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国家自然科学基金(60806027): 作品数：14 被引量：29H指数：3; 相关作者：王伟肖广然郭宇锋陈将伟王志功更多>>; 相关机构：南京邮电大学东南大学南通大学更多>>; 发文基金：国家自然科学基金江苏省高校自然科学研究项目电子薄膜与集成器件国家重点实验室基础研究开放创新基金更多>>; 相关领域：电子电信自动化与计算机技术自然科学总论更多>>

自旋场效应晶体管的电学特性研究(英文): 2013年; 用非平衡格林函数方法研究一种自旋场效应晶体管的电子输运特性。结果表明,不考虑自旋散射的作用,当漏极电压比较小时该器件能达到很高的磁阻比率。对该器件在考虑自旋散射和不考虑自旋散射下的输出电流进行对比,发现在铁磁平行(反平行)的条件下,考虑自旋散射时的输出电流要比不考虑自旋散射时的输出电流小(大)。研究结果揭示了该器件的物理机制,为该器件的优化设计提供了理论指导。; 张华鑫王燕王伟; 关键词：输运特性非平衡格林函数

石墨烯纳米条带的电子输运性质研究(英文): 2013年; 采用紧束缚近似模型,运用Green函数和Landauer-Büttiker公式计算了并联型Armchair型边界的石墨烯纳米条带的电子输运性质。结果表明,随着并联纳米条带数量的增加,石墨烯纳米条带电导峰(电导谷)将有相应数量的增加;条带之间的间距增宽,中心区电导谷的宽度将减小。通过数值计算,揭示该新型石墨烯结构电子输运的物理机制,为基于石墨烯的新型器件的设计和优化提供理论指导,并对石墨烯纳米条带在未来集成电路设计中的应用提供理论参考。; 闫帅军肖广然陈将伟蔡宇凯王伟; 关键词：并联型石墨烯紧束缚近似格林函数输运性质

非对称HALO-LDD掺杂石墨烯纳米条带场效应管的电学特性研究(英文)被引量：2: 2013年; 随着器件沟道尺寸的不断缩小,短沟道效应(SCE)和漏致势垒降低效应(DIBL)对常规类MOSFET结构的石墨烯纳米条带场效应管(GNRFET)影响变大,从而引起器件性能下降。文中提出了一种新型采用非对称HALO-LDD掺杂结构的GNRFET,其能够有效抑制器件中SCE和DIBL,改善器件性能。并采用一种量子力学模型研究GNRFET的电学特性,该模型基于二维NEGF(非平衡格林函数)方程和Poisson方程自洽全量子数值解。结合器件的工作原理,研究了GNRFET的电学特性和器件结构尺寸效应,通过与采用其他掺杂结构的GNRFET的电学特性对比分析,发现这种掺杂结构的石墨烯纳米条带场效应管具有更低的泄漏电流。; 蒋嗣韬肖广然王伟; 关键词：场效应管非平衡格林函数

5-Gbit/s 0.18-μm CMOS单片集成低功耗时钟恢复电路设计(英文): 2011年; 为了使一个10Gbit/s2∶1半速率复接器电路能够在无外部提供时钟的环境中工作,需要一个5Gbit/s时钟恢复电路从一路输入数据中提取出所需时钟.该时钟恢复电路采用3级环形压控振荡器,以克服2级振荡器存在的起振不可靠和4级振荡器振荡频率低的问题;采用鉴频鉴相器来增加牵引范围,以适应由于工艺、电压及温度偏差等原因而导致的压控振荡器的宽调谐范围;采用SMIC 0.18-μm CMOS工艺,核心电路面积为170μm×270μm.测试表明:在1.8V电压下,该电路功耗大约为90mW,输入灵敏度低于25mV,输出摆幅大于300mV,且具有-114dBc/Hz@1MHz的相位噪声和1GHz牵引范围.; 张长春王志功施思潘海仙郭宇峰黄继伟; 关键词：时钟恢复鉴频鉴相器压控振荡器相位噪声

准一维碳纳米管的含时输运性质的研究(英文): 2013年; 提出了一种数值模拟方法,用于研究准一维碳纳米管系统的含时输运特性。基于非平衡格林函数,通过提出的方法,对准一维碳纳米管系统的电学性质进行数值计算。计算结果显示:当同一连续方波作用于电极时,电极与碳纳米管之间的耦合能越大,电流的最初上升值越大,弛豫时间越短;当输入电压为低频正弦信号,响应电流曲线变得不规则。本仿真结果有利于对纳米材料电学性质的评估,为纳米电子器件的设计和优化提供理论指导。; 夏春萍肖广然李浩王伟; 关键词：非平衡格林函数

具有倾斜表面漂移区的SOI LDMOS的工艺设计被引量：3: 2010年; 对一种具有倾斜表面漂移区SOI LDMOS的制造方法进行了研究,提出采用多窗口LOCOS法形成倾斜表面漂移区的新技术;建立了倾斜表面轮廓函数的数学模型,并开发了用于优化窗口尺寸和位置的计算机程序。TCAD 2-D工艺仿真验证了该技术的可行性。设计了漂移区长度约为15μm的SOI LDMOS。数值仿真结果表明,与RESURF结构器件相比较,其漂移区电场近似为理想的常数分布,并且击穿电压提高约8%,漂移区浓度提高约127%。由此可见,VLT是一种理想的横向耐压技术。; 薛龙来郭宇锋周井泉孙玲; 关键词：SOL LDMOS

梯子形石墨烯纳米条带输运性质的研究: 2012年; 在紧束缚近似下,采用Green函数和Landauer-Büttiker公式计算了梯子型石墨烯纳米条带的电子输运性质。结果表明,随着阶梯数的增加,梯子型石墨烯纳米条带电导峰以0.0 eV为中心发生对称分裂,中心电导峰减小直至消失;随着阶梯间间隔变大,电导峰减小。通过数值计算,揭示了该新型石墨烯结构电子输运的物理机制,为基于石墨烯的新器件的设计和优化提供理论指导。; 蔡宇凯陈将伟杨恒新陶志阔王伟; 关键词：紧束缚模型格林函数电子输运性质

A three-dimensional breakdown model of SOI lateral power transistors with a circular layout: 2009年; This paper presents an analytical three-dimensional breakdown model of SOI lateral power devices with a circular layout. The Poisson equation is solved in cylindrical coordinates to obtain the radial surface potential and electric field distributions for both fully- and partially-depleted dr/ft regions. The breakdown voltages for N＋N and P＋N junctions are derived and employed to investigate the impact of cathode region curvature. A modified RESURF criterion is proposed to provide a design guideline for optimizing the breakdown voltage and doping concentration in the drift region in three dimensional space. The analytical results agree well with MEDICI simulation results and experimental data from earlier publications.; 郭宇锋王志功许健; 关键词：SOI

基于非对称掺杂策略的GNRFET电学特性研究: 2013年; 基于量子力学非平衡Green函数理论框架,在开放边界条件下,通过自洽求解三维Poisson和Schrdinger方程,构建了适用于非均匀掺杂的石墨烯场效应管的输运模型。并利用该模型分析计算采用非对称HALO-LDD掺杂策略的石墨烯纳米条带场效应管(GNRFET)的电学特性。通过与采用其他掺杂策略的GNRFET的输出特性、转移特性、开关电流比、亚阈值摆幅、阈值电压漂移等电学特性对比分析,发现这种掺杂结构的石墨烯场效应管具有更大的开关电流比、更低的泄漏电流、更小的亚阈值摆幅和阈值电压漂移,表明采用非对称HALO-LDD掺杂策略的GNRFET具有更好的栅控能力,能够有效的抑制短沟道效应和热载流子效应。; 蒋嗣韬肖广然王伟; 关键词：非平衡格林函数

变漂移区厚度SOI横向高压器件的优化设计被引量：3: 2010年; 提出了一种耐压技术——横向变厚度VLT技术,以及基于此技术的一种高压器件结构——变厚度漂移区SOI横向高压器件,借助二维器件仿真器MEDICI,深入研究了该结构的耐压机理。结果表明,变厚度漂移区结构不但可以使横向击穿电压提高20%,纵向击穿电压提高10%,而且可以使漂移区掺杂浓度提高150%～200%,从而降低漂移区电阻,使器件优值提高40%以上。进一步研究表明,对于所研究的结构,采用一阶或二阶阶梯作为线性漂移区的近似,可以降低制造成本,并且不会导致器件性能的下降。; 郭宇锋王志功管邦虎; 关键词：绝缘层上硅击穿电压

国家自然科学基金(60806027)

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