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高质量立方氮化硼薄膜的射频磁控溅射制备及其性能表征被引量：2: 2005年; 运用射频磁控溅射法在硅片上制备了立方氮化硼薄膜 ,并对射频功率、气体分压比及衬底偏压等参数对膜中立方氮化硼 (c -BN)含量的影响进行了研究。采用傅立叶红外光谱 (FTIR)、拉曼光谱、X射线光电子能谱 (XPS)和原子力显微镜 (AFM )对c -BN薄膜进行了表征和分析。结果表明 :30 0W的射频功率是制备c -BN薄膜的最佳条件 ;当气体分压比Ar/N2 =5 1时 ,制备的薄膜中c -BN含量相对最高 ;立方氮化硼的形成存在偏压阈值 (约 80V ) ,低于此偏压c -BN很难形成。拉曼光谱分析进一步确认了BN薄膜的晶相结构。AFM和XPS分析结果表明c -BN薄膜结晶良好 ,晶粒尺寸细小 ,具有很好的化学配比 ,B原子与N原子的含量比为 1l。; 蔡志海杜玉萍谭俊张平赵军军黄安平许仕龙严辉; 关键词：立方氮化硼薄膜射频磁控溅射拉曼光谱分析

立方氮化硼薄膜的制备与表征被引量：9: 2002年; 在对国内外立方氮化硼薄膜的制备工艺及其表征方法进行了综述的基础上,分析了立方氮化硼膜制备中存在的问题,即薄膜的内应力高,结合强度低,沉积温度高,沉积速率低,以及cBN中SP3键含量不稳定。并提出了今后的研究方向:①cBN膜成核生长机理问题;②低温下大面积、高速生长的异质外延和定向生长问题;③膜基结合问题;④发展新的成膜技术,寻求无毒无污染的反应材料;⑤开发cBN膜的应用。; 谭俊蔡志海张平唐云; 关键词：立方氮化硼 PVD CVD

高速钢基体离子注氮对c-BN薄膜制备的影响研究: 2004年; 采用射频磁控溅射法在离子注氮的高速钢基体上沉积制备c-BN薄膜,主要研究离子注氮层对c-BN薄膜相结构和内应力的影响;采用各种现代分析方法对沉积的薄膜进行了表征分析,包括傅立叶红外光谱(FTIR)、X射线光电子能谱(XPS)和原子力显微镜(AFM)等分析方法;试验结果表明:高速钢基体上离子注氮有利于立方氮化硼含量的提高和薄膜内应力的降低,同时注氮处理的高速钢基体上沉积的薄膜表面形貌平整,结晶性较好。并采用X射线衍射分析(XRD)对高速钢基体的离子注氮层进行了相结构分析,探索研究了离子注氮层对c-BN薄膜生长的影响。; 谭俊蔡志海张平唐云; 关键词：立方氮化硼薄膜射频磁控溅射

高速钢基体离子注硼对c-BN薄膜生长的影响: 本文采用射频磁控溅射法在离子注硼的硅和高速钢基体上沉积制备c-BN薄膜,采用各种现代分析方法对沉积的薄膜进行了表征分析,包括傅立叶红外光谱(FTIR)、X射线光电子能谱(XPS)和原子力显微镜(AFM)等分析方法;试验结...; 谭俊蔡志海张平; 关键词：立方氮化硼薄膜离子注入射频磁控溅射; 文献传递

立方氮化硼薄膜的形核与生长过程试验研究被引量：1: 2005年; 采用离子束辅助沉积法在硅片上成功制备了一定立方相含量的氮化硼薄膜,采用各种现代分析方法对沉积的薄膜进行了表征分析,包括傅立叶红外光谱(FTIR)、X射线光电子能谱(XPS)和原子力显微镜(AFM)等分析方法;并利用FTIR结果系统研究了衬底的表面清洁度和辅助能量、辅助束流、辅助气体中氮气含量、温度以及离子原子到达比等参数对膜中立方氮化硼含量的影响。试验结果表明:立方氮化硼薄膜成核与生长的条件窗口比较窄,要获得高质量的立方氮化硼薄膜,各种镀膜参数的相互合理调整与匹配是必要的。; 蔡志海张平谭俊; 关键词：离子束辅助沉积形核

硼膜多步骤注N的镀层结构研究: 2002年; 用离子束溅射硼靶,在W6Mo5Cr4V2钢上沉积一层硼膜,再用反冲注入法注氮以形成氮化硼(BN),注入时采用逐次递减能量(即50 keV,30 keV,10 keV)的多步骤注入。用XPS分析膜的成分深度分布及元素的化学价态;用傅立叶红外(FTIR)反射谱分析膜的结构,结果表明:膜基界面产生混合,与用单一能量注入相比,多步骤注入时,膜层的N/B分布比较均匀;硼在膜中以BN形式存在,膜深度较大处为a-BN或h-BN,并且随着深度的降低,膜有向c-BN转化的趋势。; 唐云张平谭俊蔡志海; 关键词：镀层离子注入氮化硼

The Adhesion Improvement of Cubic Boron Nitride Film on High Speed Steel Substrate Implanted by Boron Element: 2005年; Cubic boron nitride(c-BN) films were deposited on W6Mo5Cr4V2 high speed steel(HSS) substrate implanted with boron ion by RF-magnetron sputtering. The films were analyzed by the bending beam method, scratch test, XPS and AFM. The experimental results show that the implantation of boron atom can reduce the internal stress and improve the adhesion strength of the films. The critical load of scratch test rises to 27.45 N, compared to 1.75 N of c-BN film on the unimplanted HSS. The AFM shows that the surface of the c-BN film on the implanted HSS is low in roughness and small in grain size. Then the composition of the boron implanted layer was analyzed by the XPS. And the influence of the boron implanted layer on the internal stress and adhesion strength of c-BN films were investigated.; CAIZhi-hai（蔡志海）ZHANGPing（张平）TANJun（谭俊）; 关键词：硼元素

N^+注入W18Cr4V钢磨损性能的研究被引量：11: 2001年; W18Cr4V高速钢是一种广泛应用的刀具钢，为进一步提高其使用寿命，应用CG－60 型离子注入机对W18Cr4V高速钢进行了氮离子注入，得到一系列剂量的氮离子注入层，对注氮层的磨损性能进行研究。XRD分析表明，氮离子注入W18Cr4V钢在部分基体表层形成了CrN 、ε–FeN和（Cr，Fe）2N1-x等相；表层显微硬度也有较大提高；磨损试验表明，氮离子的注入显著提高了高速钢基体的耐磨性。还对耐磨性提高的机理进行了讨论。; 李军伟张平; 关键词：氮离子注入高速钢磨损

硅基体BNx注入缓冲层对c-BN薄膜生长和结合强度的影响: 采用射频磁控溅射法在离子注入 BN 缓冲层的硅基体上沉积制备立方氮化硼(c-BN)薄膜,并采用傅立叶红外光谱(FTIR)、X 射线光电子能谱(XPS)和原子力显微镜(AFM)对薄膜进行表征。结果表明:BN 注入缓冲层有利...; 蔡志海张平谭俊; 关键词：C-BN; 文献传递

硼缓冲注入层对氮化硼薄膜生长的影响: 2006年; 采用射频磁控溅射法在注硼的硅和高速钢基体上沉积制备c-BN薄膜,采用红外光谱(Infrared spectra, IR)、X射线光电子能谱(X-ray photoelectron spectrum,XPS)和原子力显微镜(Atomic force microscopy,AFM) 等分析方法对沉积的薄膜进行了表征分析。实验结果表明:硅基体上离子注硼有利于c-BN薄膜内应力的降低; 合适的注硼量注入高速钢基体有利于c-BN的生成和薄膜内应力的降低。AFM分析表明,注硼处理的高速钢基体上沉积的薄膜表面形貌平整,结晶性较好。此外也采用XPS方法对硅和高速钢基体硼过渡层进行了成分与组织结构分析,探索研究了硼缓冲层对c-BN薄膜生长的影响。; 谭俊蔡志海张平; 关键词：立方氮化硼薄膜离子注入射频磁控溅射

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