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低插损同轴型微波介质滤波器的设计被引量：8: 2004年; 1/4波长同轴谐振器构成的微波介质带通滤波器,具有三个谐振孔、二个耦合孔,谐振器间通过耦合孔相互耦合,材料采用高介电常数微波陶瓷,器件表面涂覆金属电极。讨论了耦合孔半径对滤波器技术指标(中心频率f_0、3dB带宽B、插入损耗L_0、阻带抑制L_A等)的影响,然后根据给定的滤波器技术指标确定了滤波器的类型、结构、级数及尺寸,最后进行了仿真验证,得到了低损耗的带通滤波器。; 吕文中孙建梁飞刘坚; 关键词：微波介质滤波器

BaO-CeO_2-TiO_2微波介质陶瓷的烧结特性及物相组成被引量：2: 2007年; 采用TG-DTA、SEM、EDAX、XRD等测试手段研究了BaO-CeO_2-TiO_2微波介质陶瓷的烧结特性及物相组成.BaO-CeO_2-TiO_2的预烧温度和烧结温度分别为900～1100℃和1250～1300℃.结果表明:Ba_(6-3x)Ce_(8+2x)Ti_(18)O_(54)(x=0.8)在1300℃下烧结后形成了由A、B两相共存的体系,其中A、B两相的元素摩尔比分别为Ce:O=1.0:1.3,Ba:Ti:Ce:O=1.00:6.70:0.35:9.46.此时体系的介电常数为28.72,品质因数为最高值4862.13GHz.; 周东祥余晓华王鹤赵俊; 关键词：微波介质陶瓷物相组成

铜钼复合添加ZnO-TiO_2微波介质陶瓷的低温烧结及相转变被引量：2: 2009年; 研究了添加0.25CuO-0.75MoO3(摩尔比,简记为CM)对ZnO-TiO2(简记为ZT)陶瓷的低温烧结特性、相转变及微波介电性能的影响.CM添加的ZT陶瓷由传统的固相反应方法制备而得,烧结温度限定在900～1050℃范围内.样品的显微形貌、元素成分、物相构成及微波介电性能分别由FE-SEM、EDS、XRD及网络分析仪进行表征或测量.EDS及XRD分析显示,Cu2+和Mo6+均进入了ZT陶瓷的主晶相的晶格,并导致ZnTiO3分解温度的降低,同时,也降低了在Zn2TiO4和金红石之间形成固溶体(Zn2Ti3O8)的起始温度.实验结果表明,CM的添加可有效地促进ZT陶瓷的低温致密化烧结.添加4wt%CM且在975℃烧结4h后的ZT陶瓷的密度可达理论值的94%,其微波介电性能为品质因素Qf=12150GHz,介电常数εr=28.6,谐振频率温度系数τf=+17.8×10-6/℃.; 刘忠池周东祥龚树萍胡云香; 关键词：相转变微波介电性能

Nd^(3+)、Li^(1+)对CaTiO_3微波介电性能的影响被引量：6: 2006年; 研究了Nd3+、Li1+取代对CaTiO3微波介电性能的影响。以x=0.39的Ca1-xNd2x/3TiO3(CNT)为典型材料,在1 300~1 380℃烧结制备CNT。在1 350℃烧结4 h,可制备出介电常数rε=109.24,品质因数与频率之积Qf=8 650 GHz,谐振频率温度系数τf=+243×10-6/℃的CNT(x=0.39)微波陶瓷。对于(1-y)Ca1-xNd2x/3TiO3-yLi1/2Nd1/2TiO3(CNLNT),采用一步预合成法在1 200~1 380℃烧结制备CNLNT(x=0.39,y=0.49)微波陶瓷。随着烧结温度的提高,CNLNT(x=0.39,y=0.49)陶瓷的rε下降,τf略有下降。当烧结温度超过1 300℃时,Qf值下降。在1 300℃烧结4 h,rε=104,Qf=3 440 GHz,τf=+9×10-6/℃。; 黄国华谢清连徐建梅周东祥; 关键词：CATIO3 微波介质陶瓷介电性能

湿化学法合成CLSNT微波介质陶瓷粉体被引量：2: 2005年; 用改进的 Pechini 法合成 Ca_(0.28)Li_(0.15)Sm_(0.28)Nd_(0.15)TiO_3(CLSNT)陶瓷粉体。采用 TG、DTA、XRD 和 SEM等技术对 CLSNT 陶瓷粉体进行分析。在 600℃预烧 3 h 后,钙钛矿结构的 CLSNT 相形成,但有少量 Sm_2Ti_2O_7、TiO_(1.49)、Ti_3O_5、Ti_4O_7 相。预烧温度升高到 1 000℃,只有钙钛矿结构的 CLSNT 相。用这一方法能在相对低的温度下制备出性能优良的微波介质陶瓷。在 1 230℃下烧结 3 h,εr为 98,Q·f 为 6 360 GHz,τf 为 8×10–6℃–1。; 黄国华周东祥徐建梅邓青; 关键词：无机非金属材料微波介质陶瓷湿化学法乙二胺四乙酸陶瓷粉体

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国家高技术研究发展计划(2001AA-ZB3201)