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高性能MgB_2长线材制备及性能表征被引量：3: 2007年; 采用原位粉末装管工艺,分别以Mg粉(99.5%),无定形B粉(99.9%)为原料,以纳米SiC(10—30nm)作为掺杂材料制备铁基MgB2线.首先将已混合的原料在丙酮介质中球磨,真空干燥后,将粉末填入铁管内,然后通过孔型轧制、旋锻和拉拔等冷加工工艺得到11m长外径Ф1.75mm铁基MgB2超导线.用扫描电镜,电子能谱,X射线衍射仪和超导量子干涉仪测试发现,样品微观结构整齐,晶粒大小均匀,内部仅含微量MgO,TC(onset)=35.1K,ΔTC=5.3K.纳米SiC掺杂后,其中C造成MgB2晶格畸变,形成有效磁通钉扎中心,C元素在MgB2中分布均匀.标准四引线测试结果表明,11m线均分10段后,各点的Jc(4.2K,10T)均超过1.0×104A/cm2,最高值达到1.2×104A/cm2.在10—18T范围各点临界电流值分布均匀,变化率小于10%.; 禹争光马衍伟王栋樑张现平高召顺K.Watanabe黄伟文; 关键词：强磁场

新型超导体MgB_2及其掺杂研究被引量：1: 2006年; MgBz是在2001年新发现的超导材料。它作为一种新型超导体材料备受关注且发展迅速,但其较低的不可逆场和较小的高磁场临界电流密度已成为阻碍其发展的关键。化学掺杂由于具有方便快速、能均匀改性等优点而成为当前提高MgB2超导性能的研究热点。重点评述了有关MgB2的元素或化合物掺杂研究的国内外最新进展, 并从基础和应用的角度提出了MgB2超导材料需要深入研究的问题。; 张现平马衍伟许爱霞; 关键词：超导材料 MGB2 掺杂

纳米SiC掺杂MgB2超导带材的制备及其性能研究被引量：3: 2006年; 采用粉末装管法制备了SiC掺杂的MgB2带材系列样品.通过X射线衍射仪、扫描电子显微镜和超导量子干涉仪等仪器对样品进行了表征.实验结果表明,SiC掺杂对于提高MgB2带材的超导性能具有十分有效的作用.掺杂量为5%时,在4.2K和10T条件下,掺杂样品的临界电流密度高达9024A/cm2,是未掺杂样品的32倍多.掺杂样品在高磁场下具有良好的临界电流性能主要归因于C对B的替代所产生的晶格畸变、位错等缺陷和局部成分变化而导致的有效晶内钉扎作用,同时由于掺杂而提高的晶粒连接性也对临界电流密度的提高起到一定作用.; 张现平马衍伟高召顺王栋梁禹争光Watanabe Kazuo郭建栋; 关键词：SIC掺杂

Doping effects of ZrC and ZrB_2 in the powder-in-tube processed MgB_2 tapes: 2006年; We have investigated the effects of ZrC and ZrB2 doping on the superconducting properties of the powder-in-tube processed MgB2/Fe tapes. Sam- ples were characterized by X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscopy (SEM/EDX), transport and magnetic measurements. We confirmed the fol- lowing quite different roles of ZrC and ZrB2 in MgB2. ZrC doping was found to decrease the transport critical current density (Jc) at 4.2 K, while the critical temperature (Tc) kept constant. In contrast, the Jc values in magnetic fields were enhanced greatly by the ZrB2 addition, which resulted in a decrease in Tc by only 0.5 K. The reason for different effects of two dopants is also discussed.; MA Yanwei; 关键词：MGB2 临界电流密度 ZRC ZRB2

强磁场在新材料制备过程中的应用研究: 与传统材料棚比,新型材料的研制更加依赖于极端技术条件。采用一定的制备条件对材料的结构进行控制是20世纪以来材料制备领域主要关注的问题。强磁场作为一种极端条件的特殊电磁场形态,能够将高强度能量无接触的传递到物质的原子尺度,...; 许爱霞马衍伟肖立业; 关键词：强磁场超导磁体磁取向磁悬浮; 文献传递

ZrC和ZrB_(2)掺杂对PIT法制备MgB_(2)带材的影响: 2006年; 采用ZrC和ZrB2掺杂在常压条件下制备了MgB2/Fe超导带材.利用X射线衍射、扫描电子显微镜、电测和磁测等手段,重点研究了ZrC和ZrB2掺杂对超导带材组织和性能的不同影响.结果显示,ZrC掺杂导致带材临界电流密度的降低,临界转变温度保持不变;ZrB2掺杂则显著提高了带材高场下的临界电流密度,而临界转变温度略微下降了0.5K.实验结果表明,采用ZrB2掺杂原位PIT技术可制备出具有高临界电流密度的MgB2带材.; 马衍伟高召顺; 关键词：MGB2 粉末套管法临界电流密度掺杂

纳米C和SiC掺杂对MgB_2带材超导性能的影响被引量：10: 2006年; 采用X射线衍射仪,扫描电镜,超导量子干涉仪等仪器对纳米C和SiC掺杂的MgB2带材进行了表征,并采用标准四引线法对样品的临界电流进行了测试.实验表明,C和SiC掺杂在提高MgB2带材高场下的临界电流密度方面具有显著效果.在温度为4.2K、磁场大于9T条件下,C和SiC掺杂样品的临界电流密度与未掺杂样品相比均提高一个数量级以上.掺杂样品高磁场下良好的临界电流性能主要归因于C对B的替代所产生的晶格畸变、位错等缺陷和局部成分变化而导致的有效晶内钉扎作用.实验结果表明,SiC掺杂的MgB2带材之所以具有非常好的高场电流特性,和C掺杂的样品一样,C对B的替代起到十分关键的作用.; 张现平马衍伟高召顺禹争光K.Watanabe闻海虎; 关键词：SIC掺杂

强磁场条件下材料制备及其研究进展被引量：17: 2006年; 强磁场极端条件下材料制备是当前国际上的研究热点.全面介绍了稳态强磁场应用于材料制备过程的研究进展,包括超导、磁性、金属以及纳米等新型材料,并从强磁场作用下产生的磁化力角度重点讨论了其影响各种新型材料制备过程的机理.最后,对强磁场材料科学的研究趋势进行了展望.; 马衍伟肖立业严陆光; 关键词：强磁场磁场取向磁化力

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国家自然科学基金(50472063)