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中国科学院知识创新工程重要方向项目(1KGCX2-YW-383-1)

作品数：1 被引量：3H指数：1
相关作者：杨萍王超彭文博刘石勇谢小兵更多>>
相关机构：中国科学院更多>>
发文基金：中国科学院知识创新工程重要方向项目国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：动力工程及工程热物理更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇动力工程及工...

主题

  • 1篇带隙
  • 1篇电池
  • 1篇太阳能电池
  • 1篇稀释比
  • 1篇纳米硅
  • 1篇光学
  • 1篇光学带隙
  • 1篇硅太阳能电池
  • 1篇非晶硅
  • 1篇非晶硅太阳能
  • 1篇非晶硅太阳能...
  • 1篇氢
  • 1篇P

机构

  • 1篇中国科学院

作者

  • 1篇姚文杰
  • 1篇曾湘波
  • 1篇王占国
  • 1篇谢小兵
  • 1篇刘石勇
  • 1篇彭文博
  • 1篇王超
  • 1篇杨萍

传媒

  • 1篇材料工程

年份

  • 1篇2011
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
双纳米硅p层优化非晶硅太阳能电池被引量：3
2011年
采用等离子体增强化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,PECVD)技术在高功率密度、高反应气压和低衬底温度下制备出不同氢稀释比RH的硅薄膜。高分辨透射电镜(High-Resolution Transmission ElectronMicroscopy,HRTEM)图像与拉曼谱显示在较高氢稀释比条件下生长的薄膜为纳米硅(nanocrystalline silicon,nc-Si)薄膜,纳米硅颗粒尺寸约为3～5nm。对不同氢稀释比下纳米硅薄膜光学带隙的变化趋势进行了研究。结果表明:随着氢稀释比的增加,纳米硅薄膜的光学带隙逐渐增加。提出采用双纳米硅p层结构改善非晶硅太阳能电池,发现双纳米硅p层电池效率比单纳米硅p层的电池效率提高了17%。
刘石勇曾湘波彭文博姚文杰谢小兵杨萍王超王占国
关键词：纳米硅光学带隙
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