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长江学者和创新团队发展计划(IRT0419)

作品数:4 被引量:7H指数:1
相关作者:许京军孙骞齐继伟李玉栋孔凡磊更多>>
相关机构:南开大学德州学院中国科学院更多>>
发文基金:长江学者和创新团队发展计划国家自然科学基金天津市自然科学基金更多>>
相关领域:理学机械工程更多>>

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 4篇理学
  • 1篇机械工程

主题

  • 1篇衍射
  • 1篇占空比
  • 1篇折射率
  • 1篇折射率变化
  • 1篇数值模拟
  • 1篇周期极化
  • 1篇铌酸锂
  • 1篇铌酸锂晶体
  • 1篇外加磁场
  • 1篇微结构
  • 1篇滤波器
  • 1篇晶体
  • 1篇光衍射
  • 1篇光栅
  • 1篇光栅衍射
  • 1篇擦除
  • 1篇磁场
  • 1篇值模拟

机构

  • 4篇南开大学
  • 1篇德州学院
  • 1篇中国科学院

作者

  • 3篇许京军
  • 2篇李玉栋
  • 2篇齐继伟
  • 2篇孙骞
  • 1篇张光寅
  • 1篇崔国新
  • 1篇彭景阳
  • 1篇郝召锋
  • 1篇颜采繁
  • 1篇张春平
  • 1篇孔凡磊
  • 1篇祁胜文
  • 1篇王栋栋
  • 1篇陈宗强
  • 1篇李兵
  • 1篇田建国
  • 1篇陈桂英
  • 1篇陈云琳
  • 1篇杨光

传媒

  • 3篇物理学报
  • 1篇人工晶体学报

年份

  • 1篇2014
  • 3篇2007
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
铌酸锂晶体中的磁光折变效应研究被引量:5
2007年
对于掺铁铌酸锂晶体中不同全息记录配置下的磁光折变效应做了比较系统的理论分析,给出了铌酸锂晶体所有的磁光生伏打非零张量元.详细计算并给出了不同全息纪录配置下的所有体光生伏打、磁光生伏打电流的解析形式.理论结果表明,由于磁光生伏打效应引起了光激发电流的变化,所以对于每种配置全息光栅的衍射效率都会受到外加磁场的影响;对于不同的全息记录配置,磁场对铌酸锂晶体光折变非线性性质的影响也不同.讨论了一种确定特定张量元的方法.
齐继伟李玉栋许京军崔国新孔凡磊孙骞
利用光衍射效应探测周期极化微结构晶体被引量:1
2007年
以光栅衍射理论为基础,从理论上分析研究了微结构晶体衍射效率与占空比和折射率的关系.采用波长为532nm,最大功率为80mW的连续激光为光源,分别对周期极化掺镁铌酸锂微结构晶体和周期极化同成分铌酸锂微结构晶体的占空比及极化反转引起的折射率变化进行了测试.测试结果表明,掺镁铌酸锂晶体周期极化反转所引起的折射率改变量大于同成分铌酸锂晶体极化反转所引起的折射率变化.
王栋栋陈云琳李兵颜采繁许京军张光寅
关键词:光栅衍射占空比折射率变化
非均匀输入图像对基于细菌视紫红质膜的新事物滤波器输出特性的数值模拟被引量:1
2007年
研究了基于细菌视紫红质(bR)膜的新事物滤波器的非均匀输入图像对输出图像特性的影响.与具有均匀光强分布的输入图像相比,在正弦分布的输入图像情况下,输出图像的光强分布不再呈现单调变化,而是出现两个峰值,其中间有较小的光强.bR膜的M态寿命和物体运动速度对输出图像上蓝光光强的分布有一定影响.M态寿命越大,透过的蓝光光强越小,减小的幅度是随着M态寿命的增加而减小,当M态寿命τ>50s时,减小的幅度几乎为零.在相同的入射光情况下,对于输出图像的相同位置,输入图像的运动速度越大,其输出的蓝光光强越大.
杨光陈桂英祁胜文郝召锋田建国张春平
外加磁场对掺铁铌酸锂晶体中折射率光栅擦除过程的影响
2014年
研究了外加磁场对掺铁铌酸锂晶体中折射率光栅擦除过程的影响。在写入和擦除过程中分别或同时外加磁场,测量了不同擦除光强下磁场对光栅擦除过程的影响。结果表明,外加磁场对折射率光栅擦除时间存在明显影响。在光栅写入或光栅擦除过程分别外加磁场时,光栅擦除时间增加;但是当在写入和擦除过程同时外加磁场时,光栅的擦除时间明显变短。擦除时间变化与擦除光强相关,擦除光强越弱,磁场对擦除时间的变化越明显。进一步的研究发现擦除时间的变化来自于磁场对铌酸锂晶体中等效暗电导的影响。以上实验结果显示,外加磁场可以成为掺铁铌酸锂晶体光折变光栅的调控手段。
齐继伟彭景阳陈宗强李玉栋许京军孙骞
关键词:磁场
共1页<1>
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