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分子动力学模拟C＋离子与聚变材料钨的相互作用被引量：4: 2013年; 采用分子动力学方法模拟不同能量的C+离子与聚变材料钨的相互作用。模拟结果表明:当C+离子入射剂量为3.11×1016cm-2,入射能量为50 eV时,样品表面形成一层碳膜;而入射离子能量为150和250 eV时,C+离子入射到样品内与钨原子共同形成碳钨混合层,样品表面没有形成碳膜;碳的沉积率随能量的增大先减小后增加,溅射率随能量的增大先增大后减小;轰击后的样品中,碳原子密度、C-W键密度及C-C键密度分布都随能量的增加逐渐向样品内移动,且C-W键分布厚度随能量的增加而逐渐增加,C-C键分布厚度几乎不随能量变化;在作用过程中极少量的钨原子发生溅射,但引起钨晶格损伤严重;碳在轰击后的样品中主要以Csp3杂化形式存在。; 田树平贺平逆张静全潘宇东苟富均; 关键词：分子动力学

氢原子在第一壁材料铍表面散射行为的分子动力学模拟: 2013年; 采用分子动力学方法模拟了H原子在Be表面的散射。模拟结果表明,在入射能量为1、3、5、7和9eV时,H原子散射率随着入射角度的增加而增大。在垂直入射角度时,散射率随着入射能量增加而线性减小。入射能量为1eV时,所有氢原子为接触Be表面就发生散射;当入射能量为5eV时,垂直入射及45°入射的氢原子中大约14.7%粒子注入到表面以下,而85入射的氢原子则全部发生散射;当入射能量为9eV时,35.8%的氢原子在表面向下1、2层原子间发生散射,且能量越大,入射的深度越深。此外,还分析了散射氢原子密度分布和平均能量分布随散射角的变化关系。; 田树平曹小岗张静全潘宇东苟富均; 关键词：分子动力学 BE 散射角

利用湿化学法对不同粒径硅粉进行表面改性研究被引量：2: 2014年; 通过湿化学方法,利用硅氢化反应,通过对刻蚀体系、脱氧方式、刻蚀后硅粒子的分离方法等工艺的优化,成功地实现了微米硅、纳米硅及硅量子点的表面烃基改性。傅里叶变换红外光谱及扫描电子显微镜测试结果表明,硅粒子的表面是通过Si—C键的连接方式实现了烃基改性。与改性前相比,改性后的硅粒子具有显著提升的抗氧化性和抗团簇能力,能够在有机溶剂中形成稳定的分散体系。值得一提的是,与未经改性的硅量子点相比,经烃基改性后的硅量子点的荧光发射性能有了大幅提高,有望应用于光电领域。; 刘东卢志云张静全黄艳李龙章武莉莉黎兵李卫冯良桓; 关键词：烃基湿化学法硅氢化反应

PECVD法硅纳米晶体的制备及在线表面改性被引量：2: 2014年; 通过等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)制备粒径大小可以控制的硅纳米晶体,并对制备的纳米晶硅进行了在线表面改性.实验结果表明:成功获得了表面经烃基改性的不同粒径的纳米晶硅.相较于没有改性的纳米晶硅,它具有良好的抗氧化性和抗团簇能力,在有机溶剂中有着很好的分散性.; 张珈铭张念波张静全李卫武莉莉黎兵冯良桓; 关键词：PECVD 表面改性

1.7MeV电子辐照对CdTe太阳电池电流传输特性影响的图谱分析（英文）: 2014年; 研究了1.7 MeV的电子辐照对具有Anti-radiation glass/ITO/ZnO/CdS/CdTe/ZnTe/ZnTe:Cu/Ni结构的碲化镉多晶薄膜太阳电池器件性能的影响。抗辐照玻璃的使用,有效防止了普通玻璃受辐照后性能变化对测试结果的影响。利用光、暗I-V,C-V,QE,AS等测试手段,分析了包括开路电压、短路电流、转换效率在内的电池性能。通过对比研究暗电流密度、分析了辐照对电池电流传输特性的影响。辐照后短路电流下降很大,电池效率明显降低。反向饱和电流密度有所增加,表明太阳电池的pn结特性受到损伤,而二极管理想因子几乎不变,说明太阳电池电流的输运机制未发生了变化。量子效率曲线证明是由于太阳电池结区损伤影响了光生载流子的收集。辐照使载流子浓度下降为原来的40.6%。导纳谱研究最终发生辐照会引入Cd^(2+)缺陷能级,其位置为E_1—E_v=(0.58±0.02)eV,俘获截面为1.78×10^(-16)cm^2,表明辐照会影响光生载流子的产生,增加了载流子复合的概率,使得反向暗电流增大,最终导致电池的短路电流衰减。; 田金秀曾广根何绪林张静全武莉莉李卫黎兵王文武冯良桓; 关键词：电子辐照电流传输 CDTE太阳电池

纳米晶硅的掺杂及表面改性研究(英文): 2014年; 采用基于密度泛函理论的第一性原理方法(DMOL3程序),在广义梯度近似(GGA)下,计算了硅纳米晶(Si75H76)在B和P掺杂和乙基(—CH2CH3)、异丙基(—CH(CH3)2)表面改性等情形下态密度、结合能及能隙的变化。结果表明:掺杂对体系的禁带宽度(约3.12eV)几乎没有影响,但会引入带隙态;三配位的B掺杂,在禁带中靠近导带约0.8eV位置引入带隙态,三配位的P掺杂在禁带中靠近价带0.2eV位置引入带隙态;四配位的B掺杂,在禁带中靠近价带约0.4eV位置引入带隙态,四配位的P掺杂在禁带中靠近导带约1.1eV位置引入带隙态;且同等掺杂四配位时体系能量要低于三配位;适当的乙基或异丙基表面覆盖可以降低体系的总能量,且表面覆盖程度越高体系能量越低,但在表面嫁接有机基团过多将导致过高位阻,计算时系统不能收敛。; 张念波田金秀李卫武莉莉黎兵张静全冯良桓徐明; 关键词：掺杂表面改性

CH与聚变材料Be相互作用的分子动力学模拟: 2014年; 采用分子动力学方法模拟了不同能量的CH粒子与聚变材料Be的相互作用。根据托卡马克中的环境,入射粒子CH的模拟入射能量分别设定为低能量(1,5,10,25 eV)和高能量(50,100,150,200 eV),其中碳的沉积率随能量的增大逐渐增加,而氢的沉积率恰好相反。当CH粒子的入射能量为低能量时,Be样品表面形成一层碳氢膜;且其膜厚度越来越薄,并且形成一个厚度逐渐增加中间层;当入射能量为高能量时,样品中的Be原子溅射越来越大,入射粒子在样品中的入射深度越来越深,对样品的破坏越来越大,且会在样品中形成一个C反应层。; 曹小岗田树平欧巍张静全潘宇东苟富均陈顺礼; 关键词：分子动力学化学键中间层

H与C/Be混合层相互作用的分子动力学模拟: 2014年; 利用分子动力学方法研究了H原子与C/Be样品的相互作用过程,当H原子轰击C/Be样品时,发现有一些H原子渗入样品中并且滞留在样品中,H原子的滞留率随H原子的初始入射能量的升高呈线性增长,有些沉积在样品中H原子与C原子相互作用形成H-C键。溅射产物以H原子和H2分子为主。H和H2的产额率随初始入射能量的变化趋势相反,分析了不同机制下产物H和H2的产额率随初始入射能量的关系,且通过分析H原子的入射能量和样品的原子密度的关系来研究轰击后的样品,发现样品中原子分布变化很小,同时分析了化合物中的化学键分布变化较小,只是其化学键的分布峰向样品表面移动。; 曹小岗田树平欧巍王建强张静全潘宇东苟富均陈顺礼; 关键词：等离子体分子动力学化学键

CH_3与不同基底温度的聚变材料钨相互作用: 2014年; 采用分子动力学方法模拟200eV的CH3粒子轰击到不同基底温度的钨样品上，分析了C、H原子在钨表面的沉积、散射及溅射情况，结果表明C、H原子的沉降量均随入射剂量的增加而增加。在基底温度为100K时，相同入射剂量下沉积的C原子最多，而当基底温度为1200K，在入射剂量大于1.5×1016cm-2时，C原子的沉降量小于其它基底温度下的C的沉降量。CH3在轰击样品时发生了分解，各种分解情况随基底温度变化较小，其中不同基底温度下一级分解率在40%上下波动，二级分解在23%左右，而完全分解的CH3在9%左右。C、H原子的散射角主要分布在5°-85°间，散射C原子分布的最大值分布在40°-50°或50°-60°间，散射C原子分布的最小值分布在0°-10°或80°-90°间；而不同基底温度下散射 H 原子分布的最大值均在40°-50°间，最小值均在0°-10°间。散射C原子的能量在0-140eV之间，散射能量为0-120eV的C原子占散射总量的98%以上，散射C原子平均能量随基底温度的增加而增加，其变化从65.5eV 增加到68.5eV；散射 H 原子的能量也在0-140eV 之间，但大约70%的散射H原子能量在40eV以内，散射平均能量随基底温度的增加而减小，其变化从13.92eV减小到13.05eV。; 田树平曹小岗杨党校陶科伟张静全潘宇东苟富均; 关键词：分子动力学散射

分子动力学模拟CH^+离子与聚变材料钨的相互作用被引量：1: 2013年; 采用分子动力学方法模拟了不同能量的CH+离子与聚变材料钨的相互作用。模拟结果表明:在入射过程中,能量分别为50、100和150eV的入射粒子,在不同入射剂量下,碳、氢原子沉积率发生突变,相互作用过程中造成少量的钨原子发生溅射,但溅射率不超过0.24%。当入射剂量达3.92 1016cm 2左右时,入射能量为50eV的离子轰击样品的表面形成一层不含钨原子的碳氢薄膜,其它能量下形成钨碳氢的混合薄膜;而碳、氢原子沉积率都随入射能量的增加先减小后增加,沉积率最小值分别出现在能量为250和200eV时;轰击后的样品中碳氢原子、C H、C C、W C键密度分布都在向样品内移动,且样品中碳原子主要以sp3杂化形式存在。; 田树平曹小岗肖家浩张浚源张静全潘宇东苟富均

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国家高技术研究发展计划(2011AA050515)

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机构

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