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湖南省科技计划项目(2013GK3002)

作品数:3 被引量:5H指数:1
相关作者:周宏明朱慧娟易丹青刘会群朱玉华更多>>
相关机构:中南大学湖南省正源储能材料与器件研究所教育部更多>>
发文基金:湖南省科技计划项目长沙市科技计划项目更多>>
相关领域:电气工程一般工业技术化学工程更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 1篇化学工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 1篇电化学
  • 1篇电化学性能
  • 1篇氧化层
  • 1篇增强增韧
  • 1篇增韧
  • 1篇正极
  • 1篇正极材料
  • 1篇韧化
  • 1篇强韧化
  • 1篇强韧化机理
  • 1篇热元件
  • 1篇锰酸锂
  • 1篇抗弯强度
  • 1篇尖晶石
  • 1篇发热元件
  • 1篇高温
  • 1篇包覆
  • 1篇AL
  • 1篇LA
  • 1篇LA2O3

机构

  • 3篇中南大学
  • 1篇教育部
  • 1篇湖南省正源储...

作者

  • 3篇周宏明
  • 2篇刘会群
  • 2篇易丹青
  • 2篇朱慧娟
  • 1篇李荐
  • 1篇王斌
  • 1篇朱玉华
  • 1篇江川

传媒

  • 2篇中国钼业
  • 1篇粉末冶金材料...

年份

  • 1篇2015
  • 2篇2014
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
Al_2O_3预包覆尖晶石LiMn_2O_4的电化学性能被引量:4
2014年
将Li2CO3和电解二氧化锰混合球磨,得到尖晶石(LiMn2O4,简称为LMO)的前驱体,采用化学沉积法在前驱体的预烧产物表面包覆Al(OH)3,然后在750℃/6h条件下煅烧,得到Al2O3/LiMn2O4复合粉末(称为Al2O3预包覆,包覆粉末记为P-LMO);同时采用传统方法,在前驱体的煅烧产物(LiMn2O4粉末)表面包覆Al(OH)3,然后在300℃/3h条件下热处理,得到Al2O3/LiMn2O4复合粉末(称为煅烧包覆,复合粉末记为C-LMO),对这2种包覆法制备的Al2O3/LiMn2O4复合粉末的物相结构、形貌、包覆层的厚度与粒度分布等进行对比分析,并对包覆粉末进行电化学性能测试。结果表明,Al2O3均匀地包覆在LiMn2O4的表面,包覆层厚度约为10nm;Al2O3/LiMn2O4复合粉末的晶格常数随Al2O3包覆量增加而增加;预包覆粉末颗粒呈类球形,平均粒径(0.3μm)明显小于煅烧包覆的平均粒径(0.5μm);预包覆粉末的Al2O3包覆层能有效减少循环过程中电荷转移阻抗的增加,并减少Mn的溶解,其循环性能优于煅烧包覆粉末。在3.2~4.5V的充放电区间内,Al2O3包覆量(摩尔分数)为2%的预包覆LiMn2O4材料显示出优良的电化学性能,55℃下0.1C的首次放电容量为114.0(mA·h)/g,0.5C倍率下50次循环后容量保持率为87.3%。
周宏明朱玉华李荐孙文佼姚书恒
关键词:正极材料锰酸锂
La_2O_3增强增韧(Mo_(0.7),W_(0.3))Si_2复合材料的作用机理被引量:1
2015年
通过多组元自蔓延反应及热压烧结方法制备了(Mo0.7,W0.3)Si2材料及掺杂1.5.%(质量分数)La2O3的(Mo0.7,W0.3)Si2复合材料。采用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、电子探针(EPMA)、透射电镜(TEM)及物理机械性能测试方法对复合材料组织性能进行了表征,并深入探讨了其强韧化机理。结果表明:La2O3掺杂的(Mo0.7,W0.3)Si2复合材料由(Mo,W)Si2、(Mo,W)5Si3、硅酸镧构成。掺杂La2O3后,La2O3与脆性相Si O2形成硅酸镧化合物,与未掺杂La2O3的(Mo0.7,W0.3)Si2相比,复合材料的晶粒明显细化,强度和韧性均明显提高,其强化原因有细晶强化及颗粒弥散强化;韧化原因有晶粒细化、Si O2的减少、位错缠结、颗粒的拔出、裂纹偏转及微裂纹产生。
朱慧娟易丹青周宏明刘会群王斌
关键词:LA2O3强韧化机理
MoSi_2发热元件高温通电氧化成膜规律
2014年
研究了MoSi2发热元件在1400~1600℃,空气中氧化0.25~3 h的氧化成膜规律,采用SEM和EDS测试技术分析了MoSi2发热元件通电氧化以后氧化层的组织形貌和相组成,并对其氧化膜的生长规律和抗弯强度变化原因进行了探讨。结果表明:MoSi2发热元件氧化膜生长规律符合L=0.43+5.05′107exp(-28397.88T )t1/2关系,氧化激活能为236 kJ/mol。抗弯强度随着氧化膜的致密和增厚而提高,在1600℃通电氧化3 h后,氧化膜生长了22.3μm,抗弯强度达到了273 MPa,比氧化前提高了51.67%。
江川易丹青周宏明刘会群朱慧娟
关键词:MOSI2发热元件氧化层抗弯强度
共1页<1>
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