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国家自然科学基金(60376010)

作品数：2 被引量：20H指数：2
相关作者：章壮健张群缪维娜黄丽李喜峰更多>>
相关机构：复旦大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金上海市教育委员会重点学科基金更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 2篇溅射
  • 2篇MO薄膜
  • 2篇磁控
  • 2篇磁控溅射
  • 1篇低电阻率
  • 1篇电阻率
  • 1篇氧分压
  • 1篇直流磁控
  • 1篇直流磁控溅射
  • 1篇直流磁控溅射...
  • 1篇透明导电
  • 1篇透射
  • 1篇透射率
  • 1篇可见光
  • 1篇可见光区
  • 1篇溅射法
  • 1篇ZNO
  • 1篇钼
  • 1篇IN2O3
  • 1篇磁控溅射法

机构

  • 2篇复旦大学

作者

  • 2篇张群
  • 2篇章壮健
  • 1篇杨锡良
  • 1篇华中一
  • 1篇李喜峰
  • 1篇黄丽
  • 1篇沈杰
  • 1篇缪维娜
  • 1篇王三坡

传媒

  • 2篇真空科学与技...

年份

  • 1篇2008
  • 1篇2005
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
高迁移率透明导电In_2O_3:Mo薄膜被引量：14
2005年
用直流磁控溅射法成功制备了高价态差掺钼氧化铟(IMO)透明导电薄膜。研究了氧分压,基板温度以及溅射电流对IMO薄膜结构和性能的影响。获得的IMO薄膜的最低电阻率为3.65×10-4Ω·cm,载流子迁移率高达50cm2V-1s-1,可见光区域的平均透射率(含玻璃基底)高于80%。X ray衍射(XRD)研究表明IMO薄膜具有良好的结晶性。分析认为IMO薄膜的载流子迁移率主要受晶界散射的控制。
李喜峰缪维娜张群黄丽章壮健华中一
关键词：IN2O3直流磁控溅射法低电阻率可见光区氧分压
新型透明导电ZnO∶Mo薄膜被引量：7
2008年
采用直流磁控反应溅射技术成功制备了新型ZnO∶Mo(ZMO)透明导电薄膜。研究了钼掺杂量和基片温度等参数对ZMO薄膜结构和光电性能的影响。结果表明,薄膜的结构和光电性能与钼含量以及基片温度有关。X光衍射图谱(XRD)显示薄膜具有六角纤锌矿结构,并且在基片温度为200℃,钼含量(Mo/Zn+Mo)为1.5wt%时薄膜具有较好的c轴取向。制备出的ZMO薄膜最低电阻率为1.97×10-3Ω.cm,相应载流子迁移率达37.0 cm2V-1s-1,载流子浓度为8.57×1019cm-3,在可见光区域的平均透射率达到80%左右。
王三坡沈杰章壮健杨锡良张群
关键词：磁控溅射透射率
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