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国家自然科学基金(61306098)

作品数:11 被引量:43H指数:4
相关作者:郑树凯闫小兵何静芳吴一彭英才更多>>
相关机构:河北大学西安电子科技大学北京大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金河北省自然科学基金河北省高等学校科学技术研究指导项目更多>>
相关领域:理学一般工业技术电子电信金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 11篇中文期刊文章

领域

  • 7篇理学
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电子电信

主题

  • 4篇第一性原理
  • 4篇第一性原理计...
  • 3篇共掺
  • 3篇共掺杂
  • 3篇掺杂
  • 2篇电性质
  • 2篇光学
  • 2篇光学性
  • 2篇光学性质
  • 2篇ZNO
  • 1篇电特性
  • 1篇电学
  • 1篇电学性质
  • 1篇多层膜
  • 1篇硬件
  • 1篇硬件设计
  • 1篇载流子
  • 1篇载流子浓度
  • 1篇熔炉
  • 1篇软件设计

机构

  • 9篇河北大学
  • 2篇西安电子科技...
  • 1篇北京大学

作者

  • 5篇郑树凯
  • 5篇闫小兵
  • 3篇何静芳
  • 2篇娄建忠
  • 2篇马蕾
  • 2篇彭英才
  • 2篇吴一
  • 1篇沈波
  • 1篇李文明
  • 1篇田言
  • 1篇陈乙豪
  • 1篇李小亭
  • 1篇陈英方
  • 1篇李岩
  • 1篇董丽梅
  • 1篇蒋冰
  • 1篇刘晨吉
  • 1篇李玉成
  • 1篇闫铭
  • 1篇杨涛

传媒

  • 3篇物理学报
  • 2篇河北大学学报...
  • 1篇无机化学学报
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇现代电子技术
  • 1篇Chines...
  • 1篇材料科学与工...
  • 1篇Journa...

年份

  • 3篇2017
  • 5篇2015
  • 3篇2014
11 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
Al-N共掺杂3C-SiC介电性质的第一性原理计算被引量:9
2014年
采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势法,建立了未掺杂,Al,N单掺杂和Al-N共掺杂3C-SiC的4种超晶胞模型,并分别对模型进行了几何结构优化,对比研究了其能带结构,态密度分布和介电常数.计算结果表明:Al掺杂会增大SiC的晶格常数,而N对SiC的晶格影响很小.Al掺杂会导致费米能级进入价带,使3C-SiC成为p型半导体,且带隙宽度略为加宽.N掺杂后的SiC其导带和价带均向低能端发生移动,带隙稍有减小.本征3C-SiC几乎不具备微波介电损耗性能.但是可以通过进行Al掺杂或N掺杂加以改善,Al掺杂后的效果尤为突出.计算发现Al-N共掺杂后的3C-SiC材料在8.2—12.4 GHz范围内其微波介电损耗性能急剧下降,与实验结果相符合,并对这一结果进行了讨论分析.
周鹏力郑树凯田言张朔铭史茹倩何静芳闫小兵
关键词:3C-SIC介电性质第一性原理
基于PLC的铸造熔炉燃烧自动控制系统设计被引量:10
2017年
铸造熔炉是铸造过程中的关键设备之一,并且铸造熔炉燃烧过程的完全与否将决定着铸造质量的好坏。基于PLC可编程序控制器设计了锅炉燃烧过程的自动控制系统,设计过程中主要考虑蒸汽压力、燃烧过程含氧量和炉膛负压三个变量,并分别基于以上三个变量进行控制系统硬件和软件设计,并且给出具体的控制方案,对铸造熔炉燃烧的自动控制系统的设计与研究起着重要作用。
董丽梅
关键词:硬件设计软件设计
SnO_2薄膜的制备及其光电特性被引量:1
2017年
以高纯Sn丝为蒸发源,采用真空热蒸发法在石英衬底上沉积了厚度为205nm的金属Sn薄膜.随后,在高纯氧氛围中于200~500℃条件下进行氧化处理.利用X线衍射仪、拉曼光谱仪、分光光度计和数字源表测量了不同氧化温度下样品的结构、光学、电学特性.结构测量表明,不同氧化温度会产生不同结晶状态的氧化产物,提高氧化温度可得到单一、稳定的四方晶系SnO_2.光学测量结果证实,随氧化温度的升高,薄膜样品的光学带隙增大,电流-电压测试表明薄膜电阻率随氧化温度的升高而降低.
刘绰马蕾彭英才
关键词:SNO2
Ga-F共掺杂ZnO导电性和透射率的第一性原理计算被引量:4
2015年
采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法,对本征ZnO,Ga、F单掺ZnO和Ga-F共掺ZnO的几何结构进行优化后计算了各体系的相关性质。结果表明各掺杂体系有各自的优缺点,在制作透明导电薄膜时可根据具体要求采取不同的掺杂方案。Ga掺杂ZnO比F掺杂ZnO的晶格畸变小。相同环境下Ga原子比F原子更容易进入ZnO晶格,因此掺杂后结构更加稳定。Ga、F掺杂都改善了ZnO的导电性,掺杂ZnO的载流子浓度比本征ZnO增加了3个数量级,相同浓度的F掺杂比Ga掺杂能产生更多的载流子。Ga-F共掺杂ZnO折中了上述Ga、F单掺杂ZnO的优缺点。另外,掺杂后ZnO的吸收边蓝移,以GaF共掺杂ZnO在紫外区域的透射率最大,在280~380 nm范围内其透射率在90%以上。
何静芳吴一史茹倩周鹏力郑树凯
关键词:ZNO第一性原理载流子浓度光学性质透射率
Cd-O共掺杂ZnTe第一性原理计算被引量:2
2015年
采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法计算了未掺杂,Cd、O单掺杂及Cd-O共掺杂ZnTe的几何结构、能带结构、态密度分布、光吸收谱和介电常数等性质。结果表明:掺杂后的ZnTe晶格常数发生变化,其中Cd掺杂的ZnTe晶格失配最大;三种掺杂均使ZnTe禁带宽度减小,并引入杂质能级,其中O掺杂和Cd-O共掺杂的ZnTe的禁带宽度变化较为明显,同时掺杂后ZnTe吸收带边出现不同程度的红移。
李文明吴一刘晨吉郑树凯闫小兵
关键词:ZNTE共掺杂密度泛函理论
Pyroelectric property of SrTiO_(3)/Si ferroelectric-semiconductor heterojunctions near room temperature
2015年
A nonlinear thermodynamic formalism is developed to calculate the pyroeletric property of epitaxial single domain SrTiO_(3)/Si heterojunctions by taking into account the thermal expansion misfit strain at diferent temperatures.It has been demonstrated that the crucial role was played by the contribution associated with the structure order parameter arising from the rotations of oxygen octahedral on pyroelectricity.A dramatic decrease in the pyroelectric cofficient due to the strong coupling between the polarization and the structure order parameter is found at ferroelectric T_(p1)-T_(p2) phase transition.At the same time,the thermal expansion mismatch between film and substrate is also found to provide an additional weak decrease of pyroelectricity.The analytic relationship of the out-of-plane pyroeletric coefficient and dielectric constant of ferroeletric phases by considering the thermal expansion of thin films and substrates has been determined for the first time.Our research provides another avenue for the investigation of the pyroelectric effects of ferroic thin films,especially,such as antiferroelectric and muliferroic materials having two or more order parameters.
Gang BaiDongmei WuQiyun XieYanyan GuoWei LiLicheng DengZhiguo Liu
低限流下含Ag电极的BiFeO_3薄膜的阻变开关特性
2015年
采用磁控溅射系统在Pt衬底上构建了Ag/BiFeO_3(BFO)/Pt三明治结构的阻变存储器件单元,该器件可以在较低的限制电流下实现阻变行为并显著降低功耗。在0.5μA的低限制电流下,器件具较好双极I-V滞回曲线,开关电阻比值超过1个数量级,有效开关次数达500次以上,阻态保持时间超过1.8×104s,有较好的保持特性。分析了该Ag/BFO/Pt器件的阻变开关机制,主要归因于Ag原子在BFO薄膜内的氧化还原反应引起的金属导电细丝的形成与断开。
闫小兵李玉成闫铭杨涛贾信磊陈英方赵建辉李岩娄建忠李小亭
Cu-Co共掺杂ZnO光电性质的第一性原理计算被引量:18
2014年
采用密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势方法,计算了本征ZnO,Cu 1021cm-3单掺杂ZnO,Co单掺杂ZnO,Cu-Co共掺杂ZnO的电子结构和光学性质.结果表明,在本文掺杂浓度数量级下,Cu,Co单掺杂可以提高ZnO的载流子浓度,从而改善ZnO的导电性,Cu-Co共掺杂时ZnO半导体进入简并状态,呈现金属性.这三种掺杂ZnO均会在可见光和近紫外区域出现光吸收增强现象,其中由于Cu离子与Co离子之间的协同效应,Cu-Co共掺杂ZnO对太阳光的吸收大幅增加,因此Cu-Co共掺杂ZnO可以用于制备高效率的太阳电池.
何静芳郑树凯周鹏力史茹倩闫小兵
关键词:第一性原理
RF磁控溅射沉积压强对InGaZnO4薄膜特性的影响
2015年
采用射频(RF)磁控溅射沉积方法,在室温不同压强下在石英玻璃衬底上制备出高透光率与较好电学性质的透明氧化物半导体InGaZnO4(IGZO)薄膜,并对薄膜进行X线衍射(XRD)、生长速率、电阻率和透光率的测试与表征.结果表明,实验所获样品IGZO薄膜为非晶态,薄膜最小电阻率为1.3×10^-3Ω·cm,根据光学性能测试结果,IGZO薄膜在200~350 nm的紫外光区有较强吸收,在400~900 nm的可见光波段的透过率为75%~97%.
闫小兵史守山娄建忠郑树凯曹智
关键词:光学性质电学性质
First-principles investigation on N/C co-doped CeO2
2017年
The N and C doping effects on the crystal structures, electronic and optical properties of fluorite structure CeO_2 have been investigated using the first-principles calculation. Co-doping these two elements results in the local lattice distortion and volume expansion of CeO_2. Compared with the energy band structure of pure CeO_2, some local energy levels appear in the forbidden band, which may facilitate the light absorption. Moreover, the enhanced photo-catalytic properties of CeO_2 were explained through the absorption spectra and the selection rule of the band-to-band transitions.
任荣康张明举彭健牛猛李健宁郑树凯
关键词:FIRST-PRINCIPLES
共2页<12>
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