河北省自然科学基金(603080)
- 作品数：9 被引量：33H指数：4
- 相关作者：陈国鹰花吉珍安振峰辛国锋康志龙更多>>
- 相关机构：河北工业大学中国电子科技集团第十三研究所天津商学院更多>>
- 发文基金：河北省自然科学基金河北省科技攻关计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 半导体激光器阵列隔离槽的湿法腐蚀被引量：1
- 2003年
- 研究了几种腐蚀液对半导体激光器阵列外延材料的腐蚀过程 ,其中HF(40 %) /CrO3 (33wt%)腐蚀液比较适合 ,用扫描电子显微镜 (SEM)对其腐蚀情况进行了分析 ,并给出了利用这种腐蚀液进行腐蚀的半导体激光器阵列隔离槽的图像 .通过调节HF/CrO3 腐蚀液的体积比 (从 0 0 2到 0 2 ) ,确定了AlxGa1-xAs组分渐变材料的腐蚀条件 (室温 2 3℃ ,腐蚀时间 4min)以及最佳配比 (体积比为 0 1) .利用这种腐蚀液得到的腐蚀图形可以满足激光器阵列的要求 .
- 辛国锋陈国鹰冯荣珠花吉珍安振峰牛健赵卫青
- 关键词：半导体激光器阵列扫描电子显微镜
- 10%占空比大功率半导体激光器线阵列被引量：5
- 2004年
- 利用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)技术生长了分别限制应变单量子阱激光器材料。利用该材料制成半导体激光(LD)线阵列的峰值波长为939.5nm,光谱的半高全宽(FWHM)为2.3nm,在400μs、250Hz的输入电流下,输出峰值功率达到65W(75A),斜率效率高达1W/A,阈值电流密度为185A/cm2,最高转换效率可达42%。
- 康志龙辛国锋陈国鹰花吉珍安振峰郭艳菊高丽艳
- 关键词：线阵列大功率半导体激光器峰值功率FWHM单量子阱激光器LD
- 湿法腐蚀DFB半导体激光器的均匀光栅的研究被引量：2
- 2005年
- 论述了用湿法腐蚀电子束光刻的均匀光栅DFB激光器亚微米光栅的过程,研究了几种腐蚀液对半导体激光器外延材料中InP的腐蚀过程。用扫描电子显微镜(SEM)对其腐蚀情况进行了分析,通过调节腐蚀液HBr:HNO3:H2O的体积比,找到了对InP腐蚀的最佳配比(1:1:30)以及合适的腐蚀条件(室温23℃)。利用这种腐蚀液得到的光栅图形可以满足DFB激光器的要求。
- 高丽艳陈国鹰花吉珍张世祖郭艳菊
- 关键词：扫描电子显微镜
- 941nm大功率应变单量子阱激光器的波长设计被引量：11
- 2004年
- 从薛定谔方程出发推导了阶梯形有限深应变单量子阱中的特征值方程 ,研究了台阶宽度对激射波长、电子第一子能级、空穴第一子能级的影响以及空穴第一子能级对激射波长的影响 ,计算结果表明当有源区In组分较大时 ,不能忽略空穴第一子能级对激射波长的影响 .该模型计算结果与实验值相吻合 .
- 辛国锋陈国鹰花吉珍赵润康志龙冯荣珠安振峰
- 关键词：薛定谔方程应变量子阱量子阱激光器
- 941nm 2%占空比大功率半导体激光器线阵列被引量：4
- 2004年
- 计算了半导体激光器的激射波长与量子阱宽度以及有源层中In组分的关系 ,确定了94 1nm波长的量子阱宽度和In组分 并利用金属有机化合物气相淀积 (MOCVD)技术生长了InGaAs/GaAs/AlGaAs分别限制应变单量子阱激光器材料 利用该材料制成半导体激光器线阵列的峰值波长为 94 0 .5nm ,光谱的FWHM为 2 .6nm ,在 4 0 0 μs ,5 0Hz的输入电流下 ,输出峰值功率达到1 1 4 .7W(1 6 5A) ,斜率效率高达 0 .81W/A ,阈值电流密度为 1 0 3.7A/cm2 ,串联电阻 5mΩ ,最高转换效率可达 36 .9%
- 辛国锋花吉珍陈国鹰康志龙杨鹏徐会武安振峰
- 关键词：金属有机化合物气相淀积半导体激光器阵列分别限制结构单量子阱
- 大功率半导体激光器二维阵列光纤耦合技术
- 2007年
- 介绍了大功率半导体激光器二维阵列的光纤耦合技术,其中有整形耦合法、偏振合束法和波长合束法。用光线追迹法进行了二维阵列的光纤耦合模拟,对结果进行了分析,提出了改进办法,为进一步开展二维阵列的光纤耦合工作提供了有益的借鉴。
- 刘秀玲徐会武赵润王聚波花吉珍陈国鹰
- 关键词：大功率半导体激光器光纤耦合二维阵列
- 调制掺杂对AlGaN/GaN HEMT材料电学性能的影响被引量：1
- 2007年
- 利用范德堡Hall方法和汞探针C-V方法,研究了不同Si调制掺杂浓度对AlGaN/GaNHEMT材料电学性质的影响。发现Si掺杂可以改善材料电学性能,二维电子气(2DEG)面密度和方块电阻(nS×μ)可以通过Si调制掺杂精确控制。当Si掺杂浓度为3×1018cm-3时,得到了最低的方块电阻360Ω/□。尽管受到高浓度电子和离化杂质对二维电子气的散射影响,迁移率仍可达1220cm2/(V.s)。分析了范德堡Hall方法和汞探针C-V方法的差别,同时测得材料的阈值电压也在合理范围。
- 许敏袁凤坡陈国鹰李冬梅尹甲运冯志宏
- 关键词：调制掺杂ALGAN/GAN高电子迁移率晶体管迁移率
- 光发射模块研究与进展被引量：7
- 2005年
- 介绍了光发射模块的工作原理、制作工艺和发展现状;详细分析了光发射模块在电路设计、封装及总体设计上的关键技术,给出了当前光发射模块的研究发展方向。
- 郭艳菊陈国鹰安振峰陈雷高丽艳
- 关键词：光发射模块封装
- 连续波工作高功率应变单量子阱半导体激光器被引量：3
- 2003年
- 利用金属有机化合物气相淀积 ( MOCVD)技术成功生长了 In Ga As/Ga As/Al Ga As分别限制应变单量子阱材料 ,用该材料制成的单管半导体激光器在室温下连续波输出功率高达 2 .36 W,中心激射波长为 94 4nm,斜率效率高达 0 .96 W/A,阈值电流密度为 177.8A/cm2。该波长的半导体激光器是 Yb:YAG固体激光器的理想泵浦源。
- 辛国锋陈国鹰花吉珍康志龙赵卫青安振峰冯荣珠牛健
- 关键词：半导体激光器金属有机化合物气相淀积连续波MOCVD材料结构
