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国家自然科学基金(10475102)

作品数:12 被引量:18H指数:2
相关作者:王志光刘纯宝宋银臧航金运范更多>>
相关机构:中国科学院近代物理研究所菏泽学院兰州大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家杰出青年科学基金中国科学院西部之光基金更多>>
相关领域:理学一般工业技术电子电信更多>>

文献类型

  • 12篇期刊文章
  • 8篇会议论文

领域

  • 17篇理学
  • 4篇一般工业技术
  • 1篇电子电信

主题

  • 7篇离子辐照
  • 7篇发光
  • 6篇重离子
  • 4篇光致
  • 4篇光致发光
  • 4篇发光特性
  • 4篇高能
  • 4篇SIO2
  • 4篇A-SI
  • 4篇PB
  • 3篇退火
  • 3篇重离子辐照
  • 3篇离子注入
  • 3篇光谱
  • 3篇光致发光谱
  • 3篇辐照
  • 3篇C-
  • 2篇铅离子
  • 2篇离子
  • 2篇高能重离子

机构

  • 14篇中国科学院近...
  • 2篇兰州大学
  • 2篇菏泽学院
  • 1篇西安理工大学

作者

  • 13篇王志光
  • 11篇宋银
  • 10篇刘纯宝
  • 8篇臧航
  • 7篇姚存峰
  • 6篇魏孔芳
  • 6篇金运范
  • 4篇赵志明
  • 4篇马艺准
  • 4篇孙友梅
  • 4篇盛彦斌
  • 3篇张崇宏
  • 3篇刘杰
  • 2篇朋兴平
  • 1篇缑洁
  • 1篇卢子伟
  • 1篇季涛
  • 1篇谢二庆
  • 1篇周丽宏
  • 1篇杨映虎

传媒

  • 3篇近代物理研究...
  • 2篇原子核物理评...
  • 2篇Scienc...
  • 2篇第十三届全国...
  • 1篇物理学报
  • 1篇核技术
  • 1篇功能材料
  • 1篇中国科学(G...
  • 1篇Chines...
  • 1篇第11届全国...
  • 1篇第一届中国核...

年份

  • 2篇2012
  • 2篇2011
  • 10篇2007
  • 4篇2006
  • 2篇2005
12 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
高能重离子辐照引起注碳SiO2发光的电子能损效应研究
氧化硅是制备硅基高速微电子器件、低压/低功耗器件、抗辐照电路、高温电子学器件、微机械和光通信器件等的重要原材料,在微电子工业和光纤通讯等领域具有十分广泛的用途。因此,氧化硅的改性研究一直是受关注的热点。本工作采用“低能离...
刘纯宝王志光臧航宋银金运范魏孔芳姚存峰孙友梅刘杰
文献传递
金属多层膜的离子辐照效应研究
载能离子辐照通过混合和驰豫两个过程,可使不同元素交替沉积而成的双层或多层膜界面处发生元素原子混合,甚至可使热力学平衡态不能互溶或混合的元素混合形成非晶态或晶态合金等。本工作选择生成热为正值的 Fe/Cu、Cu/Nb 系统...
魏孔芳王志光刘纯宝臧航宋银卢子伟姚存峰盛彦斌马艺准
文献传递
Investigation of microstructure modification of C-doped a-SiO_2/Si after Pb-ion irradiation被引量:2
2012年
Thermally grown amorphous SiO2 (a-SiOz) films were implanted at room temperature (RT) with 100 keV C-ions to 5.0× 10^17 ions/cm2. These samples were irradiated at RT with 853 MeV Pb-ions to 1.0x 1012 and 5.0× 10^12 ions/cm2. Then the samples were investigated using Transmission Electron Microscopy (TEM) at RT. Significant microstructure modifications were observed in C-doped a-SiO2/Si samples after high energy Pb-ion irradiations, and the formation of new structures depended strongly on the Pb-ion irradiation fluences. For example, tracks in high density were observed in a 1.0× 10^12 Pb/cm2 irradiated and C-doped sample. Additionally, the length of tracks grows, and a large number of 8H-SiC nanocrystals can be seen in the film when irradiation fluence is increased to 5.0× 10^12 Pb/cm2. Possible modification processes of C-doped a-SiO2 under swift heavy ion irradiations are briefly discussed.
LIU ChunBaoWEI KongFangYAO CunFengWANG ZhiGuangJIN YunFanTOULEMONDE M
射频反应溅射制备的ZnO薄膜的结构和发光特性被引量:12
2007年
用射频反应溅射在硅(100)衬底上生长了c轴择优取向的ZnO薄膜,用X射线衍射仪、荧光分光光度计和X射线光电子能谱仪对样品进行了表征,分析研究了溅射功率、衬底温度对样品的结构和发光特性的影响.结果表明,溅射功率100W,衬底温度300~400℃时,适合c轴择优取向和应力小的ZnO薄膜的生长.在样品的室温光致发光谱中观察到了380nm的紫外激子峰和峰位在430nm附近的蓝光带,并对蓝光带的起源进行了初步探讨.
朋兴平王志光宋银季涛臧航杨映虎金运范
关键词:ZNO薄膜X射线衍射谱光致发光谱衬底温度
Fe/Cu多层膜的辐照与退火研究
一些生成热为正的材料体系,在液相和固相都不互溶,难于用传统的熔炼技术制备合金。载能离子辐照通过混合和驰豫两个过程,可使不同元素交替沉积而成的双层或多层膜界面处发生元素原子混合,甚至可使热力学平衡态不能互溶或混合的元素混合...
魏孔芳王志光刘纯宝臧航宋银姚存峰盛彦斌马艺准
文献传递
高能Xe粒子辐照对ZnO薄膜的结构及发光特性的影响
利用射频反应溅射技术在单晶硅(100)衬底上制备了高质量的 ZnO 薄膜。该薄膜是在氧氩混合气 (Ar:O=3:2)中制备,溅射气压为3.4 Pa,溅射功率、溅射时间和基底温度分别为100W、3小时和400℃。利用兰州重...
臧航王志光朋兴平宋银刘纯宝魏孔芳张崇宏姚存峰马艺准周利宏盛彦斌缑洁
文献传递
Application of Heavy Ion Physics and Nuclear Technique——FTIR Investigation of C-implanted Crystalline SiO2 after 950 MeV Pb-ion irradiation
2005年
<正>Crystalline SiO2(c-SiO2) samples were firstly implanted at room temperature (RT) with 120 keV Cions and then irradiated at RT with 950 MeV Pb ions. The C-ion irradiation experiments were performed on the 200 kV heavy ion implanter of IMP and the selected implantation doses are 2. 0×1017 , 5. 0×1017, 8. 6×1017 and 1. 2×1017C/cm2. The Pb ion irradiation was carried out at the IRASME (CIRIL-GANIL, Caen) and the irradiation fluencies are 5.0×1011,1. 0×1012 and 1..0×1012 Pb/cm2 , respectively. The chemical bonds formation in the samples was investigated by using a Spectrum GX IR spectroscopy.
Wang ZhiguangZhao ZhimingA. BenyagoubM. ToulemondeSong YinLiu ChunbaoZang HangWei KongfangJin Yunfan
关键词:重离子物理MEV铅离子离子辐照
Modification of C-implanted c-SiO_2 Induced by Heat Treatment
2005年
Crystalline SiO2 (c-SiO2) samples were implanted at room temperature (RT) with 120 keV C-ions and the selected implantation doses were 2.0×1017, 5.0×1017, 8. 6×1017 and 1. 2×1017 C/cm2. These samples were annealed in vacuum under 500, 700, 900 and 1 100℃, respectively. The modification of the samples was investigated at RT by using a Spectrum GX IR spectroscopy.
Wang Zhiguang, Zhao Zhiming, Song Yin, Liu Chunbao, Zang Hang, Wei Kongfang and Jin Yunfan
关键词:SIO2真空退火
Nuclear Physics and Interdiscipline——Phase Change in C-doped a-SiO2 Induced by Swift Heavy Ion Irradiation
2007年
Wang Zhiguang Liu Chunbao
关键词:快重离子辐照核物理无定形二氧化硅湿式氧化铅离子
高能重离子辐照注碳a-SiO2薄膜的光致发光研究
硅基发光材料具有与现代先进硅平面工艺很好的兼容性,可用于高亮度固体电光显示屏、发光二极管、不同波长光控光致发电和电致发光管的研制。本工作采用“低能离子注入+高能重离子辐照”的方法,探索了高能重离子辐照对注碳 a-SiO薄...
刘纯宝王志光臧航宋银金运范魏孔芳姚存峰盛彦斌马艺准
文献传递
共2页<12>
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