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湖南省科技厅项目(2010TY2003)

作品数：1 被引量：1H指数：1
相关作者：李伽周守利杨万春任宏亮更多>>
相关机构：浙江工业大学中国科学院湘潭大学更多>>
发文基金：浙江省自然科学基金湖南省科技厅项目更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇异质结
  • 1篇异质结双极晶...
  • 1篇双极晶体管
  • 1篇双异质结
  • 1篇双异质结双极...
  • 1篇晶体管
  • 1篇DHBT
  • 1篇INP

机构

  • 1篇湘潭大学
  • 1篇中国科学院
  • 1篇浙江工业大学

作者

  • 1篇任宏亮
  • 1篇杨万春
  • 1篇周守利
  • 1篇李伽

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2012
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
InAlAs/GaSbAs/InP DHBT与InP/GaSbAs/InPDHBT性能比较分析被引量：1
2012年
双异质结双极晶体管(DHBT)的性能与发射区-基区(E-B)异质结和基区-集电区(B-C)异质结的能带突变类型关系密切,本文基于热场发射-扩散模型,对两类不同能带结构类型的新型DHBT的性能做了比较分析.结论表明:与作为当今研究热点的E-B和B-C异质结构均为全交错Ⅱ型能带结构的InP/GaSbAs/InP DHBT的性能相比,E-B异质结采用传统Ⅰ型、B-C异质结采用交错Ⅱ型的一类新型能带结构的InAlAs/GaSbAs/InP DHBT虽然在开启电压上更高,但具有更好的电流驱动能力、直流增益和高频性能.
周守利杨万春任宏亮李伽
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