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感应耦合等离子体的功率耦合效率的理论分析与计算: 基于变压器模型,本文对感应耦合等离子体中线圈产生的空间电场分布、等离子体电阻、电感及功率耦合效率等进行了数值计算。在计算过程中,考虑了低气压等离子体无碰撞随机加热机制的作用。结果表明,同心线圈的感应电场呈中空分布,径向和...; 狄小莲辛煜宁兆元; 关键词：感应耦合等离子体变压器模型; 文献传递

Infrared and Optical Properties of Amorphous Fluorinated Hydrocarbon Films Deposited with the Method of ECR Plasma: 2004年; Using CH4 and CF4 precursor gases, amorphous fluorinated hydrocarbon (a-C:F:H) films were prepared with the method of microwave electronic cyclotron resonant (ECR) plasma chemical vapor deposition. Deposition rate of the film firstly increases and then decreases with variable flow ratios R {[CF4]/([CF4]+[CH4]} due to the competition between deposition and etching process. Results from Fourier-transform infrared transmission spectroscopy of these films show that C-F bond configuration in a-C:F:H films evolves with the variable gas flow ratios R. The locations of the C-F peaks in IR spectra shift to higher frequency with the increase of R, and finally the structure in films with R>75% takes on a PTFE-like structure, which mainly consists of-CF2- chain. The change of optical band gap Eg deduced by a Tauc plot with R is also discussed.; 辛煜许圣华宁兆元陈军陆新华项苏留黄松杜伟程珊华; 关键词：等离子体化学气相沉积

交叉型天线感应耦合等离子体源放电特性及均匀性被引量：2: 2008年; 本文介绍了一种交叉型天线射频感应耦合等离子体源,射频天线穿过交叉排列的石英管内置于真空腔体中。本文运用朗谬尔探针方法诊断了放电等离子体的参量及其均匀性,运用发射光谱技术进行了Ar谱线[4s’(1/2)0-4p’(1/2)]的发光强度的表征,并使用自制的Rogowski线圈测量了天线中的射频电流变化。结果表明,等离子体放电随着射频输入功率的增加存在着E模式向H模式的转变,H模式放电时发光强度及射频电流明显增大。电子温度随气压的增大而降低,几乎不受功率的影响。该等离子体源所产生的等离子体密度较高,等离子体均匀性在中心±60 mm区域内优于90%。; 卢春山辛煜孙刚孙恺; 关键词：感应耦合等离子体天线朗谬尔探针发射光谱

微等离子体及其应用被引量：2: 2007年; 微等离子体已成为近年来国际上低温等离子体研究的热点课题之一。微等离子体是被限制在一个有限的空间范围内(尺度为毫米量级甚至更低)的等离子体,它通常能够运行在大气压条件下,它的低功耗、高密度、高稳定等特性以及其小巧、经济、便携等优势,为其在紫外光源的获得、微化学分析系统、生物医学、材料表面改性和加工、环境污染物的处理等领域提供了广泛的应用空间。文章对微等离子体及其应用进行了综述,介绍了各种微等离子体源的产生方法,以及它们在不同领域的研究和应用情况。; 张树宇辛煜宁兆元梁荣庆; 关键词：微等离子体大气压表面处理

平板型感应耦合等离子体源的线圈配置对功率耦合效率的影响被引量：9: 2006年; 基于感应耦合等离子体的变压器模型,分析了感应耦合等离子体的功率耦合效率与线圈配置(几何尺寸、电学参量)及等离子体基本参量(等离子体电子密度、电子-中性粒子有效碰撞频率)之间的关系;然后,改变平板型线圈的匝数从而改变了线圈的几何尺寸、电学参量,并且测量出了不同的线圈所对应的功率耦合效率.实验结果表明,线圈的电感量是能否实现放电的决定性因素;而功率耦合效率则与感应线圈的Q值、放电参量(气压、功率)等密切相关,射频输入功率的增加、放电气压的上升都会导致感应耦合等离子体耦合效率的提高,这与感应耦合等离子体的变压器模型预测结果是符合的.然而,变压器模型给出的提高线圈Q值可导致耦合效率增强的预测结果仅适用于同等电感量的线圈条件.本文对于单线圈的感应耦合等离子体源的研究为线圈的优化设计甚至大面积的多线圈感应耦合等离子体源研制提供了理论依据.; 狄小莲辛煜宁兆元; 关键词：感应耦合等离子体变压器模型

SiNx薄膜的制备、结构及其光学性能表征: 2005年; 本文使用电子回旋共振等离子体化学气相沉积方法制备了非化学计量比的SiNx薄膜,使用红外光谱、拉曼光谱和紫外可见光谱等对SiNx薄膜的结构和光学性质进行了研究.结果表明,SiNx薄膜中随着Si:N原子比的增加,Si-N的红外伸缩振动从890cm-1波数向820 cm-1波数移动,拉曼光谱中出现了较明显的波数为480 cm-1的非晶硅的TO声子峰;实验发现,使用NH3作为前驱体所制备的膜中较N2具有更低的H含量;SiNx薄膜的光学带隙和折射率可以通过前驱体的流量比进行调制,实验结果表明光学带隙随着Si:N比率的增加而明显降低,从5.0 eV变化到2.5eV,而折射率则从1.9变化到2.2左右.; 辛煜鲁涛黄壮雄濮林施毅宁兆元郑有炓; 关键词：红外光谱光学性能

使用微感应耦合等离子体射流源高速沉积类金刚石碳膜被引量：1: 2008年; 提出了一种基于13.56MHz激发的微感应耦合等离子体射流源,含碳的等离子体射流在绕有水冷线圈的石英管中产生.激光拉曼光谱及紫外-可见光谱分别用以研究基片负偏压对所生长的非晶碳膜结构特征的影响.结果表明:碳基微等离子体射流具有很强的活性,碳膜的生长速率高达0.8μm/min,但随着衬底负偏压的增加而降低;Raman光谱显示在1 350cm-1、1 580cm-1附近存在D峰、G峰,是典型的类金刚石碳膜;薄膜中碳主要以sp2、sp3碳及无序的聚合碳链形式存在,随偏压的增加,薄膜中聚物碳链结构被打断,分解形成sp2、sp3碳杂化态,Raman荧光本底减弱,sp2和sp3的含量之比增加,光学带隙呈现降低趋势.; 孙刚辛煜卢春山; 关键词：类金刚石薄膜 RAMAN光谱光学带隙

感应耦合等离子体的功率耦合效率的理论分析与计算: 2005年; 基于变压器模型,本文对感应耦合等离子体中线圈产生的空间电场分布、等离子体电阻、电感及功率耦合效率等进行了数值计算.在计算过程中,考虑了低气压等离子体无碰撞随机加热机制的作用.结果表明,同心线圈的感应电场呈中空分布,径向和轴向均呈现很大的不均匀性;功率耦合效率随线圈品质因数Q及耦合系数K的增大而增大.功率耦合效率的理论分析和计算为线圈优化设计提供了依据.; 狄小莲辛煜宁兆元; 关键词：感应耦合等离子体变压器模型

ECR-CVD方法生长a-SiN_x:H薄膜的研究被引量：3: 2006年; 使用微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-CVD)方法室温生长了非晶氢化的氮化硅薄膜,通过改变前驱气体(SiH4+80%Ar和NH3)的流量比,研究了薄膜的生长速率、等离子体的发射光谱和薄膜的红外特性。结果表明:随着NH3流量的增加,氮化硅薄膜的生长速率呈下降趋势,这主要是由于等离子体中的气相前驱成分之一硅基团浓度的不断下降所导致的;随着NH3流量的增加,薄膜中键合了较多的具有较高电负性的N原子是Si-N和Si-H伸缩振动发生蓝移的主要原因。红外光谱的定量计算表明所制备的氮化硅薄膜具有相对较低的H浓度,约15%左右。文中对氮化硅薄膜的生长机制也进行了讨论。; 鲁涛辛煜吴雪梅; 关键词：ECR-CVD 发射光谱红外光谱

SiNx薄膜的制备、结构及其光学性能表征: 本文使用电子回旋共振等离子体化学气相沉积方法制备了非化学计量比的SiNx薄膜,使用红外光谱、拉曼光谱和紫外可见光谱等对SiNx薄膜的结构和光学性质进行了研究。结果表明,SiNx薄膜中随着Si:N原子比的增加,Si-N的红...; 辛煜鲁涛黄壮雄濮林施毅宁兆元郑有炓; 关键词：红外光谱光学性能; 文献传递

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国家自然科学基金(10305008)

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