国家自然科学基金(60206005)
- 作品数：3 被引量：6H指数：1
- 相关作者：林殷茵汤庭鳌赖云峰刘欣乔保卫更多>>
- 相关机构：复旦大学上海交通大学更多>>
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- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 相变存储器多态存储方法被引量：4
- 2008年
- 提出两种实现相变存储器多值存储的方法.这两种方法基于新的机理,即通过存储单元结构或相变材料的改进来得到在传统"高阻态"和"低阻态"两态之间稳定的中间电阻状态.与传统实现相变多态存储的方法相比,利用这两种方法实现的多值相变存储,可以有效地提高多态存储的可靠性和抗噪声性能,有利于在提高存储密度的同时简化外围电路的设计,在实际应用中有良好的前景.
- 刘欣周鹏林殷茵汤庭鳌赖云峰乔保卫冯洁蔡炳初BOMY CHEN
- 关键词：微电子技术相变存储器
- 镧掺杂对PZT铁电薄膜漏电学特性的影响被引量：1
- 2004年
- 研究了镧掺杂对PZT铁电性能和相结构的影响。研究表明镧掺杂增加了(110)和(200)峰的强度,减小了(111)峰的相对强度,导致矫顽场和极化强度的下降。研究了镧掺杂对漏电特性的影响,以及肖特基势垒电流模型。
- 程继林殷茵汤庭鳌
- 关键词：PZT矫顽场极化强度
- 一种MFIS类结构的阈值电压新模型及其C—V特性分析被引量：1
- 2005年
- 采用物理和数学分析相结合的方法,构建了MFIS结构阈值电压的一种新的解析模型,对此解析模型的分析表明,铁电材料的介电常数越低,电滞回线的矩形度越好,MFIS结构的存储特性越好.由该模型进一步得到了MFIS结构的C—V曲线,对C—V曲线物理过程的分析表明,工作频率以及铁电电滞回线是否饱和对C—V特性有较大影响,而C—V曲线的窗口与MFIS结构存储特性密切相关.
- 陈园琦林殷茵汤庭鳌夏立
- 关键词：C-V特性阈值电压电滞回线铁电材料
