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贵州省科技攻关计划(GY[2008]3033)

作品数:2 被引量:2H指数:1
相关作者:丁召吴宗桂宁江华马奎傅兴华更多>>
相关机构:贵州省微纳电子与软件技术重点实验室贵州大学更多>>
发文基金:贵州省科技攻关计划更多>>
相关领域:电气工程电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 1篇带隙基准
  • 1篇低功耗
  • 1篇低压CMOS
  • 1篇电压比较器
  • 1篇电压源设计
  • 1篇信号
  • 1篇抑制比
  • 1篇模拟信号
  • 1篇基准电压
  • 1篇基准电压源
  • 1篇功耗
  • 1篇比较器
  • 1篇CMOS基准...
  • 1篇CMOS集成
  • 1篇高性能

机构

  • 2篇贵州大学
  • 2篇贵州省微纳电...

作者

  • 2篇丁召
  • 1篇杨发顺
  • 1篇邓爱枝
  • 1篇王基石
  • 1篇傅兴华
  • 1篇马奎
  • 1篇宁江华
  • 1篇吴宗桂

传媒

  • 2篇现代电子技术

年份

  • 1篇2010
  • 1篇2009
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
低压CMOS带隙基准电压源设计被引量:1
2010年
基准源是模拟集成电路中的基本单元之一,它在高精度ADC,DAC,SoC等电路中起着重要作用,基准源的精度直接控制着这些电路的精度。阐述一个基于带隙基准结构的Sub-1 V、低功耗、低温度系数、高电源抑制比的CMOS基准电压源。并基于CSMC 0.5μm Double Poly Mix Process对电路进行了仿真,得到理想的设计结果。
宁江华王基石杨发顺丁召
关键词:CMOS基准电压源低功耗
高性能CMOS集成电压比较器设计被引量:1
2009年
比较器可以比较一个模拟信号和参考信号,并且输出比较得到的二进制信号。为了设计一个高速度、高精度的比较器,采用预放大锁存比较电路结构,并加以改进。在Cadence环境下基于CSMC 0.5μm CMOS工艺完成比较器的电路设计、版图设计和版图验证。仿真得到比较器的增益为85.588 4 dB,带宽为60.546 7 MHz,上升延时为5.723 74 ns,下降延时为5.429 17 ns,输入失调电压为640.17μV。它适用于高速A/D等领域的应用。
马奎丁召吴宗桂邓爱枝傅兴华
关键词:比较器模拟信号
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