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国家高技术研究发展计划(2008ZX02401)

作品数:1 被引量:1H指数:1
相关作者:闫志瑞索思卓库黎明周旗钢更多>>
相关机构:北京有色金属研究总院更多>>
发文基金:国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇抛光
  • 1篇SI

机构

  • 1篇北京有色金属...

作者

  • 1篇周旗钢
  • 1篇库黎明
  • 1篇索思卓
  • 1篇闫志瑞

传媒

  • 1篇半导体技术

年份

  • 1篇2009
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
300mm Si片加工及最新发展被引量:1
2009年
65 nm及以下线宽对Si片表面的各方面性能要求越来越高,主要体现在两个方面,一个是加工工艺,另一个是加工设备。在加工方法上,65 nm线宽用300 mmSi片不同于90 nm,如运用多步单片精密磨削,不仅可以提高表面几何参数,还可以减小表面特别是亚表面的损伤层。而对于加工设备,要求更加精密,特别是单面精抛光,在保证去除量的同时还要使Si片表面各点的去除量保持均匀。对目前300 mmSi片的磨削、抛光及清洗的每一道工艺流程,特别是相对于65 nm技术的一些加工流程及方法的最新发展进行了详细的论述,指出了300 mmSi片加工工艺的发展趋势。
库黎明闫志瑞索思卓周旗钢
关键词:抛光
共1页<1>
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