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国家科技基础条件平台建设计划(2005DKAl08002005DKAl0806)
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相关作者:
刘芬
赵良仲
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王海
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宋小平
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邱丽美
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刘芬
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2013
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硅片表面超薄氧化硅层厚度测量关键比对CCQM—K32
2013年
利用X射线光电子能谱技术,建立了硅片表面超薄氧化硅层厚度(小于10nm)准确测量方法。中国计量科学研究院参加了国际关键比对CCQM—K32,根据公布的国际关键比对结果,中国计量科学研究院的测量结果与参比的各国国家计量研究院的测量结果达到了等效一致,测量结果的不确定度为4.6%~7.0%。
王海
刘芬
阚莹
宋小平
赵良仲
邱丽美
关键词:
计量学
厚度测量
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SIO2
X射线光电子能谱
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