国家自然科学基金(10274018)
- 作品数：41 被引量：38H指数：4
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- 相关机构：河北师范大学承德民族师范高等专科学校河北建筑工程学院更多>>
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- 相关领域：理学一般工业技术金属学及工艺电子电信更多>>
- Influence of Ti on Microstructure and Magnetic Properties of FePt Granular Films
- 2006年
- 在室温下,应用对靶直流磁控溅射设备在普通玻璃基片上制备了FePt(30 nm)／Ti(t nm)颗粒膜样品,随后,在真空中进行了原位退火。详细研究了Ti衬底层对FePt颗粒膜的微结构和磁特性的影响。X射线衍射图谱表明样品形成了较有序的L10织构,Ti和FePt形成了三元FePtTi合金。当Ti层厚度t=5 nm、退火温度Ta=500℃时,样品具有高度有序的L10织构、小的颗粒尺寸和优异的磁特性。矫顽力超过了6．7 kOe,饱和磁化强度为620emu／cc。并且具有较小的开关场分布。结果表明FePt／Ti颗粒膜系统可作为超高密度磁记录介质的候选者。
- 许佳玲孙会元杨素娟封顺珍苏振访胡骏于红云
- 关键词：磁记录介质
- Cu覆盖层对CoCrPt颗粒膜的微结构和磁特性的影响被引量：6
- 2006年
- 在室温下,应用对靶磁控溅射设备制备了系列Cu(xnm)/CoCrPt(40nm)/Cu(20nm)三明治结构的纳米颗粒膜,随后进行了原位退火。实验发现Cu覆盖层的厚度(x)对颗粒膜的微结构和磁特性有很大影响。样品垂直方向的矫顽力在x=11nm时达到最大,为138kA/m,平行于膜面方向的矫顽力基本上与x的变化无关,且所有的样品都显示出很强的垂直各向异性。退火后的CoCrPt薄膜呈六角密堆积(HCP)结构,AFM和MFM测量显示在x=11nm时,颗粒的平均粒径和磁畴尺寸均为最小。开关场分布(SFD)的测量表明,退火有效地减弱了颗粒间的交换耦合作用。
- 胡骏孙会元苏振访许佳玲封顺珍
- 关键词：磁记录纳米颗粒膜矫顽力
- 类三明治结构C/Co/C纳米颗粒膜微结构和磁特性的研究
- 2004年
- 在室温下,用对靶磁控溅射法制备了系列类三明治结构C/Co/C颗粒膜.C靶和Co靶分别采用射频溅射和直流对靶溅射模式,并且随后进行了原位退火.用振动样品磁强计(VSM)和扫描探针显微镜(SPM)系统研究了C/Co/C颗粒膜的微结构和磁特性与磁性层厚度、非磁性层厚度、退火温度的关系.X射线衍射(XRD)图样显示出退火400℃的样品具有很好的六角密堆积结构.扫描探针显微镜图样和δM曲线说明Co纳米颗粒嵌在非晶质的C母基内.振动样品磁强计测量表明磁矩很好的排列在膜面内,随着磁性层Co层厚度的增加,矫顽力(Hc)先增大然后减小.在Co层厚度为20nm,C层厚度为30nm,退火温度400℃时,矫顽力达到最大值,剩磁比(S)接近于1.
- 封顺珍孙会元于红云于红云高凤菊
- 关键词：纳米颗粒膜磁控溅射矫顽力
- C/[Co5nm/Cxnm]_4/C纳米颗粒膜的微结构和磁特性研究
- 2004年
- 在室温下,应用对靶磁控溅射法制备了多层C/[Co5nm/Cxnm]4/C颗粒膜.C靶和Co靶分别采用了射频溅射和直流对靶溅射模式,随后进行了原位退火.用振动样品磁强计(VSM)和扫描探针显微镜(SPM)系统研究了插层C层的厚度对多层颗粒膜的微结构和磁特性的影响.X射线衍射(XRD)图样显示出样品具有六角密堆积结构.振动样品磁强计测量表明磁矩很好地排列在膜面内,在插层C层的厚度为12nm时矫顽力达到最大值,剩磁比接近于1.
- 封顺珍孙会元高凤菊于红云贾莲芝顾建军聂向富
- 关键词：纳米颗粒膜磁特性射频溅射微结构磁控溅射法振动样品磁强计
- 硬磁畴动态特性的进一步研究被引量：1
- 2004年
- 实验研究了直流偏场为0时形成的枝状畴的一些动态特性,发现由这些枝状畴形成的硬磁畴均顺时针转动,通过与固定直流偏场下形成的硬磁畴的转动状态的比较,首次证明脉冲偏场上升沿和下降沿对形成的VBL所起的作用是不同的.
- 贾莲芝顾建军封顺珍孙会元
- 关键词：硬磁畴直流偏场
- 面内场对枝状畴形成的IID畴壁中VBL链的影响被引量：1
- 2004年
- 实验研究了面内场作用下枝状畴形成的第2类哑铃畴(IID)畴壁中垂直布洛赫线(VBL)链的解体过程.发现存在一个与材料参量有关的临界面内场范围[H(0)ip对应IID畴壁中垂直布洛赫ip,H(1)ip],其中H(0)线链保持稳定的最大临界面内场,H(1)ip对应IID畴壁中垂直布洛赫线链完全解体的最小临界面内场.此外,实验发现不同低直流偏场下产生的枝状畴在面内场作用下的软化过程相同,且在这个临界面内场范围内畴壁中的VBL是逐步丢失的.同时实验结果也证明了枝状畴畴壁中VBL是随机分布的.
- 顾建军李秀玲张丽娇孙会元
- 关键词：垂直布洛赫线哑铃畴直流偏场
- 温度和面内场联合作用下软畴段的行为被引量：2
- 2009年
- 实验研究了温度和面内场共同作用下软畴段的行为.实验发现:面内场对软畴段的条泡转变场Hsb和软泡缩灭场H0有很大影响,而且Hsb和H0的变化与晶向有关.比较不同温度下、不同晶向上的结果,得到了与磁泡参量相关的分界面内场(Hip)d,不同温度下的软畴段对应着不同的(Hip)d,而且(Hip)d随着温度的升高而降低,在低温下,分界面内场(Hip)d是饱和磁化强度4πMs的2倍.
- 顾建军李春光岂云开郑文礼孙会元
- 关键词：垂直布洛赫线
- Ti覆盖层厚度对Ti/Ni/Ti磁性薄膜的磁特性和微结构的影响
- 2008年
- 室温下利用磁控溅射法,在玻璃基片上沉积了Ti(3 nm)/Ni(30 nm)/Ti(t=3,5,7,10 nm)磁性薄膜.实验发现,500℃退火30 min,覆盖层厚度t=7 nm时,样品的矫顽力达到最大.利用振动样品磁强计、扫描探针显微镜观测了样品的磁特性、表面形貌和磁畴,X射线衍射图谱表明,样品中的Ni颗粒形成了面心立方(FCC)结构.
- 胡彦英郭小方彭燕张罕玮孙会元
- 关键词：磁记录矫顽力
- 磁泡点阵的形成条件被引量：1
- 2006年
- 实验研究了磁泡点阵的形成条件,发现石榴石磁泡薄膜样品在系列脉冲偏场作用下可以形成规则的泡阵,泡阵呈六角密排结构.形成泡阵的条件与脉冲偏场的幅度和脉冲宽度有关,存在一个与材料参量相关的阈值脉冲宽度,只有大于此阈值时才能够得到泡阵.对于某一直流偏场,形成泡阵的脉冲幅度不随脉冲宽度变化.直流偏场和脉冲偏场联合作用下形成泡阵的条件:脉冲幅度与直流偏场的Hb和为条泡转变场.还进一步探讨了脉冲宽度和脉冲频率对泡阵形成的影响.
- 杨素娟封顺珍孙会元
- 关键词：脉冲宽度脉冲频率
- Ti(Cr)缓冲层对用于垂直磁记录材料CoCrTa介质磁特性和微结构的影响
- 2007年
- 利用直流对靶磁控溅射技术在单晶Si衬底上制备了C/CoCrTa/X(X=Cr,Ti)介质材料.分别采用振动样品磁强计、X射线衍射仪、扫描探针显微镜对样品的磁性、微结构等进行了测试分析.研究发现,Ti缓冲层有利于样品中Co晶粒的易轴垂直于膜面生长.以Ti为缓冲层的样品,颗粒尺寸和表面粗糙度较小,而且磁畴明显,说明以Ti为缓冲层的薄膜样品更适宜做垂直磁记录.
- 甄聪棉马丽张金娟刘英聂向富
- 关键词：COCRTA垂直磁记录缓冲层微结构
