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国家自然科学基金(60376020)

作品数:4 被引量:10H指数:2
相关作者:刘明陈宝钦龙世兵李泠陆晶更多>>
相关机构:中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 3篇分辨率
  • 2篇掩模
  • 2篇移相掩模
  • 2篇离轴
  • 2篇离轴照明
  • 2篇光刻
  • 1篇移相掩模技术
  • 1篇散射
  • 1篇数值孔径
  • 1篇交替式
  • 1篇分辨率增强
  • 1篇NM
  • 1篇PROLIT...
  • 1篇侧墙
  • 1篇新结构

机构

  • 4篇中国科学院微...

作者

  • 4篇刘明
  • 3篇陈宝钦
  • 2篇陆晶
  • 2篇李泠
  • 2篇谢常青
  • 2篇龙世兵
  • 1篇叶甜春
  • 1篇康晓辉
  • 1篇张立辉
  • 1篇范东升
  • 1篇王德强
  • 1篇王云翔

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇微电子学
  • 1篇微细加工技术

年份

  • 1篇2006
  • 2篇2005
  • 1篇2003
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
侧墙铬衰减型新结构移相掩模的应用
2006年
提出了一种全新的移相掩模--侧墙铬衰减型移相掩模(SCAPSM),相对于通常的衰减型移相掩模,其制造工艺仅多两步,却可以较大幅度提高光刻分辨率.采用PROLITH光学光刻模拟软件,参考ArF步进扫描投影光刻机TWINSCAN XT:1400E的曝光参数,对侧墙铬衰减型移相掩模的工艺进行了研究,证明SCAPSM+离轴照明的方案可以将干式193nm光学光刻的分辨率提高到50nm.
谢常青刘明陈宝钦叶甜春
关键词:离轴照明数值孔径PROLITH
100nm分辨率的移相掩模技术被引量:5
2003年
介绍了移相掩模技术的基本原理,对几种主要的移相掩模技术进行了比较,指出了各种移相方式的特点和应用局限性,并针对100nm分辨率的技术节点,阐述了各种移相方式在应用中应该解决的问题。
陆晶陈宝钦刘明王云翔龙世兵李泠
关键词:分辨率移相掩模光刻交替式
193 nm光刻散射条技术研究被引量:3
2005年
介绍了193nm光刻中的散射条技术,并利用标量衍射和傅里叶光学理论,对掩模和光瞳平面上衍射图形的空间频率进行了深入的分析,从理论上解释了散射条的工作原理。通过商用光刻模拟软件PROLITH,对散射条的参数进行了优化,并总结出193nm光刻中孤立线散射条的优化方法。
康晓辉张立辉范东升王德强谢常青刘明
关键词:光刻离轴照明分辨率增强
100 nm分辨率交替式移相掩模设计被引量:2
2005年
讨论了100nm分辨率交替式移相掩模设计中的关键问题,以及通过对版图的拓扑分析,建立自动化的解决相位冲突的各种方法。通过比较,确立了分层叠加曝光的方案,并针对分层叠加曝光技术,进行了100nm节点中分层技术中两种关键图形的模拟。得出了分层叠加曝光在100nm技术节点中也可以实现的结论。
陆晶陈宝钦刘明龙世兵李泠
共1页<1>
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