国家高技术研究发展计划(2002AA4Z3000)
- 作品数：13 被引量：64H指数：4
- 相关作者：王向朝李小平施伟杰马明英何乐更多>>
- 相关机构：中国科学院上海光学精密机械研究所华中科技大学同济大学更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金上海市科委重大科技攻关项目更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术机械工程经济管理更多>>
- 一种测量光刻机工件台方镜不平度的新方法被引量：4
- 2007年
- 提出一种新的步进扫描投影光刻机工件台方镜不平度测量方法。以方镜平移补偿量与旋转补偿量为测量目标,使用两个双频激光干涉仪分别测量工件台在x和y方向的位置和旋转量;将方镜不平度的测量按照一定的偏移量分成若干个序列,每一个序列包括对方镜有效区域的若干次往返测量;根据所有序列的测量结果计算出方镜的旋转补偿量;为每一个序列建立临时边界条件,并据此计算出每一序列所测得的方镜粗略平移补偿量;采用三次样条插值与最小二乘法建立每一个序列间的关系,以平滑连接所有测量序列得到精确的方镜平移补偿量。结果表明,该方法用于测量方镜平移补偿量,测量重复精度优于2.957 nm,测量旋转补偿量,测量重复精度优于0.102μrad。
- 何乐王向朝马明英
- 关键词：不平度工件台光刻机
- 复杂产品研发技术风险管理研究与应用被引量：21
- 2009年
- 从分析和控制产品研发技术风险的角度,定义产品研发技术风险.提出了由产品技术风险和过程技术风险构成的技术风险二维模型,建立了复杂产品研发的技术风险管理体系结构.在功能层次上,技术风险管理包括技术风险识别、技术风险评估、制订风险处理计划、技术风险跟踪、技术风险控制;而在过程层次上,则包括总体系统级、子系统级、部件级、工艺级和制造级等过程.最后,结合高精度光刻机产品研发,对复杂产品研发技术风险管理进行了应用验证.
- 陈明林桂娟
- 关键词：技术风险管理风险评估
- 光刻机硅片表面不平度原位检测技术被引量：4
- 2006年
- 随着光刻特征尺寸的不断减小,硅片表面不平度对光刻性能的影响越来越显著·该文提出了一种新的硅片表面不平度的原位检测技术本文在分析特殊测试标记成像规律的基础上,讨论了测试标记的对准位置偏移量与硅片表面起伏高度的变化规律,提出了一种新的硅片表面不平度原位检测技术·实验表明,该技术可实现硅片表面不平度及硅片表面形貌的高准确度原位测量·该技术考虑了光刻机承片台吸附力的非均匀性对硅片表面不平度的影响,更真实反映曝光工作状态下的硅片表面不平度大小·与现有的原位检测方法相比,硅片表面不平度的测量空间分辨率提高了1.67%倍,可实现硅片表面形貌的原位检测·
- 张冬青王向朝施伟杰
- 关键词：光刻机
- 用于调焦调平测量系统中的硅片表面形貌模型被引量：2
- 2006年
- 以硅片表面的平整度(flatness)和硅片表面的全场厚度范围(TTV)等参数为基础,建立了硅片表面的理论形貌模型。根据调焦调平测量系统指标等确定了调焦调平测量系统的有效频带,并设计了相应的滤波器。对硅片表面的理论形貌进行滤波后,得到用于调焦调平测量的硅片表面形貌的模型。由于该模型包括硅片表面在一个曝光视场内的模型和全场模型,并以SEMI标准和ITRS预测的相关参数为基础,因此不受实验条件影响,适用范围广,可用于调焦调平测量系统的模拟测试以及相关光刻工艺的分析。
- 陈飞彪李小平
- 步进扫描投影光刻机投影物镜精密温度控制系统被引量：2
- 2006年
- 针对投影物镜在光刻机工作时高精度温度控制要求及其自身体积庞大、质量重、温度难以控制的特点,提出了一种由主控制器、温度采集系统、水温控制系统组成的串级控制系统的方案,简要介绍了高精度温度采集系统和水温控制系统,并通过对光刻机工作时产生的热量进行分析计算,建立了模拟的投影物镜温度控制平台,再基于此平台对温度控制方案进行实验研究,研究结果表明:投影物镜温度波动小于±0.01℃,并具有良好的调节曲线。
- 余斌李小平聂宏飞
- 关键词：投影物镜温度控制PID控制算法
- 投影光刻机硅片调焦调平测量模型被引量：11
- 2007年
- 成像质量是光学光刻机的最主要指标,硅片调焦调平测量是光刻机控制成像质量的基础。为此建立了硅片调焦调平测量系统单个测量点的测量模型,并根据硅片形貌标准和集成电路尺寸标准,推导了近似运算规则,简化了曝光场高度与测量光斑在光电探测器上的位置之间的数学关系。运用最小二乘法和平面拟合曝光场曲面的方法,推导了基于多个测量点的曝光场高度和倾斜测量的数学模型。该模型能满足调焦调平实时测量和控制的需要,可用于测量精度优于10 nm的高精度调焦调平测量系统,能满足线宽小于100 nm投影步进扫描光刻机的需要。
- 李小平陈飞彪
- 关键词：光学器件光刻步进光刻机
- 光刻机投影物镜成像质量原位检测技术的研究
- 光刻是最关键的集成电路芯片制造工艺,它直接决定了芯片的特征尺寸。光刻特征尺寸之所以能够从20世纪60年代初期的20μm减小到目前的70nm以下,摩尔定律之所以一直延续至今,光刻技术的迅速发展做出了重要贡献。目前主流的光刻...
- 王向朝
- 文献传递
- 一种步进扫描投影光刻机工件台基底表面形貌检测新技术
- 工件台是高精度步进扫描投影光刻机的重要组成部分,主要由大理石基底、承片台以及相关的伺服与测量设备组成。光刻过程中,承片台装载着晶圆片在大理石基底表面高速运动,测量和伺服设备实时调节承片台的垂向位置,使晶圆片始终处于光刻机...
- 何乐王向朝
- 文献传递
- 基于套刻误差测试标记的彗差检测技术被引量：4
- 2006年
- 为了满足光刻机投影物镜彗差测量精度的要求,提出一种基于套刻误差测试标记的彗差检测技术,分析了彗差对套刻误差测试标记空间像的影响,详细叙述了该技术的测量原理,并利用PROLITH光刻仿真软件对不同数值孔径与部分相干因子设置下套刻误差相对于彗差的灵敏度系数进行了仿真实验。结果表明,与目前国际上通常使用的投影物镜彗差检测技术相比,该技术在传统照明条件下灵敏度系数Kz7与Kz14的变化范围分别增加了27.5%和34.3%,而在环形照明条件下则分别增加了20.4%和22.1%,因此彗差的测量精度可提高20%以上。
- 马明英王向朝王帆施伟杰张冬青
- 关键词：光学测量光刻机投影物镜
- 一种高性能硅片曝光场分布优化算法被引量：1
- 2006年
- 以提高光刻机应用性能为目的,提出了一种高性能硅片曝光场分布优化算法。由芯片尺寸计算得到最佳曝光场尺寸,使其最接近于光刻机提供的曝光场最大尺寸,提高了曝光系统的利用率;引入曝光场交错分布,减少了硅片边缘曝光场的交叠,提高了光刻产率;建立产率优先和良率优先两种优化方案,实现了产率和良率的共优。以实际芯片产品的参量为例,将本算法用于曝光过程,采用产率优先标准,曝光场数量减少了10%,而内场数量基本不变,提高了光刻的产率也确保了良率;采用良率优先标准,内场数量增长了10%,总的场数也有所减少,提高了光刻良率的可靠性也确保了产率。
- 何乐王向朝
- 关键词：激光技术光刻技术产率
