福建省教育厅资助项目(JK2011008) 作品数:6 被引量:18 H指数:3 相关作者: 林林 郑志强 冯卓宏 黄兴勇 王哲哲 更多>> 相关机构: 福建师范大学 中国科学院福建物质结构研究所 闽江学院 更多>> 发文基金: 福建省教育厅资助项目 福建省科技重大专项 国家自然科学基金 更多>> 相关领域: 理学 机械工程 更多>>
二维液晶环型光子晶体的可调完全带隙 2012年 利用平面波展开法研究了二维三角晶格液晶环型光子晶体的完全带隙的动态可调节性.数值模拟结果表明:环中所填充的5CB液晶指向矢的旋转角从0°到90°改变,二维环型光子晶体一直出现完全带隙,并且完全带隙随着液晶指向矢的旋转角的变化可以实现动态可调.分析完全带隙可调范围与二维液晶环型光子晶体的结构参数(液晶环内/外径、基底材料的折射率、液晶正常/反常折射率、内介质柱折射率)的变化关系. 蔡琳敏 孔令凯 林林 冯卓宏 郑志强关键词:液晶 完全带隙 Er^(3+):NaYF_4纳米晶玻璃陶瓷的频率上转换动力学分析 2015年 通过测量Er3+:NaYF4纳米晶玻璃陶瓷的吸收光谱和上转换荧光光谱,结合Judd-Ofelt理论,计算Er3+各个能级间的辐射跃迁几率和无辐射跃迁几率.建立并求解Er3+的上转换速率方程,采用拟合归一化的荧光衰变实验曲线的方法,得到Er3+:NaYF4纳米晶玻璃陶瓷的频率上转换系数C22=1.8025×10-16cm3·s-1,C33=8.1930×10-16cm3·s-1.利用Judd-Ofelt理论和速率方程计算得到样品的上转换效率ηuc为5.687%.结果表明,该材料具有较大的上转换系数和较高的上转换效率,是一种较优异的上转换材料. 朱晓娟 谌基兴 林林 冯卓宏 王哲哲 黄兴勇 郑志强关键词:ER3+ 速率方程 纳米晶对Er^(3+):NaYF_4微晶玻璃发光特性的影响 被引量:7 2011年 采用熔融-急冷法制备成分相同的Er3+:NaYF4前驱玻璃和纳米晶微晶玻璃,在室温测量样品的吸收光谱、发射光谱及荧光寿命,研究纳米晶对Er3+:NaYF4微晶玻璃发光特性的影响。结果表明:经过可控晶化处理后,样品中形成了20~25nm的纳米晶粒,Er3+的Judd-Ofelt强度参量2、4和6均明显减小,确认晶化处理后稀土离子已掺入微晶玻璃的纳米晶颗粒中;晶化处理后,稀土离子的红光发射、上转换荧光和1.5μm荧光均有不同程度的增强效应;不同方式的荧光衰减曲线拟合结果证实Er3+并未完全掺入纳米晶颗粒,计算得到约有88.16%的稀土离子掺入到了纳米晶颗粒。 黄兴勇 陈大钦 冯卓宏 林林 龚慧 王元生 郑志强关键词:微晶玻璃 纳米晶 发光特性 Er3+:NaYF4纳米晶玻璃陶瓷的频率转换特性 纳米晶玻璃陶瓷是由纳米相和氧化物玻璃相组成的一种新颖的光功能材料,该材料综合了纳米晶材料和氧化物玻璃的优良特性,在光纤放大器、三维显示、太阳能电池的光谱调制等方面具有广泛的应用前景。论文的主要内容如下:1.研究了 980... 朱晓娟关键词:速率方程 量子剪裁 文献传递 NaBaPO_4∶Eu^(3+),Yb^(3+)的近红外下转换机制 被引量:3 2014年 采用固相法制备了掺杂Eu3+,Yb3+的Na Ba PO4下转换荧光粉。在394 nm紫外光激发Eu3+下,获得了对应于Yb3+:2F7/2→2F5/2发射的1004 nm的近红外光。测量了样品的可见和近红外荧光光谱以及Eu3+的衰减曲线,验证了Eu3+到Yb3+的能量传递。观测到了样品的下转换过程,并未观测到量子剪裁现象。研究表明:Yb3+的荧光强度和能量传递效率随着Yb3+掺杂浓度的变化而变化,当样品中Eu3+,Yb3+的掺杂浓度都为5%时,具有最强的近红外发光,Eu3+到Yb3+的能量传递效率为67.9%。 谌基兴 林林 朱晓娟 林慧 王哲哲 冯卓宏 郑志强关键词:近红外 CaFCl:Tb^(3+)@SiO_2纳米粉的溶胶凝胶法制备及光谱特性 2014年 采用溶胶凝胶法一步合成纯相CaFCl:Tb3+纳米粉,376 nm激发下检测到Tb3+的特征发射,Tb3+掺杂物质的量比为25%时发光最强.采用Stober法制备CaFCl:Tb3+@SiO2纳米粉,得到最佳的包覆条件.包覆后样品出现SiO2宽带衍射峰,透射电子显微镜(TEM)显示SiO2已成功包覆到CaFCl表面,解决CaFCl易吸湿的问题,包覆后样品的发射峰强度相对增强.样品的性质为进一步实现CaFCl:Tb3+-Yb3+近红外量子剪裁提供了可能. 林慧 林林 谌基兴 王哲哲 冯卓宏 郑志强关键词:TB3+ 溶胶 凝胶法 适用于近紫外LED芯片的白光荧光粉Y_2(MoO_4)_3∶Dy^(3+)的发光特性 被引量:8 2011年 采用高温固相法制备纯相Y2(MoO4)3∶Dy3+荧光粉,并对其晶场及发光性质进行研究。晶场分析结果表明:Y3+格位晶场结构近似为对称性很低的C2,因此样品在近紫外区有很强f-f激发峰,适合于近紫外LED芯片。在387 nm激发下,主要发射峰为Dy3+的特征发射487 nm(蓝光,4F9/2→6H15/2)和574 nm(黄光,4F9/2→6H13/2)。增大Dy3+掺杂浓度,黄光与蓝光的强度比值(Y/B)随之增大。387 nm激发下,不同Dy3+掺杂浓度荧光粉发射光的色坐标均在白光区域中。以上结果表明Y2(MoO4)3∶Dy3+是一种新型的适于近紫外LED芯片激发的白光荧光粉,发光性能良好。 龚慧 林林 丘志海 黄兴勇 郑志强关键词:发光性质