表面形成镍诱导源,在550℃下退火若干小时,可以诱导产生微米量级的多晶硅晶粒.用此法形成的镍源可以均匀地分布在非晶硅薄膜的表面.非晶硅薄膜上形成晶核的数量取决于镍溶液的浓度、pH值和无电电镀的时间等参量.当成核密度比较低时可以观察到径向晶化现象.用VHF-PECVD非晶硅薄膜作为晶化前驱物,晶化后多晶硅的最大晶粒尺寸可达到90μm.用此多晶硅试制的TFT,获得了良好的器件特性.; 赵淑云吴春亚刘召军李学冬王中孟志国熊绍珍张芳; 关键词：金属诱导晶化多晶硅薄膜晶体管

微晶硅材料及其薄膜晶体管的研究(英文): 2008年; 本文在微晶硅材料性能研究的基础上制备了微晶硅薄膜晶体管(TFT)。发现微晶硅的柱状生长模式会导致其结构和电学性能的不均匀性。由于材料的柱状生长模式使得其晶化百分比、晶粒尺寸和暗电导受到薄膜厚度的调制。平行于衬底和垂直于衬底方向的电导率随着材料沉积条件的变化呈现出不同的变化规律,后者始终保持在10-6s/cm^10-5s/cm量级。确定了用于TFT有源层的微晶硅薄膜沉积条件中的硅烷浓度应高于2%,晶化百分比应为40%~50%左右。制备的微晶硅TFT器件具有良好的稳定性,开态电流的衰退和阈值电压的漂移分别为25%和1V,进而还发现了一种新颖的自恢复现象。; 李娟李阳吴春亚孟志国赵淑云熊绍珍张丽珠; 关键词：微晶硅薄膜晶体管

底栅微晶硅薄膜晶体管被引量：1: 2006年; 对底栅微晶硅TFT的微晶硅材料生长孵化层问题进行了详细讨论,发现低硅烷浓度是减薄该层厚度的有效途径.同时又发现,以SiNx为栅绝缘层的底栅TFT,对随后生长的硅基薄膜有促进晶化的作用(约20%).沉积底栅TFT的微晶硅有源层时,必须计入该影响.因此为了获得良好的I-V特性,选用的硅烷浓度不宜低于3%.由硅基薄膜晶化体积比与系列沉积工艺条件关系和TFT所得薄膜晶化体积比的对比,可清晰证实SiNx对晶化的促进作用.; 李娟张晓丹刘建平赵淑云吴春亚孟志国张芳熊绍珍; 关键词：微晶硅

AMOLED控制电路中内嵌I^2C控制核的研究与实现: 2007年; 介绍了12.7 cm彩色有源选址的有机发光显示(AMOLED)控制电路中I2C控制核的设计方法,并且将其嵌入到FPGA中,实现了对该控制电路中所用AL 251、SAA7111A和AD9882多制式解码芯片的控制;给出了该I2C控制核对上述芯片进行实时控制时的仿真图和示波器显示出的实测结果。; 郝大收刘建平高国保李学东王中杭力吴春亚孟志国熊绍珍; 关键词：I2C总线 FPGA

YAG激光晶化多晶硅被引量：7: 2005年; 报道了采用YAG脉冲激光器对硅基薄膜进行晶化制备多晶硅的实验结果,其中主要针对以PECVD法制备的不同硅基薄膜(如非晶硅和微晶硅)为晶化前驱物,以及对激光能量的利用等问题进行了分析研究.实验发现,晶化需要基本的阈值能量流密度,而晶化硅基前驱物材料的结构,是决定此阈值的关键.延迟降温速率对激光晶化是一种较为有效的手段,并对所得的初步结果进行了讨论.; 刘建平王海文李娟张德坤赵淑云吴春亚熊绍珍张丽珠; 关键词：激光晶化微晶硅

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