国家自然科学基金(50632060)
- 作品数：40 被引量：123H指数：7
- 相关作者：龚海梅唐恒敬李雪吴小利张可锋更多>>
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- 128×1线列InGaAs短波红外焦平面的研究被引量：14
- 2006年
- 报道了用分子束外延(MBE)方法生长的掺杂InGaAs吸收层PIN InP/InGaAs/InP双异质结外延材料,通过干法刻蚀和湿法腐蚀相结合制作台面、硫化和聚酰亚胺钝化、电极生长等工艺,制备了128×1台面正照射InGaAs探测器阵列.测试了器件的变温I-V、响应光谱和探测率,在278K时平均峰值探测率为1.03×1012cmHz1/2W-1.实现了128元InGaAs探测器阵列与CTIA结构L128读出电路相互连,经封装后,在室温(291K)时成功测出128元响应信号.焦平面响应的不均匀性为18.3%,并对不均匀性产生的原因进行了分析.
- 吕衍秋徐运华韩冰孔令才亢勇庄春泉吴小利张永刚龚海梅
- 关键词：探测器焦平面INGAAS钝化
- p^+-InP/n-InGaAs/n-InP双异质结结构的微波反射光电导衰减法表征及机理分析
- 2007年
- 采用微波反射光电导衰减法测量了p+-InP/n-InGaAs/n-InP双异质结材料的非平衡载流子寿命分布,通过对非平衡载流子浓度在p+n结中衰减过程的分析,建立了在此结构材料中微波反射光电导衰退法测试少子寿命与器件参数之间的联系,并且解释了寿命测试值随温度降低而减小的反常行为.
- 吴小利王妮丽张可峰唐恒敬黄翌敏韩冰李雪龚海梅
- 关键词：铟镓砷双异质结
- 平面型InGaAs红外探测器I-V特性研究被引量：2
- 2009年
- 采用闭管扩散方式,利用SiO2及Si3N4扩散掩膜在NIN型InP/In0.53Ga0.47As/InP外延材料上制备了两种不同的平面型InGaAs红外探测器,研究了室温下不同扩散区面积的两种器件的正向I-V特性及反向暗电流密度与器件周长面积比的关系,结果表明,扩散区边缘的钝化是平面型InGaAs探测器的制备过程中非常重要的一环,而且Si3N4薄膜的钝化效果优于SiO2薄膜。室温下和-0.1V偏压下,采用Si3N4扩散掩膜的器件的暗电流密度约为20nA/cm2。
- 李永富唐恒敬李淘朱耀明李雪龚海梅
- 关键词：电流密度
- 基于N-on-P结构的背照射延伸波长640×1线列InGaAs探测器被引量：5
- 2012年
- 在N-on-P型In0.78Al0.22As/In0.78Ga0.22As外延材料上,采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术制备了背照射640×1线列InGaAs探测器芯片,研究了探测器光电性能.结果表明,室温下单元器件响应截止波长和峰值波长分别为2.36μm和1.92μm,平均优值因子(R0A)为16.0Ω.cm2,峰值量子效率达到了37.5%;在1 ms积分时间下焦平面探测器平均峰值探测率达到了2.01×1011 cmHz1/2/W,响应非均匀性为8.77%,盲元率约为0.6%.
- 朱耀明李永富李雪唐恒敬邵秀梅陈郁邓洪海魏鹏张永刚龚海梅
- 关键词：ICP刻蚀线列探测器
- 从红外焦平面MTF曲线计算串音值的方法
- 串音使得焦平面输出信号的对比度降低,进而影响系统的调制传递函数MTF。随着器件的发展,用MTF来评价器件越来越受到重视;从民用领域的趋势看,MTF将逐步取代传统的串音、极限分辨率等参数。这就使得现阶段搭建串音专用测量设备...
- 许中华方家熊
- 关键词：红外焦平面串音MTF
- 文献传递
- InGaAs/InP红外探测材料与线列器件的研究
- GaAs是直接带隙材料，具有高电子迁移率、低背景载流子浓度、均匀的厚度、平整的界面，良好材料稳定性，是一种理想短波红外探测器材料。本文主要是对探测范围0.9-1.7μm、256×1线列阵和探测范围1.8～2.4...
- 缪国庆金亿鑫宋航蒋红黎大兵李志明孙晓娟
- 关键词：金属有机化学气相淀积红外探测材料
- 红外焦平面读出电路片上驱动电路设计被引量：3
- 2011年
- 线列红外焦平面读出电路在正常工作时需要提供多路数字脉冲和多路直流偏置电压。本文基于0.5μm CMOS工艺设计了一款驱动电路芯片,为电容负反馈放大型(CTIA)读出电路(ROIC)提供驱动信号。电路芯片采用带隙基准电路产生低噪声低温漂的直流偏置电压,采用数字逻辑电路生成CLK1,CLK2,RESET等八路数字脉冲。仿真及测试结果表明:驱动电路芯片输出的数字脉冲及偏置电压符合设计值,可驱动CTIA型线列红外焦平面读出电路稳定工作。
- 黄张成黄松垒张伟陈郁方家熊
- 关键词：红外焦平面读出电路带隙基准
- InGaAs台面探测器的AlN钝化研究被引量：1
- 2009年
- 首次介绍了采用AlN介质薄膜为钝化层的InGaAs台面型探测器(λc=2.4μm)。探测器采用分子束外延(MBE)方法生长的原位掺杂的PIN In0.78Ga0.22As/In0.78Ga0.22As/InxGa1-xAs/InP外延材料。由于台面型器件的裸露面积较大,特别是台面的成形工艺所带来的侧面损伤,加大了光生载流子的表面复合,使器件的暗电流、噪声等性能急剧下降。采用新的AlN钝化工艺,制备了8元正照射台面InGaAs探测器,室温下(T=300K)电压为-0.5V时,探测器的暗电流(ID)约为9×10-8A,优值因子(R0A)大于30Ωcm2,通过与其他钝化工艺所制备的器件的性能进行分析对比得出:AlN能有效地改善器件的表面状态,减小表面复合,从而降低了暗电流,提高了探测器的性能。
- 张可锋李淘唐恒敬李永富宁锦华李雪龚海梅
- 关键词：INGAAS探测器ALN钝化层暗电流
- 平面型2．6μmInGaAs红外探测器变温特性研究被引量：5
- 2009年
- 通过闭管扩散方式,在NIN型InP/In0.82Ga0.18As/InP材料上制备了单元及八元平面型红外探测器件,研究了器件的光谱响应特性、变温电流-电压特性以及器件探测率的温度响应特性。研究表明,不同温度下,在较低的偏压下,器件的正向暗电流的主要成分为源于材料缺陷的产生-复合电流,随着电压增大,器件的电流将会受到串联电阻的限制而趋于饱和。在近室温(>250 K)下,器件的反向电流主要以扩散电流和产生-复合电流为主,随着温度降低(<158 K),与偏压成正比的隧穿电流将占优势。温度>158 K时,器件的R0A值主要受产生-复合机制影响,温度<158 K时,R0A值则受缺陷辅助遂穿机制限制。随着温度的降低,器件的峰值探测率在210 K达到峰值,单元器件约1.7×109cmHz1/2/W,八元器件约9.4×109cmHz1/2/W。
- 李永富唐恒敬张可峰李淘宁锦华李雪龚海梅
- 关键词：隧穿电流暗电流
- 近红外256×1元InGaAs焦平面探测器无效像元研究被引量：5
- 2011年
- 采用分子束外延方法生长的PIN型InP/InGaAs/InP双异质结材料制备了正照射256×1元近红外探测器,并与128×1奇偶两路读出电路互连,制备了近红外256×1元焦平面探测器.针对近红外InGaAs焦平面探测器中的无效像元问题,通过光学显微镜、扫描电镜和电学测试将无效像元进行分类,并分析了无效像元产生的原因.研究结果表明光敏芯片较低的零偏电阻、键压过程引入的损伤和虚焊以及钝化膜侧面覆盖较薄导致了无效像元的产生,通过光敏芯片设计结构改进和钝化膜工艺优化,消除了近红外256×1元InGaAs焦平面探测器的无效像元.
- 李雪邵秀梅唐恒敬汪洋陈郁龚海梅
- 关键词：近红外焦平面
