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国家重点基础研究发展计划(2009CB623304)

作品数:11 被引量:56H指数:4
相关作者:李龙土褚祥诚周济李勃毕晓鹏更多>>
相关机构:清华大学深圳顺络电子股份有限公司中国科学技术大学更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电气工程一般工业技术电子电信理学更多>>

文献类型

  • 11篇中文期刊文章

领域

  • 6篇电气工程
  • 5篇一般工业技术
  • 3篇电子电信
  • 1篇化学工程
  • 1篇理学

主题

  • 4篇压电
  • 3篇压电陶瓷
  • 3篇陶瓷
  • 2篇低温共烧陶瓷
  • 2篇无铅
  • 2篇无铅压电
  • 2篇无铅压电陶瓷
  • 1篇低价铌氧化物
  • 1篇低温共烧陶瓷...
  • 1篇电传感器
  • 1篇电磁
  • 1篇电磁波
  • 1篇电机
  • 1篇定向天线
  • 1篇多铁性
  • 1篇压电传感
  • 1篇压电传感器
  • 1篇有限元
  • 1篇有限元分析
  • 1篇增益

机构

  • 10篇清华大学
  • 3篇深圳顺络电子...
  • 1篇北京航空航天...
  • 1篇中国科学院
  • 1篇中国科学技术...

作者

  • 8篇李龙土
  • 5篇褚祥诚
  • 4篇李勃
  • 4篇周济
  • 2篇毕晓鹏
  • 2篇孟令宝
  • 2篇张晓青
  • 1篇郑仁奎
  • 1篇孟祥宇
  • 1篇刘佳燚
  • 1篇李亚运
  • 1篇李晓光
  • 1篇孙竞博
  • 1篇李敬锋
  • 1篇郇宇
  • 1篇沈宗洋
  • 1篇王晓慧
  • 1篇王林
  • 1篇袁松梅
  • 1篇臧涛

传媒

  • 4篇稀有金属材料...
  • 3篇电子元件与材...
  • 1篇硅酸盐学报
  • 1篇物理学进展
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇压电与声光

年份

  • 4篇2013
  • 2篇2012
  • 2篇2011
  • 2篇2010
  • 1篇2009
11 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
NbO电解电容器的结构及制造工艺新进展被引量:1
2011年
较之钽电解电容器,NbO电解电容器电性能更好且价格较低。介绍了NbO电解电容器的结构和制造工艺。从材料及器件制备工艺两方面综述了国内外最近关于NbO电解电容器的研究新进展:通过镁蒸气两步还原法制备流动性较好的NbO粉体;对NbO粉进行掺杂和改性处理;在石墨层和银层中加入导电聚合物层,改善漏电流性能。最后对NbO电解电容器的前景进行了展望。
李勃陈立钦臧涛郭海周济
关键词:低价铌氧化物
应用于微电机的共烧多层压电陶瓷的制备及分析
2009年
设计了一种新型棒板复合结构微电机,并对应用于微电机的共烧多层压电陶瓷进行了设计、制备、极化及性能分析。本文中使用Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-Pb(Ni1/3Nb2/3)O3-Pb(ZrTi)O3低烧瓷料,d33=300 pC/N,机电耦合系数KP约为0.70~0.74,TC=185℃,设计制备了尺寸为8.5 mm×1.2 mm,d33=3000 pC/N的共烧多层压电陶瓷器件。应用该多层压电陶瓷驱动的微电机尺寸为14.0 mm×12.1 mm,谐振频率为31.34 kHz,最低驱动电压为2 V,相应输出力为10 mN,在10 V电压下性能趋于稳定,响应时间为3.2 ms,输出力为85 mN。而在其他因素不变的条件下,单层压电陶瓷块体驱动的电机最低驱动电压为10 V,相应输出力为7 mN。通过本文研究得出,共烧多层压电陶瓷应用于超声微电机具有可行性,且与单层压电陶瓷块体驱动的电机相比具有驱动电压低和输出力大的优越性。
孟祥宇褚祥诚毕晓鹏李龙土
关键词:微电机极化
电磁波带隙材料的低温共烧陶瓷技术制备及性能被引量:1
2012年
根据共面紧凑型光子晶体的原理和HFSS仿真结果设计了禁带位于超宽带(UWB,3.1~10.6 GHz)范围的EBG(电磁波带隙)结构,然后采用低温共烧陶瓷(LTCC)工艺制备出了设计的EBG结构。利用光学显微镜和扫描电子显微镜观察了所制EBG结构的微观结构,结果显示烧结体中陶瓷与银电极结合良好。另外,经HP8720ES矢量网络分析仪测试发现其电磁波禁带位于4.0~5.5 GHz,深度大于20 dB。
李勃张晓青陈冰洋孟令宝庞新锋孙竞博伍隽郭海周济李龙土
关键词:低温共烧陶瓷
平板压电扬声器的理论和实验研究被引量:5
2010年
提出了平板压电扬声器声学性能的量化描述方法,制备了多层压电陶瓷用于平板压电扬声器样品,并建立了样品的简化模型。阐述了声压级的有限元分析方法,进而取得了样品的声压级-频率曲线。通过声学测量设备Audio Precision得到的实验结果与仿真结果基本吻合,即最低谐振频率相差约150 Hz,平均声压级相差约2.5 dB,标准方差相差约0.9 dB,证明了这种仿真方法的有效性。
袁松梅黄首清褚祥诚毕晓鹏李龙土
关键词:有限元分析声压级声学测量
多层压电陶瓷降压变压器的环境测试研究
2011年
电压增益、输出功率、效率是表征压电变压器(MPT)工作性能的3个重要参数。使用为华公司提供的径向振动型多层压电陶瓷降压变压器,测量其基本电学性能;温度对导纳圆等阻抗特性的影响;温度对其基本电学性能的影响等。综合研究降压变压器的环境温度稳定性。结果表明:压电变压器环境稳定性良好,但长时间剧烈的环境变化会对其使用性能产生一定影响,高温环境对其影响比较大。
丁荔丹褚祥诚李龙土
关键词:降压变压器增益功率
基于精细直写成型的三维立体陶瓷制备被引量:2
2013年
以锆钛酸铅镧(PLZT)粉料配制陶瓷浆料,通过无模直写成型技术制备了多种结构参数可控、线条直径为200μm的三维立体结构。浆料属于剪切变稀型流体;1050℃铅气氛保护下烧结的样品成瓷效果良好,计算烧结收缩率为25%。S形层叠结构可用于制备2-2型压电复合材料,三维连通的木堆结构和圆柱形结构可用于3-3型压电复合材料的成型。以木堆结构为例制备了3-3型PLZT-Epoxy压电陶瓷-聚合物复合材料。浆料无模直写成型技术可以设计成型不同形状的高精度三维复杂结构,在复合材料骨架的制备上有潜在的应用。
李亚运李勃周济李龙土
关键词:复合材料
低温共烧陶瓷工艺制备EBG定向天线
2012年
通过低温共烧陶瓷(LTCC)工艺制备出禁带位于超宽带(UWB)范围的电磁波禁带(EBG)天线陶瓷基板,其电磁波禁带位于4.0~5.5 GHz。在基板上制备了片式天线,在微波暗室中对天线方向性进行测试。结果发现,与没有EBG结构的片式天线相比,其在H面主瓣方向上的增益提高了约4 dB,背瓣方向辐射强度平均降低了10 dB左右,证明EBG结构能够有效改善天线在空间辐射的方向性。
李勃陈兵洋孟令宝张晓青庞新锋张华伍隽郭海周济李龙土
关键词:定向天线低温共烧陶瓷
(Na,K)NbO_3基无铅压电陶瓷的研究进展被引量:33
2010年
本文主要综述近几年来国内外有关(Na,K)NbO3基无铅压电陶瓷体系的加压固相烧结技术、液相助烧致密化技术、掺杂改性、相结构调控以及相关机理研究方面的研究进展和动向,并展望该陶瓷体系在医疗超声换能器技术方面的应用前景。
沈宗洋李敬锋
关键词:无铅压电陶瓷钙钛矿铁电体
Li、Sb、Ta共掺杂对铌酸钾钠基无铅压电陶瓷相结构和压电性能的影响被引量:5
2013年
采用固相法及常压普通烧结方法,制备了Li、Sb、Ta共掺杂的铌酸钾钠基无铅压电陶瓷(Na0.52K0.44Li0.04)(Nb1-x-ySbxTay)O3,通过调节x、y在0至0.10之间的取值,研究Sb、Ta两种元素共掺杂对铌酸钾钠基陶瓷相结构、压电和介电性能的影响,获得优化的掺杂比例。在研究的组成范围内,随着Sb含量的增加,所得样品均存在一个由正交相向四方相的O-T相变,而随Ta含量的增加,相组成没有变化,且存在一个成分窗口,对应一系列具有较优压电性能的组分。在x=0.05,y=0.06的组分附近时,性能达到最优,d33~334pC/N,Kp~0.35,介电常数约为1900,介电损耗约为2.7%,Pr~16.4μC/cm2,Ec~8.4kV/cm。
褚祥诚高仁龙郇宇王晓慧李龙土
关键词:铌酸钾钠无铅压电陶瓷共掺杂相结构
基于PVDF的压电触摸屏研究
2013年
随着信息与自动化技术的发展,触摸屏由于可以与显示设备集成,以及更直观的人机交互方式,正不断的深入人们的日常生活中。压电触摸屏基于压电材料的压电效应,相对于传统电容、电阻触摸屏有诸多优势。本实验首次设计并制作了一款基于PVDF压电膜的压电触摸屏,通过对整个压电触摸屏系统的设计与制作以及外部测试环境的搭建,实现了触摸屏的基本功能。此种压电触摸屏的最佳精度可以达到0.5mm,对于50mm×50mm的屏幕,分辨率可以达到100×100,满足了人机交互的基本要求。
王林褚祥诚刘佳燚李龙土
关键词:触摸屏压电传感器PVDF
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