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全球变化研究国家重大科学研究计划(2013CBA01900)

作品数：1 被引量：3H指数：1
相关作者：郑坤韩晓东张滔张斌张泽更多>>
相关机构：浙江大学北京工业大学更多>>
发文基金：全球变化研究国家重大科学研究计划北京市科技新星计划高等学校全国优秀博士学位论文作者专项资金更多>>
相关领域：一般工业技术更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇一般工业技术

主题

  • 1篇电镜
  • 1篇射电
  • 1篇透射电镜
  • 1篇相变材料
  • 1篇溅射
  • 1篇AG掺杂
  • 1篇掺杂
  • 1篇磁控
  • 1篇磁控溅射

机构

  • 1篇北京工业大学
  • 1篇浙江大学

作者

  • 1篇张泽
  • 1篇张斌
  • 1篇张滔
  • 1篇韩晓东
  • 1篇郑坤

传媒

  • 1篇电子显微学报

年份

  • 1篇2014
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
Ag掺杂对Ge2 Sb2 Te5结晶行为的影响被引量：3
2014年
通过磁控溅射仪制备了Ge2Sb2Te5(GST)和Ag10.6(GST)89.4薄膜,利用X射线衍射(XRD)、电阻-温度(RT)测试、透射电子显微学以及径向分布函数(RDF)等方法对比研究了GST和Ag10.6(GST)89.4的结晶过程和微观结构及其演化的差异。发现掺Ag的薄膜非晶态、晶态电阻均比GST更高,而且结晶过程只有非晶相到面心立方相(fcc)的转变,没有出现GST的非晶到fcc再到六方相(hcp)的过程,XRD分析进一步证实了这一结果。同时,透射电镜原位加热实验证实了在300℃时,Ag10.6(GST)89.4仍然保持着fcc结构,而GST中已经出现了hcp相。通过统计230℃下时效处理的晶态薄膜的晶粒尺寸,发现Ag10.6(GST)89.4的平均晶粒尺寸小于Ge2Sb2Te5薄膜的,这可能是造成其晶态电阻高于GST的主要原因。
张滔郑坤张斌邵瑞文韩晓东张泽
关键词：AG掺杂相变材料磁控溅射透射电镜
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