国家自然科学基金(60377005)
- 作品数：10 被引量：36H指数：4
- 相关作者：胡礼中赵杰王志俊王兆阳梁秀萍更多>>
- 相关机构：大连理工大学中国科学院昆明理工大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金辽宁省科学技术基金科技部基础性研究重大项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- 热氧化法制备的ZnO薄膜的光致发光特性研究被引量：4
- 2005年
- 在空气中利用热氧化方法分别在P型硅、高阻硅、陶瓷以及N型硅衬底上制备了氧化锌(ZnO)薄膜.同时在氧气中、P型硅衬底上氧化制备少量氧化锌薄膜加以比较.氧化时间固定为1 h,氧化温度300℃～800℃.采用X射线衍射(XRD)以及光致发光(PL)光谱研究比较薄膜的结构和PL特性.发现在氧气中氧化样品质量明显好于在空气中氧化的样品.氧气中300℃氧化时有最窄的半高宽和最大的晶粒尺寸.在高阻硅材料衬底上制备的ZnO薄膜表现出较好的紫外发射带,而在陶瓷材料上表现出较好的绿色发射带.而N型材料也是较好的紫外发射材料,P型材料在低温下表现出较好的发光特性.
- 郑东裕胡礼中方粮
- 关键词：ZNO薄膜热氧化法X射线衍射光致发光
- 脉冲激光沉积方法制备ZnO薄膜生长参量对发光特性的影响被引量：6
- 2005年
- 用脉冲激光沉积(PLD)方法在Si(111)衬底上制备了ZnO薄膜。以325 nm He-Cd激光器为光源对薄膜进行了荧光光谱分析,用X射线衍射仪(XRD)和原子力显微镜(AFM)分别对薄膜的结构和形貌进行了分析。脉冲激光沉积方法的主要生长参量为氧压、激光重复频率、生长温度和激光能量。通过控制这些参量变量,研究了这些参量对ZnO薄膜发光特性的影响,得到了用于紫外发光的ZnO薄膜生长的优化条件:发现在温度为650℃左右、氧压50 Pa左右、频率5 Hz左右的范围内能得到半峰全宽较窄,强度较大的紫外发光峰。分析认为紫外峰主要是由激子辐射复合发光形成的,绿光带主要和OZn的存在密切相关,氧空位是蓝光发射的重要原因。
- 王兆阳胡礼中赵杰孙捷王志俊
- 关键词：光学材料脉冲激光沉积ZNO薄膜
- GaAs微探尖的衬底选择刻蚀法剥离和转移被引量：3
- 2007年
- 报道了一种用于制作扫描近场光学显微术(SNOM)传感头的GaAs微探尖的剥离和转移方法—GaAs衬底选择湿法刻蚀技术。利用扫描电子显微镜对转移后的微探尖进行了表征。结果表明,通过此方法能够成功地将GaAs微探尖转移到目标晶片上,并且在剥离和转移过程中微探尖没有受到损伤。这种技术对实现由带有PIN光探测器的垂直腔面发射激光器与GaAs微探尖的混合集成式SNOM传感头有着非常重要的应用价值。
- 孙晓娟胡礼中田怡春张籍权张红治梁秀萍潘石
- 关键词：湿法刻蚀液相外延
- 热氧化法制备ZnO薄膜及其特性研究被引量：5
- 2005年
- 用热氧化金属Zn膜的方法在Si(111)衬底上制备ZnO薄膜.X射线衍射结果表明,500℃氧化的样品的结晶性能最好.随氧化温度的升高,薄膜内的应力方向在450～500℃之间发生转变,从沿c轴的张应力变为压应力.500℃氧化的样品的室温光致发光(PL)谱中,紫外峰的半高宽为94.8 meV,其强度与深能级发射强度之比高达162.氧化温度超过700℃后,样品的PL谱以深能级发射为主,对此现象产生的原因进行了讨论.
- 赵杰胡礼中王兆阳王志俊赵宇梁秀萍
- 关键词：半导体材料ZNO薄膜热氧化X射线衍射光致发光
- PLD方法生长ZnO/Si异质外延薄膜的研究被引量：5
- 2005年
- 用脉冲激光沉积法在Si(111)衬底上制备了ZnO薄膜。RHEED和XRD测试表明,直接沉积在Si衬底上的ZnO薄膜为多晶薄膜,且薄膜的结晶质量随衬底温度的升高而下降。相比之下,生长在一低温同质缓冲层上的ZnO薄膜则展现出规则的斑点状RHEED图像,说明它们都是外延生长的高质量ZnO薄膜。XRD与室温PL谱分析表明,外延ZnO薄膜的质量随衬底温度的升高得到明显的改善。在650℃生长的样品具有最好的结构和发光特性,其(002)衍射峰的半高宽为0.185°,UV峰的半高宽仅为86meV。
- 赵杰胡礼中王兆阳李银丽王志俊张贺秋赵宇
- 关键词：ZNO薄膜X射线衍射光致发光
- 选择液相外延法制备GaAs SNOM微探尖被引量：3
- 2005年
- 使用GaAs(001)衬底模拟垂直腔面发射激光器(VCSEL)外延片表面,采用选择液相外延技术在其上面制备了用于超高密度光存储的扫描近场光学显微术GaAs微探尖阵列,并用扫描电子显微镜对微探尖阵列进行了表征.结果表明,在合适的条件下,微探尖呈金字塔状,并且有着较好的分布周期性.这对解决微探尖与VCSEL出光窗口的对准问题、批量制备问题和实现多探尖并行扫描具有实际应用价值.
- 张红治胡礼中孙晓娟王志俊梁秀萍
- 透射电子显微镜对接膜样品的制作
- 2006年
- 在透射电子显微镜(TEM)样品制作中,对接膜样品制作最为复杂,同时得到的薄膜信息也非常多,是进行材料研究的一个非常有用的观测方法。并介绍了这种样品的制作过程和样品的测试分析情况。
- 王兆阳张贺秋胡礼中赵杰王志俊
- 关键词：透射电子显微镜选区电子衍射
- LPE-GaAs微探尖与VCSEL的粘合集成被引量：1
- 2008年
- 介绍了应用于扫描近场光学显微术(SNOM)传感头的GaAs微探尖与垂直腔表面发射激光器(VCSEL)的粘合集成方法,并利用扫描电子显微镜对集成后的微探尖与VCSEL进行了表征。结果表明,该种方法能够成功地将微探尖转移并集成到VCSEL的出光窗口上,实现微探尖与出光窗口的对准,并且整个过程中不会对微探尖造成损伤。这种技术对进一步实现由带有PIN光探测器的VCSEL与GaAs微探尖的混合集成式SNOM传感头有着重要的应用价值。
- 田怡春胡礼中梁秀萍张红治潘石
- 关键词：液相外延
- 衬底温度对PLD法制备ZnO薄膜结构及发光特性的影响被引量：10
- 2008年
- 在60Pa的高氧压气氛中，用脉冲激光沉积法以Si（111）为衬底在不同温度下制备了ZnO薄膜。RHEED和XRD结果表明，所有样品都是c轴高度择优取向的多晶ZnO薄膜。随衬底温度的升高，ZnO薄膜（002）衍射峰的半高宽不断减小，从0．227～0．185°。对（002）衍射峰的2θ值分析表明，650℃下生长的ZnO薄膜几乎处于元应力的状态，而在较低或较高温度下生长的薄膜中都存在着一定程度的c轴压应力。室温PL谱测试说明在650℃生长的ZnO薄膜具有最强的紫外发射峰和最窄的UV峰半高宽（83meV）。在700℃得到的样品PL谱中，检测到一个位于3．25eV处的低能发射峰。经分析，该峰可能是来自于施主-受主对（DAP）的跃迁。
- 赵杰胡礼中宫爱玲刘维峰
- 关键词：ZNO薄膜X射线衍射
- PLD方法制备ZnO薄膜的特征温度研究
- 2006年
- 用PLD方法在S i(1 1 1)衬底上制备了ZnO薄膜.在薄膜的沉积过程中,用安装在激光脉冲沉积设备上的反射高能电子衍射仪(RHEED)对薄膜的生长进行了原位监测.结合薄膜的X射线衍射(XRD)分析和荧光光谱(PL)分析,发现达到或者超过650°C时生长的薄膜,结构和光学特性得到了显著的改善.
- 王兆阳胡礼中赵杰孙捷王志俊
- 关键词：ZNO薄膜荧光光谱
