上海市科学技术委员会基础研究重点项目(09JC1405900)
- 作品数：8 被引量：32H指数：4
- 相关作者：马忠权李凤杨昌虎何波杜汇伟更多>>
- 相关机构：上海大学长沙理工大学复旦大学更多>>
- 发文基金：上海市科学技术委员会基础研究重点项目国家自然科学基金上海市教育委员会重点学科基金更多>>
- 相关领域：理学电气工程电子电信机械工程更多>>
- 铒铥共掺氧化锌薄膜近红外宽带发射及变温行为的研究
- 2015年
- 采用磁控共溅射技术制备了铒铥共掺杂氧化锌发光薄膜.通过优化退火温度,实现了薄膜的近红外平坦宽带发射,总带宽可达到～500 nm,覆盖了光通信S+C+L+U区波段.此发射带由Er3+的1535 nm(4I13/2→4I15/2)发射峰及Tm3+的1460 nm(3H4→3F4),1640 nm(1G4→3F2),1740 nm(3F4→3H6)发射峰组成.研究表明:退火温度低于800°C时,没有观察到薄膜样品明显的光致发光现象;随着退火温度从800°C升高到1000°C,I1640/I1535发射峰强度比从0.2升高到0.3,I1740/I1535发射峰强度比从0.5降低到0.4,发射峰强度比均基本保持稳定;当退火温度高于1000°C时,I1640/I1535发射峰强度比从0.3升高到0.6,I1740/I1535发射峰强度比从0.4升高到0.8,发射峰强度比均急剧增加.变温行为表明:随着温度从10 K逐渐升高到300 K,谱线的总带宽基本不变,在340—360 nm之间;Tm3+在1640和1740 nm处的发射峰强度分别降低了2/3和1/2,Er3+在1535 nm的发射峰强度增大了1.2倍.这是因为随着温度的升高,声子数目增多,Er3+与Tm3+离子之间发生能量传递的概率不断变大,并且在Tm3+离子之间没有发生交叉弛豫现象.
- 陈丹丹徐飞曹汝楠蒋最敏马忠权杨洁杜汇伟洪峰
- 关键词：稀土掺杂氧化锌薄膜退火处理
- 稀土钇、镧掺杂TiO_2薄膜的拉曼谱分析被引量：2
- 2010年
- 采用溶胶-凝胶法在石英玻璃衬底上用旋涂法制备了未掺杂、掺杂钇和掺杂镧的TiO2薄膜样品,对样品在700—1100℃范围内进行退火处理,并对样品的拉曼光谱进行了分析.分析表明:随着退火温度的升高,未掺杂TiO2薄膜发生了从锐钛矿相经混相最终向金红石相的转换,掺杂钇和掺杂镧对TiO2薄膜的晶相转换起阻碍作用,掺杂镧的阻碍作用更强;稀土掺杂能使TiO2薄膜晶粒细化,并使晶粒内部应力增大从而阻碍晶格振动,掺杂镧比掺杂钇的效果更明显;样品表现出明显的声子局域效应,即随晶粒尺寸减小,特征拉曼峰位蓝移、半高全宽增大和峰形非对称展宽.
- 杨昌虎马忠权徐飞赵磊李凤何波
- 关键词：TIO2薄膜稀土掺杂
- 基底温度对直流磁控溅射制备掺铝氧化锌薄膜性能的影响被引量：12
- 2011年
- 采用直流磁控溅射工艺,使用掺铝氧化锌(AZO)陶瓷靶,在玻璃基底上制备出具有c轴择优取向的AZO透明导电薄膜。运用共焦显微拉曼光谱仪对AZO陶瓷靶的微结构进行了表征,对在不同基底温度下沉积出来的薄膜运用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、紫外-可见光分光光度计和四探针测试仪等分别进行了结构和光电特性的表征。结果表明,随着基底温度的升高,AZO薄膜的晶粒逐渐增大,c轴择优取向加强,结晶状况变好;AZO薄膜的吸收边发生蓝移,折射率降低,而薄膜厚度则有所增加,光学禁带宽度增大;AZO薄膜的电阻率降低,但在基底温度达到350℃后电阻率就趋于稳定。
- 杨昌虎马忠权袁剑辉
- 关键词：AZO薄膜直流磁控溅射光电性能
- 沉积压强对非晶硅薄膜光学性能和微结构的影响被引量：2
- 2012年
- 为研究沉积压强对非晶硅薄膜光学性能和结构的影响,通过改变沉积压强并采用射频磁控溅射制备a-S∶iH薄膜。借助椭偏仪、紫外可见分光光度计和拉曼光谱来分析薄膜的光学性能和微结构。研究发现,在较低沉积压强下薄膜的致密度得到提高,光学带隙偏小,折射率和消光系数较大,短程序和中程序得到改善,体内缺陷较少。并且椭偏拟合参数A越大,意味着薄膜的质量越好。结果表明,沉积气压确实对薄膜的微结构和光学性能具有重要影响。
- 丁虎马忠权赵磊杜汇伟杨洁周丽丽
- 关键词：光学性能拉曼散射微结构
- 表面钝化对少子寿命、铁-硼对浓度和复合中心浓度的影响被引量：5
- 2010年
- 分别采用0.08mol/L的碘酒、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)SiNx:H和40%的HF酸对太阳电池级直拉单晶硅进行表面钝化,然后利用微波光电导衰减(μ-PCD)法测量硅片的少子寿命和铁-硼(Fe-B)对浓度.通过比较少子寿命测量值,发现0.08mol/L的碘酒的钝化效果最好,40%的HF酸的钝化效果最差.对硅片Fe-B对浓度测量结果的分析表明,同一硅片经过不同钝化处理后Fe-B对浓度分布差异较大,且只有经过PECVD沉积SiNx:H钝化的硅片的Fe-B对浓度分布与少子寿命分布有显著的相关性.此外,实验研究还发现,钝化效果比较好的情况下,复合中心浓度分布与Fe-B对浓度分布存在很强的相关性.实验的半定量估算、分析表明,少子寿命、Fe-B对浓度以及复合中心浓度分布的间接测量结果,受到样品表面钝化效果的影响.
- 李凤马忠权孟夏杰吕鹏于征汕何波
- 关键词：表面钝化少子寿命
- TiO2薄膜晶相转换的光谱分析被引量：6
- 2010年
- 采用溶胶-凝胶法在石英玻璃衬底上用旋涂法制备了TiO2薄膜样品,对样品在800-1100℃范围内进行退火处理,并对样品进行了拉曼光谱、透射光谱和荧光发光(PL)光谱测试.拉曼谱测试表明,随退火温度的升高,样品由锐钛矿相经锐钛矿与金红石的混相最终变为金红石相.透射谱测试表明,样品的吸收带边随着样品的相转换而发生红移.在总的趋势上,样品的折射率n随相转换而升高,厚度d和带隙Eg随相转换而降低.荧光发光光谱测试表明,在557-570nm和794-812nm范围内出现了两个发光光谱带.随着相转换,557-570nm范围内的发光光谱强度由强到无,而794-812nm范围内的发光光谱强度由弱到强.
- 杨昌虎马忠权李凤何波袁剑辉张振华
- 关键词：TIO2薄膜光谱溶胶-凝胶退火
- 晶硅太阳电池中Fe-B对与少子寿命、陷阱浓度及内量子效率的相关性被引量：5
- 2010年
- 以太阳电池级直拉单晶硅片为材料,利用瞬态微波反射光电导衰减仪研究了硅片分别经过单、双面扩散后Fe-B对与少子寿命τ、陷阱浓度及制备成电池的内量子效率(IQE)的相关性.对于单面扩散后的样品,Fe-B对浓度分布在较大程度上决定了少子寿命分布;对于双面扩散后的样品,Fe-B对浓度显著降低(在1.35×1011cm-3左右),已不及其他杂质和缺陷对少子寿命的影响.结合瞬态微波衰减信号和陷阱模型,对单、双面吸杂前后硅片的陷阱浓度进行数值计算,发现经过扩散吸杂后硅片的陷阱浓度显著减少.对经过单面扩散后的硅片进行取点分析,发现Fe-B对浓度与陷阱浓度的相关性较差,即Fe-B对不是影响陷阱浓度变化的主要因素.将分别经过单面和双面扩散的硅片制备成太阳电池,利用光生诱导电流测量了电池的IQE.分析发现,经过双面扩散制备的电池的IQE比经过单面扩散制备的电池的IQE高,且IQE分布较单面扩散制备的电池更均匀,说明Fe-B对的浓度分布显著影响IQE的分布.
- 李凤马忠权孟夏杰殷晏庭于征汕吕鹏
- 关键词：少子寿命内量子效率
- Cu(In,Ga)Se_2太阳能电池快速热退火效应
- 2012年
- 利用光致发光(PL)分析快速热退火对Cu(In,Ga)Se2(CIGS)电池的影响,研究退火对薄膜缺陷的影响。Cu(In,Ga)Se2电池的PL谱中总共有7个峰,即2个可见波段峰和5个红外波段峰。退火温度较低,可减少薄膜体内缺陷,提高载流子浓度,改善薄膜质量;退火温度过高,则会引起正常格点处元素扩散,元素化学计量比改变,体内缺陷增加,吸收层带隙降低,反而会对CIGS薄膜造成破坏。
- 杨洁陈东生郑玲玲杜汇伟周平华石建伟徐飞马忠权
- 关键词：太阳能电池快速热退火光致发光
