国家高技术研究发展计划(2002AA302507)
- 作品数:5 被引量:12H指数:2
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- 相关机构:大连理工大学更多>>
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- 相关领域:电子电信理学电气工程更多>>
- 一种级联型结构的固体开关式高压脉冲电源的研制被引量:8
- 2006年
- 针对串级型结构的固体开关式脉冲电源存在的电源可靠性受同步驱动、均压等技术条件影响严重的问题,设计了一种由多个相对独立的低压固体开关式脉冲电源叠加构成的级联型高压脉冲电源。各低压脉冲电源输出端的固体开关均单独采用光纤光电耦合器和专用驱动模块控制,各光纤光电耦合器的输入端由同一PWM脉冲控制。电源的输出指标为:脉冲电压幅值100~3000V,脉冲频率5~40kHz,脉冲占空比5%~40%,脉冲电流幅值25A,额定功率50kW。研制的电源可靠性高,可实现模块化,可通过增减模块单元的数量,满足不同输出电压的需要。
- 戚栋王宁会
- 关键词:脉冲电源固体开关
- 脉冲偏压下电弧离子镀等离子体负载的等效电路模型及其定量表征
- 2008年
- 为了解决电弧离子镀(AIP)工艺中脉冲偏压电源与AIP等离子体负载间的匹配问题,结合脉冲偏压下AIP工艺实验,运用等离子体鞘层理论、电路理论和仿真模拟技术,得到AIP等离子体负载本质上是由鞘层引起的容性负载,在电路中可以等效为电容和电阻相并联的单元;根据AIP等离子体鞘层演化的特性,将AIP等离子体负载的等效电容表征为与时间无关而只与脉冲偏压幅度和等离子体相关参数有关的量,AIP等离子体负载的等效电阻,可以在直流偏压下通过测量与脉冲偏压幅值对应的AIP等离子体负载电流来确定.经验证,本文建立的AIP等离子体负载的等效电路模型及其定量表征是有效性的.
- 戚栋王宁会林国强董闯
- 关键词:脉冲偏压电路模型鞘层
- 脉冲工艺在薄膜制备中的应用
- 2004年
- 本文综述了国内外脉冲工艺在电弧离子镀和磁控溅射中的应用.脉冲工艺为电弧离子镀净化大颗粒、增强膜基结合力、改善组织形貌、降低沉积温度等起到了重要作用.电弧或溅射离子镀高的离化率为脉冲工艺提供了最好的应用条件.最后,对脉冲工艺在薄膜制备中的应用前景进行了展望.
- 赵彦辉林国强董闯闻立时
- 关键词:电弧离子镀
- 脉冲偏压下电弧离子镀等离子体负载的等效电路模型及其定量表征被引量:3
- 2006年
- 为了解决电弧离子镀(AIP)工艺中脉冲偏压电源与AIP等离子体负载间的匹配问题,结合脉冲偏压下AIP工艺实验,运用等离子体鞘层理论、电路理论和仿真模拟技术,得到AIP等离子体负载本质上是由鞘层引起的容性负载,在电路中可以等效为电容和电阻相并联的单元;根据AIP等离子体鞘层演化的特性,将AIP等离子体负载的等效电容表征为与时间无关而只与脉冲偏压幅度和等离子体相关参数有关的量,AIP等离子体负载的等效电阻,可以在直流偏压下通过测量与脉冲偏压幅值对应的AIP等离子体负载电流来确定。经验证,本文建立的AIP等离子体负载的等效电路模型及其定量表征是有效的。
- 戚栋王宁会林国强董闯
- 关键词:脉冲偏压电路模型鞘层
- 基于频响分析法的脉冲电源与容性负载间匹配电路设计被引量:1
- 2006年
- 为克服传统的基于负载匹配法设计的匹配电路存在导致容性负载上脉冲电压上升率明显降低的不足,提高脉冲电源在容性负载下的应用效果,提出了将频响分析用于设计脉冲电源与容性负载间匹配电路的方法.基于此法设计了一种由电感(Lm)支路和与其并联的阻-容(Rm-Cm)串联支路构成的匹配电路,当Lm、Rm和Cm满足使容性负载上的脉冲电压(u2)与脉冲电源输出的脉冲电压(u1)之比(u2/u1)的频响特性,在脉冲电源输出的脉冲电压的有效频谱范围内接近不失真系统频响特性的条件时,可在容性负载上得到既无振荡,且上升率高的脉冲电压.实验验证该匹配电路是有效的.
- 戚栋王宁会林国强董闯
- 关键词:脉冲电源容性负载匹配电路频响分析
- 脉冲工艺在薄膜制备中的应用
- 本文综述了国内外脉冲工艺在电弧离子镀和磁控溅射中的应用。脉冲工艺为电弧离子镀净化大颗粒、增强膜基结合力、改善组织形貌、降低沉积温度等起到了重要作用。电弧或溅射离子镀高的离化率为脉冲工艺提供了最好的应用条件。最后,对脉冲工...
- 赵彦辉林国强董闯闻立时
- 关键词:电弧离子镀
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