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中央高校基本科研业务费专项资金(11ZG01)

作品数:6 被引量:23H指数:3
相关作者:王晓东王天虎徐进良段远源赵俊杰更多>>
相关机构:华北电力大学北京科技大学清华大学更多>>
发文基金:中央高校基本科研业务费专项资金国家自然科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”更多>>
相关领域:自然科学总论电子电信动力工程及工程热物理理学更多>>

文献类型

  • 6篇中文期刊文章

领域

  • 3篇自然科学总论
  • 2篇电子电信
  • 1篇机械工程
  • 1篇动力工程及工...
  • 1篇理学

主题

  • 3篇量子效率
  • 3篇内量子效率
  • 3篇二极管
  • 3篇发光
  • 3篇发光二极管
  • 2篇多量子阱
  • 1篇样条插值
  • 1篇遮光剂
  • 1篇水蒸气
  • 1篇气凝胶
  • 1篇热沉
  • 1篇热导率
  • 1篇热力学
  • 1篇热强化
  • 1篇微通道
  • 1篇微通道热沉
  • 1篇温度场
  • 1篇消光
  • 1篇消光系数
  • 1篇芯片

机构

  • 6篇华北电力大学
  • 2篇北京科技大学
  • 2篇清华大学

作者

  • 6篇王晓东
  • 3篇徐进良
  • 3篇王天虎
  • 2篇段远源
  • 1篇安宾
  • 1篇林林
  • 1篇赵俊杰
  • 1篇王振华
  • 1篇王智学

传媒

  • 3篇应用基础与工...
  • 1篇科学通报
  • 1篇工程热物理学...
  • 1篇发光学报

年份

  • 6篇2012
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
纳米流体微通道热沉的性能强化被引量:6
2012年
基于对纳米流体热导率及黏度公式的筛选,本文发展了纳米流体微通道热沉的三维流固耦合模型,分析了热沉结构、纳米颗粒种类、粒径、体积分数及基液种类等关键参数对热沉性能的影响.结果表明:(1)纳米颗粒随机运动引起的附加热耗散强化了纳米流体的对流换热,显著提高了热沉的冷却性能;(2)纳米流体的强化作用依赖于热沉结构,且依赖关系不同于纯流体,需对纳米流体作为冷却剂的热沉结构进行优化;(3)颗粒体积分数增加,热沉热阻降低,但压降升高,综合考虑热阻和压降,最佳的冷却剂为0.5%体积分数的水基Al2O3纳米流体,相对于纯水,其使热阻降低了10.1%,压降仅增加0.38%;(4)颗粒粒径对热阻影响较小,考虑纳米流体稳定性,推荐使用小粒径的纳米颗粒;(5)Al2O3纳米颗粒优于TiO2,CuO最差,最优的基液为水,依次为乙二醇和机油.
林林王晓东王振华
关键词:纳米流体微通道热沉传热强化
气凝胶-遮光剂复合材料中遮光剂的辐射特性被引量:10
2012年
气凝胶-遮光剂复合隔热材料相比纯气凝胶,抑制辐射透过能力强,能显著提高材料在高温下的隔热性能.本文根据Mie散射理论、Beer定律及辐射传热方程,建立遮光剂的辐射特性预测模型,对不同粒径的碳黑遮光剂以及炭黑、碳化硅和氧化锆3种遮光剂的辐射性能进行计算.结果表明:在3—7.5μm的入射光波段或中高温使用环境时,添加遮光剂的气凝胶复合材料比纯气凝胶材料的消光系数有大幅提升;在固定的遮光剂质量分数下,炭黑遮光剂的最佳粒径为2—3μm;3种遮光剂中,炭黑遮光剂遮光性能最优,其次为SiC和ZrO2遮光剂,但炭黑遮光剂耐高温性能较差,因此,最佳的复合隔热材料应采用梯度设计方案,即在低温端加入炭黑遮光剂,而在中高温端加入SiC或ZrO2遮光剂.
孙夺王晓东段远源赵俊杰
关键词:气凝胶遮光剂消光系数热导率
p-T热力学面上水和水蒸气密度的快速计算被引量:2
2012年
本文采用双网格双二次样条插值方法,发展了p-T热力学面上全区域(273.16K
安宾王晓东段远源王智学
关键词:样条插值
非等温模型下LED芯片性能与衬底的关系被引量:1
2012年
发光二极管(LED)中载流子的输运及复合决定了其非均匀的内热源强度及分布,而芯片温度又影响载流子的输运及复合,两者具有强烈的耦合关系。本文利用非等温多物理场耦合模型对以蓝宝石、Si及SiC为衬底的LED芯片的内量子效率、光谱特性及光电转换效率进行了系统研究。结果表明:以SiC为衬底的LED芯片具有最小的效率下垂效应(Efficiency droop)及最高的光谱强度和光电转换效率。这是因为与其他两种衬底的LED芯片相比,以SiC为衬底的LED芯片具有最好的散热性能,因此非均匀温度场对其载流子输运及复合的影响最小,使得活性区中的载流子浓度显著增强,漏电流明显下降。
王天虎徐进良王晓东
关键词:发光二极管内量子效率衬底温度场
非等温耦合模型下大功率LED特性的研究被引量:3
2012年
本文建立了发光二极管(LED)芯片的非等温多物理场耦合模型。结果表明,芯片内热源集中在多量子阱(MQWs)区域,且靠近p-GaN的第一个量子阱(QW)内的内热源强度最高;焦耳热和非辐射复合热贡献大,而汤姆逊热和帕尔帖热贡献小,可忽略。等温模型与非等温模型的对比表明,在大电流或低冷却能力条件下,芯片内部与芯片衬底温差显著,等温模型无法准确预测芯片性能,需采用非等温模型。
王天虎王晓东徐进良
关键词:发光二极管多量子阱内量子效率
非等温模型下多量子势垒结构对LED性能的影响被引量:1
2012年
引入了多量子势垒结构作为发光二极管的电子阻挡层来提高其性能.在非等温多物理场耦合模型下,对芯片的内量子效率、发热特性、光谱特性、以及光电转换效率做了系统分析.结果表明:发光二极管的内量子效率及光电转换效率得到显著改善,光谱强度明显升高,且多量子势垒结构的引入保证了芯片的热稳定性和发光稳定性.原因主要是由于多量子势垒结构的引入改善了电子阻挡层的能带结构,减少了漏电流,显著增强了活性区中载流子浓度.
王天虎徐进良王晓东
关键词:发光二极管内量子效率多量子阱光谱强度漏电流
共1页<1>
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