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国防科技技术预先研究基金(51412010103DZ0225)

作品数:2 被引量:12H指数:1
相关作者:彭斌蒋洪川张万里杨国宁张永强更多>>
相关机构:电子科技大学更多>>
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相关领域:理学一般工业技术电气工程更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇理学
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 1篇性能研究
  • 1篇阻抗
  • 1篇微磁学
  • 1篇SM
  • 1篇ZR
  • 1篇CU
  • 1篇FE
  • 1篇磁弹性
  • 1篇磁体

机构

  • 2篇电子科技大学

作者

  • 2篇张万里
  • 2篇蒋洪川
  • 2篇彭斌
  • 1篇唐军
  • 1篇张永强
  • 1篇杨仕清
  • 1篇陈志川
  • 1篇杨国宁
  • 1篇张文旭

传媒

  • 2篇磁性材料及器...

年份

  • 1篇2005
  • 1篇2004
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
Sm(Co,Cu,Fe,Zr)_z磁体畴壁钉扎的二维微磁学研究
2005年
Sm(Co,Cu,Fe,Zr)z磁体中的畴壁钉扎研究一直是磁学领域中的关注点。本文首先建立了Sm(Co,Cu,Fe,Zr)z磁体畴壁钉扎的二维微磁学模型,然后利用微磁学计算了胞壁相的物理参数对畴壁钉扎的影响。计算结果表明,只有合适的胞壁相厚度和磁晶各向异性常数才能获得高的钉扎场。
唐军彭斌张文旭张万里蒋洪川杨仕清陈志川
关键词:微磁学
FeCoSiB单层和FeCoSiB/Cu/FeCoSiB多层磁弹性膜应力阻抗性能研究被引量:12
2004年
用磁控溅射法在玻璃基片上制备了FeCoSiB单层膜和FeCoSiB/Cu/FeCoSiB多层膜,并进行磁场退火热处理以消除残余应力和形成磁场织构。薄膜的磁性能采用振动样品磁强计(VSM)进行测试,采用HP4275A 型阻抗分析仪在200kHz^10MHz频率范围内测试了薄膜的应力阻抗(SI)效应。结果表明,磁场退火热处理可形成感生磁各向异性以及提高薄膜的SI效应,在10MHz测试频率下,FeCoSiB薄膜的ΔZ/Z可达1.5%,而FeCoSiB/Cu/FeCoSiB的可达8%。随着测试频率下降到1MHz时,薄膜的SI效应显著下降。
杨国宁张万里彭斌蒋洪川张永强
关键词:磁弹性
共1页<1>
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