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国家自然科学基金(60036030)

作品数：1 被引量：2H指数：1
相关作者：徐文杰张海鹏孙玲玲更多>>
相关机构：杭州电子科技大学更多>>
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相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇电阻
  • 1篇双极晶体管
  • 1篇通态电阻
  • 1篇漂移区
  • 1篇晶体管
  • 1篇绝缘层
  • 1篇绝缘层上硅
  • 1篇绝缘栅
  • 1篇绝缘栅双极晶...
  • 1篇横向绝缘栅双...

机构

  • 1篇杭州电子科技...

作者

  • 1篇孙玲玲
  • 1篇张海鹏
  • 1篇徐文杰

传媒

  • 1篇杭州电子科技...

年份

  • 1篇2007
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
漂移区均匀掺杂SOILIGBT通态电阻模型被引量：2
2007年
在研究影响绝缘层上硅横向绝缘栅双极晶体管通态电阻物理机制的基础上,将通态电阻分解为沟道电阻、漂移区电阻和缓冲层电阻。计算沟道电阻考虑了沟道两侧耗尽层扩展对沟道电阻的影响。计算漂移区电阻时,将漂移区按载流子的分布分为3个部分,然后分别进行求解。然后综合得到SOI LIGBT通态电阻的近似模型,并讨论了影响SOI LIGBT通态电阻特性的主要因素,最后根据讨论结果提出改善措施。
徐文杰孙玲玲张海鹏
关键词：绝缘层上硅横向绝缘栅双极晶体管通态电阻
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